
- •6 Семестр 2006 г.
- •Введение.
- •Основы взаимодействия электромагнитных волн и пучков частиц с веществом а. Энергетические спектры атомов и молекул
- •1. Квантование энергии частиц.
- •2. Энергетический спектр атома.
- •3. Эффект Зеемана и эффект Штарка.
- •4. Спектральный анализ.
- •5. Энергия и спектры молекул.
- •6. Рассеяние света атомами, молекулами и конденсированными средами.
- •Б. Взаимодействие электромагнитных волн с веществом.
- •1. Электромагнитные волны в веществе.
- •2. Поведение электромагнитных волн на границе раздела двух сред.
- •3. Спонтанное и вынужденное излучение света. Коэффициенты Эйнштейна.
- •4. Физические основы работы лазера и основные свойства лазерного излучения.
- •5. Понятие о нелинейных оптических процессах.
- •В. Взаимодействие рентгеновского излучения и пучков частиц с веществом.
- •1. Тормозное излучение.
- •2. Рентгеновское излучение. Рентгеновская трубка.
- •3. Рентгеновский структурный анализ вещества. Эффект Оже.
- •4. Волновые свойства микрочастиц. Длина волны де Бройля.
- •5. Электронная микроскопия и нейтронография.
- •Квантовая метрология.
- •1. Теоретические основы квантовой метрологии.
- •1. Стабильность элементарных частиц и независимость от времени фундаментальных
- •2. Соотношение Гейзенберга.
- •3. Измерения в квантовой механике.
- •2. Резонансные методы исследования вещества.
- •1. Диамагнитный резонанс.
- •2. Циклотронный резонанс.
- •3. Электронный парамагнитный резонанс.
- •4. Ядерный магнитный резонанс.
- •5. Эффект Мессбауэра.
- •3. Макроскопические квантовые эффекты в твердом теле.
- •1. Туннельный эффект.
- •2. Туннельные диоды. Автоэлектронная эмиссия. Пробой Зинера.
- •3. Сканирующий туннельный микроскоп. Зондовая микроскопия.
- •4. Размерные квантовые эффекты.
- •5. Квантовый эффект Холла.
- •4. Сверхпроводимость.
- •1. Явление сверхпроводимости.
- •2. Магнитные эффекты в сверхпроводниках.
- •3. Эффекты Джозефсона.
- •4. Сверхпроводящий квантовый интерференционный детектор (сквид).
5. Электронная микроскопия и нейтронография.
Волновые свойства микрочастиц используют для получения изображений малых объектов. Приведенная выше оценка длины волны де Бройля для быстрого электрона показывает, что с помощью потока электронов можно наблюдать дифракция (другими словами, создавать и наблюдать изображения) весьма малых объектов. Электронный микроскоп использует фокусирующие свойства магнитного поля (вопрос обсуждался при описании фокусирующей системы электронного осциллографа и электронно-оптических преобразователей), то есть включает в свое устройство магнитные и электростатические линзы. Пучок электронов, полученный с помощью разогретого катода, фокусируется и направляется на исследуемый объект, разные части которого по-разному поглощают или рассеивают электроны.
Если используется очень тонкий образец, можно получить теневое изображение, изображение «на просвет». Толстые образцы сканируются электронным пучком под некоторым углом, давая изображение в отраженном электронном пучке. Для получения изображения в электронном микроскопе используют электроны, длина волны которых значительно меньше размеров объекта, но больше размеров кристаллической решетки. В противном случае возникает помеха, связанная с дифракционными явлениями на решетке. После «контакта» с объектом пучок рассеянных электронов вновь фокусируется магнитными линзами для получения увеличенного изображения и направляется на фотопленку, либо светящийся экран.
Электронные микроскопы обладают очень высокими разрешающими способностями. Так, например, лучшие оптические микроскопы дают увеличение порядка 2000 и позволяют различать детали объекта порядка 0,25 мкм. Увеличение электронных микроскопов на несколько порядков выше (миллион и более раз). С помощью таких микроскопов можно различить детали размером 0,1 – 0,01 нм. Электронные микроскопы очень широко используют в металлургии, материаловедении, при производстве микросхем, в медицине и биологии. С их помощью удалось сделать микрофотографии вирусов и других микрообъектов.
К электронной микроскопии близко примыкает электронография. В этом методе используют дифракцию электронов на поверхностных слоях образцов. Благодаря сильному взаимодействию электронов с ядрами и другими (связанными) электронами, глубина их проникновения в вещество невелика и составляет величину порядка 10-8 м. За счет этого удается поводить изучение именно поверхностных слоев, что бывает важно для задач не только связанных со структурой образца, но также задач трения, износа и т.п.
Для изучения различных свойств твердых тел также применяется нейтронография. В этом методе также используются волновые свойства микрочастиц (нейтронов). В зависимости от энергии нейтронов (их можно замедлять до тепловых энергий, например, пропуская через парафиновые блока), они имеют различные сечения рассеяния на ядрах и проникают на различные глубины в вещество. С помощью метода нейтронографии можно изучать внутренние дефекты и структуру слоев вещества в несколько десятков сантиметров. Поскольку нейтроны не несут электрического заряда, но обладают спином, они не чувствительны к электрическим полям, однако испытывают воздействие магнитных полей. Вследствие этого нейтронография удобна для изучения особенностей магнитных материалов.