4.3 Расчет пассивных элементов схемы

Индуктивности катушек L_бл1 и L_бл2 рассчитаем по формуле (4.26):

(4.26)

Примем L_бл1 и L_бл2 = 200 нГн

Емкость конденсатора С_бл рассчитаем по формуле (4.27):

(4.27)

В качестве блокировочной емкости С_бл выберем конденсатор номиналом 0,2 нФ.

5. Расчет согласующей цепи между оконечным и предоконечным

каскадами

Для обеспечения трансформации входного сопротивления оконечного каскада в оптимальное сопротивление нагрузки предоконечного каскада и возбуждения оконечного каскада гармоническим током применим цепь согласования, изображенную на рисунке 13

Рисунок 13. – Цепь согласования между оконечным и предоконечным

каскадами передатчика

Условие реализации цепи согласования определяется согласно [1] по (5.1),

где R₁ = R_нУЧ (умножителя частоты), R₂ = R_вх (выходного каскада):

(5.1)

Принимаем параметр q равным 1,4.

Реактивные составляющие сопротивления элементов цепи согласования определяем по формулам (5.2 – 5.4):

(5.2)

(5.3)

(5.4)

Номиналы элементов цепи согласования находим по (5.5 – 5.7):

(5.5)

(5.6)

(5.7)

В качестве С1 и С2 применим конденсаторы из стандартного ряда с номиналами:

С1 = 0,47 нФ,

С2 = 0,1 нФ,

Выбираем L1 = 0,2 мкГн

6. Расчет гун

6.1 Выбор основных параметров и активного элемента

ГУН имеет две регулировки частоты: регулировка частоты системой ЧАП и модуляция частоты сигналом. Регулировки производятся с помощью двух варикапов.

Центральная частота на которой работает ГУН 3,375 МГц, после него идет усилитель предварительный или буферный каскад. Мощность, которую должен развивать ГУН в нагрузке примем равной 50 мВт.

Рис. 14. − Схема ГУН с частотным модулятором

На рисунке 14 представлена принципиальная схема ГУНа, расчет которой приведен ниже.

Для расчета автогенератора выберем транзистор ГТ311 с параметрами приведенными в таблице 2.

Таблица 2. – Параметры транзистора ГТ311

Предельные эксплуатационные данные
Максимальное напряжение на коллекторе, В	12
Максимальное напряжение эмиттер-база, В	2
Максимальный ток коллектора, А	0,05
Максимальная температура корпуса, Со	70
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	0,15
Электрические параметры и параметры эквивалентной схемы
Крутизна линии граничного режима, См	0,4
Частота, МГц	300,1000
Пороговое напряжение, В	0,3
Емкость коллектора, пФ	2
Емкость эмиттера, пФ	4
Распределенное сопротивление базы, Ом	60
Индуктивность выводов базы, нГн	10
Индуктивность выводов коллектора, нГн	10
Индуктивность выводов эмиттера, нГн	10

Проверим, можно ли пренебречь инерционностью этого транзистора в данных условиях. Для этого необходимо выполнение условия:

, (6.1)

где f – частота генерируемых колебаний, f_S – граничная частота транзистора по крутизне.

Граничная частота транзистора по крутизне определяется выражением:

(6.2)

где распределённое сопротивление базы r_Б,

а крутизна статической проходной характеристики S₀:

(6.3)

Подставляя рассчитанные величины в начальную формулу, получим:

. (6.4)

Таким образом, транзистор в данном случае можно считать безинерционным устройством.