Содержание отчета

7.1 Наименование и цели работы.

7.2 Перечень приборов и оборудования.

7.3 Результаты измерений (таблицы 8.1, 8.2, 8.3, временные диаграммы по п. 6.20).

7.4 Ответы на контрольные вопросы (по заданию преподавателя).

7.5 Выводы по результатам измерений.

Контрольные вопросы

8.1 Как маркируется номер вывода микросхемы?

8.2 Как определить исправность ИМС?

8.3 Почему не все выводы микросхемы подключаются к внешним цепям?

8.4 Как определить напряжение смещения транзистора?

8.5 Каким образом можно изменить напряжение смещения?

8.6 Какие выводы можно сделать при анализе карты напряжений?

8.7 Перечислите преимущества полевых транзисторов перед биполярными.

8.8 О чем говорит равенство напряжений на эмиттере и коллекторе транзистора?

8.9 Как проверить работоспособность полевого транзистора?

8.10 С чем связано применение в оконечных каскадах усилителе звуковой частоты двухтактной схему включения транзисторов?

8.11 Какое напряжение смещения должно быть на детекторном диоде?

8.12 Каким образом производится преобразование частоты сигнала на полупроводниковом диоде?

СОДЕРЖАНИЕ ЗАЧЁТА

Студент должен знать: − схемы включения полупроводниковых транзисторов, их особенности;

• принцип работы исследуемого РПУ;

• конструкционные особенности РПУ.

Должен уметь:

• производить настройку исследуемого РПУ;

• производить регулировку режимов работы полупроводниковых приборов РПУ;

• оценивать работоспособность микросхем и всего РПУ.

10 Методические указания

10.1 Классификация и система обозначений интегральных микросхем

Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие, выполняющее преобразование или обработку сигнала (уси­ление, модуляцию, детектирование и др.). Она содержит большое число миниатюрных электрически соединенных между собой эле­ментов, расположенных на небольших расстояниях друг от друга и представляющих собой единое целое.

Интегральные микросхемы классифицируются по конструктивно-технологическому признаку, функциональному назначению и сте­пени интеграции.

Интегральная микросхема, предназначенная для выполнения сложных электронных функций (в качестве усилителя, радиоприем­ника и др.) с уровнем интеграции в несколько сотен и тысяч элемен­тов в одном корпусе, с минимально возможным количеством внешних выводов называется большой интегральной микро­схемой (БИС).

Система обозначения ИМС в соответствии с ОСТ 11 073.915—80 состоит из четырех элементов. Первый элемент — цифра, обозначающая конструктивно-технологическую особенность изготовления: 1, 5, 7 — полупроводниковые; 2, 4, 6, 8 — гибридные; 3 — прочие (пле­ночные, вакуумные, керамические); второй — число (от 0 до 99), обозначающее порядковый номер разработки серии микросхем; третий — две буквы, соответствующие подгруппе и функционально­му виду микросхемы; четвертый — порядковый номер разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии. После обозначения порядкового номера разработки может быть буква рус­ского алфавита от А до Я, указывающая на различие электрических параметров. Для ИМС, используемых в устройствах широкого при­менения, в начале обозначения добавляется буква К. Обозначение наносится на корпус микросхемы, имеющий ключ или специальную метку, относительно которых производится нумерация выводов. Например, К174УН4Б: К - микросхема широкого применения; 1 - группа конструктивно-технологического исполнения (полупро­водниковая); 74 - порядковый номер разработки данной серии микросхем; УН - функциональное назначение (усилитель звуковой частоты); 4 — условный номер разработки ИМС в данной серии по функциональному признаку; Б — буква, характеризующая отличие микро

схем данного типа от других этой серии по электрическим параметрам; К174 — серия ИМС.

Практика использования интегральных микросхем в БРЭА пока­зывает, что они очень чувствительны к воздействию температуры окружающей среды, электрических полей и механических усилий. Надежная работа ИМС обеспечивается строгим соблюдением мер, исключающих их повреждение из-за действия указанных факторов. При работе радиоаппарата следует обеспечивать условия для отвода от ИМС тепла, выделяемого нагревающимися элементами кон­струкции. Неправильное включение ИМС может вызвать неисправ­ность в ней при подаче на выводы даже небольших напряжений об­ратной полярности.

Проверку исправности ИМС начинают с измерения постоянных и импульсных напряжений на их выводах. Чтобы избежать случай­ных замыканий близко расположенных выводов микросхемы, реко­мендуется подсоединять щупы измерительных приборов не к этим выводам, а к связанным с ними печатным проводникам или к радио­элементу. Если результаты измерений отличаются от требуемых (более чем на 25%), то следует установить причину: дефекты в подсоединенных к ИМС радиоэлементах, отклонение их значений от номинальных, источник, откуда поступают необходимые импульсные и постоянные напряже­ния, или неисправность самой ИМС.

Нельзя проверять исправность ИМС методом замены, если для этой цели она должна быть выпаяна из печатной платы.

Выпаянную ИМС не рекомендуется устанавливать вновь, даже если проведенная проверка показала ее исправность. Такое требо­вание объясняется тем, что из-за повторного перегрева выводов не гарантируется ее безотказная работа.

10.2 Схемы включения биполярных транзисторов

Усилительный каскад содержит усилительный прибор (УП), цепи питания, нагрузку и цепи связи с последую­щим каскадом.

В качестве УП в транзисторных усилителях используются бипо­лярные и полевые транзисторы. Для биполярных транзисторов возможны три схемы вклю­чения, которые обладают способностью усиливать мощность (рисунок 8.1): с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и об­щим коллектором (ОК). Схемы отличаются способом включе­ния источника сигнала и нагрузки (R_н).

Для всех схем включения транзистора при отсутствии сиг­нала, подаваемого от источника (е_г), необходимо установить начальный режим по постоянному току - режим покоя. При этом эмиттерный переход должен быть открытым, а коллек­торный - закрытым. Для транзисторов p-n-p это дости­гается подачей отрицательного напряжения на коллектор (кол­лекторного напряжения U_к) и отрицательного напряжения на базу (напряжения смещения U_бэ).

Рисунок 8.1 − Схемы включения биполярных транзисторов:

а – с общим эмиттером;

б – с общей базой;

в – с общим коллектором.

Для транзисторов n-p-n полярность этих напряжений должна быть противоположной. Режим покоя транзистора определяется положением его рабо­чей точки, которое зависит от тока эмиттера I_э (практически равного току коллектора I_к и зависящего от U_бэ) и от напря­жения U_к.