
- •Основное назначение спп (силовых полупроводниковых приборов)
- •Основная номенклатура.
- •Основные сферы применения
- •Разработка новых технологий
- •2.1 Типовой технологический процесс изготовления спп
- •Общая характеристика полупроводникового тиристора т-142
- •Технологический процесс изготовления тиристора т-142
- •2.3.1 Механическая обработка
- •2.3.2 Техпроцесс диффузии бора
- •2.3.3 Техпроцесс первой фотолитографии
- •2.3.4 Техпроцесс диффузии фосфора и бора
- •2.3.5 Техпроцесс второй фотолитографии
- •2.3.6 Техпроцесс металлизации
- •2.3.7 Техпроцесс изготовления п-п структуры и сборки прибора т-142
- •3 Диод .Д106
- •3.1. Общие сведения о диоде д106.
- •3.1.1. Параметры диода д106.
- •3.3.2. Диффузия.
- •3.3.3. Окисление.
- •3.3.4. Фотолитография.
- •3.3.5. Стеклопассивация.
- •3.3.6. Металлизация.
- •3.3.7. Скрайбирование, облуживание.
- •3.3.8. Травление.
- •3.3.9. Пайка арматуры.
- •3.3.10. Герметизация.
- •4.2 Контроль в процессе механической обработки
- •4.3 Контроль параметров после диффузии
- •4.3.1 Контроль глубины диффузии
- •4.3.2 Контроль поверхностного сопротивления
- •4.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
- •4.3.4 Контроль типа проводимости п/п материалов
- •4.4 Контроль толщины металлизации
- •4.4.1 Гравиметрический метод (гост 9.302-88)
- •4.4.2 Кулонометрический метод
- •4.4.3 Метод капли
- •4.4.4 Метод вихревых токов
2.3.5 Техпроцесс второй фотолитографии
Техпроцесс второй фотолитографии представлен в таблице 2.6
Таблица 2.6 – Техпроцесс второй фотолитографии
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Формирование слоя фоторезиста (линия фотолитографии) |
Смещение рисунка II Ф/П относительное рисунка I Ф/П 0.1 мм |
Подготовка пластин T = (75050)0C t = 15 - 20 мин
Нанесение tзад = 1.0 – 2.5 сек tвр = 10 - 25 сек V=1500–2000 об/мин
Сушка T = (90-100)0C t = 25 - 40 мин
Экспонирование t = 10 – 30 сек
Проявление t = 30 - 80 сек
Дубление T = (120-150)0C t = 30 - 60 мин |
С2Н5ОН
фоторезист ФП-383
2% р-р Na3PO4 (водный) 800 мл. на 100 – 120 пл. |
Подготовка к травлению (ретушировка) |
|
|
t = 5 - 10 мин T = (7010)0C t = 20 - 25 мин |
Лак ХВ – 784 разбавленный толуолом 2:1 |
|
Селективное травление |
|
t = 30 - 60 мин |
NH4F – 300 г HF – 100 мл H2O – 600 мл 1 л на 3000 пластин |
Продолжение таблицы 2.6
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Снятие фоторезиста |
|
Кипение t = 10 мин
Промывка
Кипение t = 10 мин обработка 3 раза
через промывку t = 1.5 – 2 мин Т = (7510) 0C |
Диэтилфорамид
H2О r ³ 18 МОм
КOH:H2O2: H2О = 1:2:30
H2О r ³ 18 МОм |
2.3.6 Техпроцесс металлизации
Техпроцесс металлизации представлен в таблице 2.7
Таблица 2.7 – Техпроцесс металлизации
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Подготовка к первому химическому никелированию |
|
Травление t = 1-2 мин
УЗМ T = (6010) 0C t = 5 мин, 3 раза
сушка T = (17010) 0C t = 10-15 мин
активация t = 15-20 с |
HCl:HNO3 = 3:1
H2О r ³ 18 МОм
Au – 0.1 г/л |
|
Первое химическое никелирование |
Визуальный контроль равномерности распределения Ni h = 0.3 – 0.4 мкм |
Т = (85-90) 0C t = 3 мин
Тсушки = (18020) 0C t = 30 мин
|
Электролит NiCl2 – 30 г/л NH4Cl – 50 г/л NaH2PO4 – 10 г/л С6H8O7 – 60 г/л NH4OH - 150 мл рн – 8-9 |
Продолжение таблицы 2.7
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Вжигание никеля (печь вакуумная горизонтальная) |
|
t = 30 мин T = 450 0C p 510-3 мм. рт. ст |
|
Подготовка ко II химическому никелированию |
|
Травление t =1-2мин
УЗМ Т = (6010) 0C t = 5 мин, 3 раза
сушка Т = (17010) 0C t = 10 - 15 мин
Активация t = 15-20 с |
HCl:HNO3 = 3:1
H2О r ³ 18 МОм
Au 1 г/л |
|
II химическое никелирование (бокс 2БП2-ОС) |
hNi = 0.7 – 1 мкм |
t = 5 мин Т = (85-90) 0C
Тсушки = (180-200) 0C t = 1 час |
Электролит NiCl2 – 30 г/л NH4Cl – 50 г/л NaH2PO4 – 10 г/л С6H8O7 – 60 г/л NH4OH - 150 мл |
|
Подготовка к кадмированию (стол монтажный см 3) |
|
|
Монтажная подвеска |
|
Кадмирование (комплект оборудования ОМ.1490.0000) |
hСd = 0.3–0.5 мкм |
Дк – 2 А/дм2 t = 45 -90 сек T = (18 - 25) 0C
Промыть Т = (6010) 0C до нейтр. р-ции |
CaSO4 – 45-60 г/л NaSO4 – 40-50 г/л H2SO4 – 20-30 г/л вспомогательное вещество ОП-10 6-8 г/л |
|
Серебрение |
hAr = 2.5 – 3.5мкм |
Дк – 5 А/дм2 t = 8-10 мин T = (18 - 25) 0C
В ванне улавливания Дк – 0.5 А/дм2 t = 3-5 мин T = (18 - 25) 0C
Промыть Т = (6010) 0C до нейтр. р-ции |
Дицианоаргенат калия К[Ag(CN)2]74-92 г/л калий роданистый КСNS – 200 – 250 г/л калий двууглекислый К2СО35Н2О – 20-30 г/л |
|
Термообработка поверхности |
|
T = (1705) 0C t = 1ч |
|