3) Мостовая схема выпрямления

К_п = 0,67; U₀ = 2 U_2m /π

2) Режимы работы усилителей

а) режим А – минимальные нелинейные искажения, низкий КПД (20-30%). Применяется в маломощных

каскадах с малыми нелинейными искажениями.

применяется в однотактных схемах усиления, в маломощных каскадах.

б) Режим В, ток покоя равен нулю, высокий КПД (60-70%), высокий уровень нелинейных искажений.

Применяется в двухтактных схемах усиления. Используется в двухтактных схемах

в) Режим АВ – промежуточный между А и В. КПД = (40-50)%

Более экономичен, чем А, и характеризуется меньшими нелинейными искажениями, чем В. 1800 ≥ Ѳ ≥ 900

Применяется в двухтактных усилителях мощности.

г) В усилителях режима С ток в выходной цепи течет менее половины периода входного сигнала. Каскад усиления при отсутствии сигнала и при его малых значениях не работает, поэтому усилитель потребляет от источника питания меньше энергии, чем в режиме В. Усилители режима С не воспроизводят весь период усиливаемого сигнала. Это искажает сигнал. Поэтому в усилителях с малыми искажениями режим С не применяется. Он нашел применение в радиопередающих устройствах.

Билет №23

1.Параметры электронных усилителей

Входное сопротивление R_вх = U_вх² /P_вх - сопротивление между входными зажимами усилителя.

Выходное сопротивление R_вых = U_вых² /P_вых - сопротивление между выходными зажимами усилителя при отключенной R_Н

Коэффициент усиления – отношение напряжения или тока (мощности) на выходе усилителя к напряжению или току (мощности) на входе усилителя

К_U = U_вых /U_вх К_i = I_вых/I_вх К_P = P_вых / P_вх

2.Классификация

1. _{зависимости от диапазона рабочих частот}

_{1.1. УНЧ (десятки Гц – десятки кГц);}

2. _{В 1.2. УВЧ (сотни кГц – сотни МГц);}

_{1.3. УПТ (усиливает сигналы постоянного и медленно меняющегося тока)}

_{1.4. Импульсные (широкополосные): десятки Гц – сотни МГц}

5. _{Узкополосные (избирательные)}

1. Полупроводниковые интегральные микросхемы (технология изготовления, элементы)

_{Для изготовления полупроводниковых микросхем используют кремниевые монокристаллические пластины диаметром не менее 30 — 60 мм и толщиной 0,25 — 0,4 мм.}

_{Элементы микросхемы — биполярные и полевые транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы — формируют в полупроводниковой пластине методами, известными из технологии дискретных полупроводниковых приборов (селективная диффузия, эпитаксия и др.) [5]. Межсоединения выполняют напылением узких проводящих дорожек алюминия на окисленную (т. е. электрически изолированную) поверхность кремния, имеющую окна в пленке окисла в тех местах, где должен осуществляться контакт дорожек с кремнием (в области эмиттера, базы, коллектора транзистора и т. д.). Для соединения элементов микросхемы с ее выводами на проводящих дорожках создаются расширенные участки —контактные площадки.}