12.7.2. Напівпровідникові оптичні підсилювачі

Напівпровідниковий оптичний підсилювач являє собою пристрій, в якому в якості активного середовища використовується напівпровідникова структура на основі кристалу (GaAl)As. Конструктивно активний елемент підсилювача виконується у вигляді кристалу прямокутної форми з геометричними розмірами не більшими кількох мм, що дозволяє легко інтегрувати такі підсилювачі в різні пристрої оптоелектроніки. Принцип роботи НПОП ґрунтується на явищі вимушеного випромінювання, яке виникає при взаємодії фотонів з електронно-дірковими парами активного середовища. Конструкція активного елемента НПОП на основі гетероепітаксіальної структури InGaAs-InP з квантово-розмірними шарами, які виготовляються методом гідридної епітаксії на підкладках p-InP і n-GaAs, для спектрального діапазону 840…1560 нм, зображена на рис.12.12.

Довжина елемента складає 600…1200 мкм, а ширина мезаполоски рівна 3 мкм. На передню і задню грані активного елемента наноситься багатошарове просвітлююче покриття з коефіцієнтом відбивання < 0,5%, щоб усунути додатній зворотній зв’язок. З такою ж метою, вхідна і вихідна грані можуть суміщатися з оптичними ізоляторами