Техпроцессы, соответствующие линейному разрешению литографического оборудования менее 100 нм Уровень полупроводниковой технологии
90 Нм был достигнут к 2002-2003 годам
Intel Pentium 4 (Prescott)
65 нм – достигнут к 2004 году.
Intel Pentium 4 (Cedar Mill)
Intel Pentium D 900
Intel Celeron D (Cedar Mill cores)
Intel Core 2
AMD Athlon 64
AMD Phenom
STI Cell – PlayStation 3
Microsoft Xbox 360 "Falcon"
Microsoft Xbox 360 "Opus"
Microsoft Xbox 360 "Jasper"
50 нм – достигнут к 2005 году.
45 нм – достигнут к 2006.
Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate, для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si
Intel Core 2 Duo
Intel Core 2 Quad
AMD Phenom II X2
AMD Athlon II X2
Fujitsu SPARC64
32 нм – достигнут к 2009-2010 годах.
На осень 2009 года компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу.
AMD Bulldozer
28 нм
В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company должен начался серийный выпуск продукции по 28-нанометровой технологии.
Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm (2 кв. 2011 года)
В мае 2011 года по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд. транзисторов.
22 нм
Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM. 22-нм элементы формируются при литографии путем экспонирования маски светом длиной волны 193 нм.
Компанией Intel введение в производство 22-нанометровой технологии запланировано на вторую половину 2011 года. Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили компании IBM и AMD.
В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненую по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм).
14 нм
Строительство завода под названием Fab42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию он будет сдан в 2013 году. По заявлению Intel, он станет самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров – Intel будет выпускать здесь продукцию по 14-нанометровой технологии на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, как ожидается, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.
