
- •Полупроводниковые приборы.
- •Полупроводниковые резистор
- •3) Терморезисторы
- •Температурный коэффицент сопротивления
- •5) Позисторы
- •6) Фоторезисторы
- •7) Варисторы
- •8) Полупроводниковые диоды
- •9) Прямое и обратное напряжение смещения
- •11) Обозначение полупроводниковых диодов
- •12) Рабочий режим диода
- •13) Емкость полупроводникового диода
- •15) Выпрямительные диоды
- •16)Включение полупроводниковых диодов в цепь
- •17 ) Однополупериодная схема выпрямления
- •18) Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
- •19) Двухполупериодная мостовая схема
- •20) Стабилитрон
- •25) Транзисторы
- •26) Устройство биполярных транзисторов
- •27) Режим работы транзистора
- •29 ) Классификация транзисторов
- •30) Обозначение транзисторов
- •33) Схемы включение транзистора
- •37) Полевой транзистор
- •39) Однопереходный транзистор (двухбазовый диод).
- •40) Кремниевые управляемые вентили.
- •41) Тиристоры.
- •42) Динисторы.
- •43) Симисторы.
- •44) Оптоэлектронные приборы.
- •45) Светодиоды.
- •46) Фотодиоды.
- •47) Фототранзисторы.
- •48) Оптопары.
26) Устройство биполярных транзисторов
Биполярными транзисторами называют полу проводниковые приборы с 2 или несколькими взаимодействующими электрическими, p-n переходами , и 3 выводами или более ,
Они состоят из чередующихся областей ( слоёв) полу проводника имеющих электропроводности различных типов . В зависимости от типа Электра проворности наружных слоёв различают транзисторы p-n-p , n-p-n типов .
На рисунке показано упрощенная структура плоскостного транзистора и условные графические обозначения транзисторов различных типов проводимости
27) Режим работы транзистора
Транзистор может работать в 3 режимов в зависимости от напряжения на его переходах. Активный режим .- работа в активном режиме происходит в том случае если на элитарном переходе напряжение прямое а на коллекторном обратное . Режим отсечки или запирания . Этот режим достигается подачей обратного напряжение на оба перехода . Режим насыщения . Если на обоих переходах напряжение прямое то транзистор работает в режиме насыщения . Активный режим является основным, режимы отсечки и насыщения характерны для импульсной работы транзистора .В схемах с транзисторами обычно образуются 2 цепи , Входная или управляющая цепь служит для управления работы транзистора . В выходной или управляемой цепи получаются усиленные колебания , источник усиливаемых колебаний включается во входную цепь , а выходную цепь включают нагрузку .
29 ) Классификация транзисторов
Транзисторы класафицируются по следующим параметрами
По типу проводимости ( n-p-n u p-n-p); По используемо материалу; По основному назначению; Высокой или низкой выходной мощьности; по выс и низк сред СВЧ частотам; По переключатели.
30) Обозначение транзисторов
Бука или цифра обозначающая исходный материал. 1-германий, 2-кремний 3-соединения галлия
Буква указывающая класс прибора . Т- биполярные транзисторы . П- полевые .
Цифра определяющая назначение и качественные показатели прибора .
Цыфры определяющие порядковый номер разработки прибора
Цыфры определяющие порядковый номер разработки прибора
Буква определяет деление технологического типа прибора на параметрические группы . от А-Я .
33) Схемы включение транзистора
В зависимости от того какой электрод транзистора является общим для входного и выходного сигналов различают 3 схемы включения транзистора в усилительный каскад с общей базой ( ОБ) с общим эмитаром (ОЭ) и общим коллектором (ОК) .
34-35-36)
37) Полевой транзистор
Полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
38) МОП-транзисторы.
Это означает "металл - ОКИСЕЛ - полупроводник",
Устройство у него простое: два pn-перехода (сток и исток), область полупроводника между ними (канал транзистора) закрыта с поверхности диэлектриком (окислом), поверх окисла находится проводящий (в частном случае - металлический) затвор.
Физика работы - управление проводимостью канала транзистора (то есть область полупроводника непосредственно под металлическим затвором) электрическим полем затвора. То есть исток транзистора норовит инжектировать в этот канал носители (скажем, электроны, для транзистора n-типа), и вот то, насколько хорошо ему это удаётся и сколь легко будет этим электронам дойти до области стока - как раз и зависит от того, что за напряжение подано на затвор.