Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физические основы полупроводниковой электроники...doc
Скачиваний:
21
Добавлен:
11.09.2019
Размер:
113.66 Кб
Скачать

2.4.4.Фотоэффекты в п/п.

Фото сопротивление (ФС) – прибор с изменением R от воздействия света различного спектрального состава (пасс.) нет Епит. Применяется в автоматике, ИК системах.

Фотодиод – прибор с односторонней проводимостью зависящей от освещенности, работает при наличии Епит.

Фотоэлемент – источник ЭДС, разности потенциалов при интенсивной освещенности с внутренним фотоэффектом.

Взаимодействие света и п/п сложное. В простейших случаях пояснения следующие: При облучении светом, квант энергии которого больше ширины запрещенной зоны, электрон из ВЗ попадает в ЗП. Проводимость п/п – функция интенсивности освещения. Тогда ФС – детектор освещения. Увеличение числа частиц Δn=fτn. Δp=fτp,где f –частота света, τ – среднее время жизни

Повышение проводимости Δδ=е(Δn*μn+Δp*μp) При этом пройденные расстояния Lp и Ln до момента рекомбинации должны перекрывать путь к p-n переходу, иначе фототока не будет в фотодиоде даже при наличии Е.

2.4.5.Люминесценция в п/п.

Подводимая в п/п энергия преобразуется в видимый свет, при t<<tтеплового излучения – прямое преобразование энергий. Сульфид цинка и др. сульфиды