Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Оптика 5 (лаб раб 17-21).doc
Скачиваний:
9
Добавлен:
08.09.2019
Размер:
545.28 Кб
Скачать

Описание прибора

В данной работе изучается вакуумный сурьмяно-цезиевый фотоэлемент (СЦВ-3). Он выполнен в стеклянном баллоне, воздух из которого о ткачен до давления 10-6–10-7мм рт.ст.

Рис. 64

На одну половину внутренней поверхности баллона на подкладочный слой магния или серебра нанесён тонкий слой сурьмы (рис. 64), а затем тонкий слой цезия. Образующееся при этом соединение Cs3Sb служит катодом.

Рис. 65

Такой катод обладает малой работой выхода, и, следовательно, красная граница фотоэффекта для данного фотоэлемента находится в видимой части спектра. В центральной части баллона расположен металлический анод А, имеющий форму сферы.

Если на катод К направить пучок света и создать между анодом и катодом разность потенциалов U, то ускоряемые электрическим полем электроны, выбитые из катода, летят к аноду и обусловливают появление тока.

Для изучения вольт-амперной характеристики фотоэлемента и определения зависимости величины фототока насыщения IH от освещённости фотокатода используют схему, представленную на рис. 65.

Проведение измерений и обработка результатов

1. Снятие вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента

  1. Установить лампочку на расстоянии 0,16 м от фотоэлемента. Подключить установку к электрической сети.

  2. Включением тумблера «ФЭ» замкнуть цепь фотоэлемента. Включить лампу.

  3. Источником питания осторожно изменять напряжение от 0 до 150 В; через каждые 10 В записывать значения тока In для очередного значения напряжения Un. Результаты занести в таблицу.

N

U, B

I, мкА

1

2

3

  1. Построить график зависимости тока I от напряжения U и определить значения тока насыщения Iн и напряжения насыщения Uн.

2. Определение зависимости величины фототока насыщения от освещённости фотокатода

  1. Источником питания установить значение напряжения, превышающее напряжение насыщения Uн.

  2. Установить лампочку на расстоянии d = 0,16 м от отверстия футляра фотоэлемента.

  3. Медленно менять положение лампочки от фотоэлемента в пределах от 0,16 м до 0,45 м, через каждые 0,05 м записывать значения тока Iн для каждого положения лампочки.

  4. Рассчитать относительные освещённости En по формуле (2). Все результаты занести в таблицу.

  5. Построить график зависимости тока насыщения Iн от относительной освещённости En.

N

d, м

IН, мкА

EN

1

2

3