- •Основное назначение спп (силовых полупроводниковых приборов)
- •Основная номенклатура.
- •Основные сферы применения
- •Разработка новых технологий
- •2.1 Типовой технологический процесс изготовления спп
- •Общая характеристика полупроводникового тиристора т-142
- •Технологический процесс изготовления тиристора т-142
- •2.3.1 Механическая обработка
- •2.3.2 Техпроцесс диффузии бора
- •2.3.3 Техпроцесс первой фотолитографии
- •2.3.4 Техпроцесс диффузии фосфора и бора
- •2.3.5 Техпроцесс второй фотолитографии
- •2.3.6 Техпроцесс металлизации
- •2.3.7 Техпроцесс изготовления п-п структуры и сборки прибора т-142
- •3 Диод .Д106
- •3.1. Общие сведения о диоде д106.
- •3.1.1. Параметры диода д106.
- •3.3.2. Диффузия.
- •3.3.3. Окисление.
- •3.3.4. Фотолитография.
- •3.3.5. Стеклопассивация.
- •3.3.6. Металлизация.
- •3.3.7. Скрайбирование, облуживание.
- •3.3.8. Травление.
- •3.3.9. Пайка арматуры.
- •3.3.10. Герметизация.
- •4.2 Контроль в процессе механической обработки
- •4.3 Контроль параметров после диффузии
- •4.3.1 Контроль глубины диффузии
- •4.3.2 Контроль поверхностного сопротивления
- •4.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
- •4.3.4 Контроль типа проводимости п/п материалов
- •4.4 Контроль толщины металлизации
- •4.4.1 Гравиметрический метод (гост 9.302-88)
- •4.4.2 Кулонометрический метод
- •4.4.3 Метод капли
- •4.4.4 Метод вихревых токов
Технологический процесс изготовления тиристора т-142
2.3.1 Механическая обработка
Техпроцесс механической обработки представлен в таблице 2.2
Таблица 2.2 – Техпроцесс механической обработки
|
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Шлифование кремния по образующей (станок кругло-шлифовальный 36161) |
45-2.0 |
|
Кремний марки Б-45/45.5 б |
n |
Приклеивание графитовой планки. Наклеивание на оправку.
Резка монокристаллов на пластины (полуавтомат TS-23)
Отмывка от замазки |
hрезки=0.53-0.03 мм |
Скорость подачи 25-30 мм/мин
Кипячение
Промывка водой T = (60 – 70) 0C |
Эпоксидный компаунд
Электрокорунд 14А
5 мл на 1л Н2О моющее средство "Каштан"
r ³ 2 МОм |
Двухстороннее шлифование (АL-2) |
hшлиф = 0.38-0.03 мм непараллельн. – 0.03 мм |
Скорость вращения 40 об/мин |
Микропорошок F400 |
|
УЗМ (ультразвуковая мойка) (ванна ультразвуковая УЗВ-17м, генератор УЗГ-10У)
Сушка |
Визуальный контроль затиры царапины
|
T = (70-80)0C t = 5 мин. 2 раза
|
Моющее средство "Каштан" 5 мл на 1 л H2О 2 МОм |
2.3.2 Техпроцесс диффузии бора
Техпроцесс диффузии бора представлен в таблице 2.3
Таблица 2.3 – Техпроцесс диффузии бора
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
||||
n |
Подготовка пластин к диффузии |
|
t = 20 – 30 мин отмывка до нейтр. реакции
Кипение t = 10 мин. отмывка до нейтр. реакции
Кипение t = 10 мин. отмывка до нейтр. реакции
УЗМ(после травлений) Tводы = (70-80)0C t = 5 мин. 5 раз |
HF
H2О2:NH4OH: H2О = 1:1:7 H2О r ³ 18 МОм
H2О2:HCl: H2О = 1:1:6
H2О r ³ 18 МОм |
||||
Нанесение источника (Установка нанесения ОН.1384.00.00) |
|
V = (3000500)об/мин. t = 3 – 5 c n = 3 – 5 капель |
Источник С2Н5ОН – 94 мл H2О – 2 мл Al(NO3)3 – 14 г 1% р-р Н3ВО3 12мл ТЭОС – 27 мл |
|||||
p |
Диффузия В+Аl (электропечь СУОМ 1.2 6.1/13.5-И1) |
х = 773 мкм =(36-60) Ом/ |
Продувка печи Tзагр = (62525) 0C Tдиф = (12502) 0C Tохл = (62525) 0C t = 18 – 21 ч |
|
||||
|
Травление борсиликатного стекла(Б-С.С) (бокс 5БП2-ОС |
|
tтравления = 20 мин. отмывка до нейтр. реакции
УЗМ Tводы = (70-80)0C t = 5 мин. 5 раз |
НF расход 3.5 л на 182 шт исп. HF трижды
H2О r ³ 18 МОм
|
||||
Продолжение таблицы 2.3
Рисунок |
Наименование операции |
Параметры |
Режимы |
Материалы |
|
Подготовка к окислению |
|
t = 7 мин. отмывка до нейтр. реакции
УЗМ Tводы = (70-80)0C t = 5 мин. 5 раз |
HCL:HNO3 = 3:1
H2О r ³ 18 МОм |
|
Окисление (электропечь СУОМ 1.2 6.1/13.5-И1) |
hok = 1.4 мкм |
T = (11505) 0C t в парах H2О – 6 ч t без H2О 1.5 ч Tост = (62525) 0C |
|
