Температурный коэффицент сопротивления
Помимо ВАХ важнейшей характеристикой терморезистора является зависимость его сопротивления от температуры. Типичная температурная характеристика R=f(t) с отрицательным температурным коэффициентом приведена на данной схеме:
Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом (ТКС) используются для измерения и регулирования температуры, термокомпенсации различных элементов электрических цепей, работающих в широком интервале температур, измерения мощности высокочастотных колебаний и индикации лучистой энергии, стабилизации напряжения в цепях постоянного и переменного токов, в качестве регулируемых бесконтактных резисторов и т.д.
5) Позисторы
Терморезисторы с положительным ТКС (позисторы) изготовляются на основе титанита бария, легированного специальными примесями, которые в определённом интервале температур увеличивают своё удельное сопротивление на несколько порядков.
6) Фоторезисторы
Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус.
Важнейшие параметры фоторезисторов: интегральная чувствительность — отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения (при номинальном значении напряжения питания); порог чувствительности — величина минимального сигнала, регистрируемого фоторезистором, отнесённая к единице полосы рабочих частот.
7) Варисторы
Вари́стор — полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, то есть обладающий нелинейной симметричной вольт-амперной характеристикой и имеющий два вывода.
8) Полупроводниковые диоды
Диод – это простейший ППП. Он позволяет току течь только в одном направлении. ППД представляет собой электро-преобразовательный полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя внешними выводами от областей кристалла с разными типами электропроводности. В зависимости от способа получения p-n-переходов ППД делятся на 2 типа: плоскостные и точечные. Диод создаётся соединением вместе 2х полупроводников p и n типа. В области контакта этих материалов образуется переход. Это устройство называется диодом на основе p-n-перехода. При формировании перехода подвижные заряды в его окрестности притягиваются к зарядам противоположного знака и дрейфуют по направлению к переходу. По мере накопления зарядов этот процесс усиливается. Некоторые электроны из ПП n-типа перемещаются через переход, заполняя дырки вблизи перехода в материале p-типа. В материале n-типа в области перехода электронов становится меньше. Эта область перехода, где концентрация электронов и дырок уменьшена, называется обеднённым слоем. Он занимает небольшую область с каждой стороны перехода. В обеднённом слое нет основных носителей, и материалы n и p типа не являются больше электрически нейтральными. Материал n-типа становится положительно заряженным вблизи перехода, а материал p-типа – отрицательно. Обеднённый слой не может стать больше, так как взаимодействие зарядов быстро ослабевает при увеличении расстояния и слой остаётся малым. Размер слоя ограничен зарядами противоположного знака, расположенными по обе стороны перехода. Как только отрицательные заряды располагаются вдоль перехода, они отталкивают другие электроны и не дают им пересечь переход. Положительные заряды поглощают свободные электроны и также не дают им пересечь переход. Эти заряды противоположного знака, выстроившиеся с двух сторон перехода, создают напряжение, называемое потенциальным барьером. Это напряжение может быть представлено как внешний источник тока, хотя находится только на p-n-переходе. Потенциальный барьер довольно мал, его величина составляет только несколько десятых долей вольта. Типичные значения потенциального барьера 0.3 В для p-n-перехода в германия и 0.7 В для перехода кремния. Потенциальный барьер проявляется, когда к p-n-переходу прикладывается внешнее напряжение.