6.4. Обозначение сигналов выходов микросхем
Наименование сигнала |
Обозначение |
|
международ |
отечественн |
|
Адрес |
А |
а |
Тактовый сигнал |
С |
Т |
Строб адреса столбца |
CAS |
CAS |
Строб адреса строки |
RAS |
RAS |
Выбор микросхемы |
CS |
ВМ |
Разрешение |
CE |
Р |
Запись |
WR |
ЗП |
Считывание |
RD |
СЧ |
Запись/считывание |
W/R |
ЗП/СЧ |
Разрешение записи |
WE |
- |
Разрешение по выходу |
OE |
- |
Данные |
D |
- |
Входные данные |
D1 |
Uвх н |
Выходные данные |
D0 |
Uвых н |
Адрес, данные, вход, выход |
AD/O |
- |
Регенерация |
REF |
Рег |
Программирование памяти |
PR |
ПР |
Стирание |
ER |
- |
Напряжение питания |
UCC |
Uнн |
Напряжение программирования |
UPR |
Uпр |
Общий вывод микросхем |
OV |
Общ |
Один вход данных DI и один выход DO указывает на одну – разрядную организацию микросхемы. Разрядность адреса А0 – А7 поэтому емкость памяти составляет 28 = 256 бит.
Для управления режимами существует вход CS, W/R. Условный знак в правом верхнем углу микросхемы говорит о том, что выход микросхемы при наличие на входе CS=1 находится в так называем третьем состоянии. В этом случае выход микросхемы является высокоомным, а выходное имеет уровень по величине равным половине наибольшего значения Uвых.
- выход с открытым эмиттером
- выход
с коллектором
По схемно-технологическим признакам микросхемы памяти представляют собой микросхемы, выполненные обычными методами: ТТЛ – логики, НДП – логики, ТТЛШ и т.д.
6.5. Запоминающие элементы памяти.
Запоминающими элементами памяти является триггер – статические элементы памяти.
Для записи слова имеющего n-разрядов
требуется n-подобных
элементов.
Линия разрешения записи
Запоминающее Усилитель записи Инвертор
слово
+Ек
Разрядная
линия ЛР1
VT1 VT2
Адресная
линия ЛА Э1
Усилитель считывания Линии
считывания
Режим хранения информации. Предположим, что в запоминающий элемент записан 0 -это значит, транзистор VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт. При хранении информации адресная линия имеет низкий потенциал и поэтому от “+” через VT1 на адресную линию протекает ток, дальше на землю. При записи выбирается элемент, а ток протекает через разрядную линию. При появлении сигнала на выходе усилителя записи разрядная линия получает высокий потенциал, если до этого транзистор VT1 находился в открытом состоянии, а VT2 в закрытом, то благодаря тому, что ЛР будет иметь низкий потенциал, откроется транзистор VT2 и закроется транзистор VT1.
Таким образом, данная ячейка памяти запишет 1.