Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Метод.ук.к лаб..docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
27.08.2019
Размер:
495.94 Кб
Скачать

6 Лабораторное задание

  1. Ознакомиться с лабораторной установкой и с используемыми в работе измерительными приборами.

  2. Изучить экспериментально особенности преобразования формы и спектра сигнала в безынерционном нелинейном элементе при гармоническом внешнем воздействии (на примере нелинейного резистивного усилителя).

  3. Исследовать экспериментально принцип и особенности работы нелинейного резонансного усилителя .

  4. Изучить принцип и особенности умножения частоты на основе нелинейного резонансного усилителя и характер зависимости энергетической эффективности умножения от угла отсечки тока.

  5. Ознакомиться с особенностями преобразования частоты на основе нелинейного резонансного усилителя.

7 Порядок выполнения работы

  1. Включить лабораторную установку и приборы.

  2. Для исследования процессов преобразования формы и спектра сигнала в схеме нелинейного резистивного усилителя при гармоническом внешнем воздействии необходимо: получить и зарисовать временные и спектральные диаграммы выходного напряжения (тока) при различных значениях напряжения смещения, соответствующих углам отсечки 1800 и 600 градусов.

Примечания:

  1. Частота входного сигнала устанавливается равной резонансной частоте колебательного контура – по максимуму напряжения на нем. При этом сопротивление Rш должно быть отключено.

  2. Необходимое напряжение смещения для соответствующего угла отсечки устанавливается с учетом заданной ВАХ транзистора и результатов расчета (смотри раздел 3). Допускается также оценка величины угла отсечки по временной диаграмме напряжения на сопротивлении нагрузки.

  3. Амплитуда входного сигнала при угле отсечки 1800 не должна превышать 1 В.

  1. Изучение особенностей нелинейного резонансного усиления. Данный пункт рекомендуется выполнять при угле отсечки примерно 900, для чего необходимо установить величину напряжения смещения Есм = UО. Амплитуда входного сигнала равна 2 В. Наблюдать и зарисовать временные и спектральные диаграммы сигналов:

  • тока стока транзистора – напряжения на активном сопротивлении нагрузки (кнопка "R вкл." нажата);

  • напряжения на выходе нелинейного резонансного усилителя – на контуре (кнопка "LC вкл" нажата) при отключенном сопротивлении .

  1. Изучение особенностей умножения частоты на основе нелинейного резонансного усилителя. Наблюдать и зарисовать осциллограммы и спектральные диаграммы тока стока транзистора и напряжения на контуре для двух случаев умножения частоты:

  • умножения в два раза;

  • умножения в три раза.

Необходимая частота входного сигнала fвх должна быть выбрана с учетом определенного выше значения резонансной частоты fрез колебательного контура и требуемого коэффициента умножения частоты, т.е. fвх = fрез / n (n – 2 и 3 соответственно).

Амплитуда подводимого гармонического сигнала – Umвх = 4 В, напряжение смещения на затворе транзистора выбирается из условия обеспечения оптимального угла отсечки для соответствующего коэффициента умножения (см. результаты расчета раздела 3).

Примечания:

  1. При выполнении пунктов 4 и 5 рекомендуется подстраивать частоту генератора (в небольших пределах), добиваясь максимального уровня напряжения сигнала на контуре.

  2. Осциллограммы и спектральные диаграммы тока нелинейного элемента и напряжения на выходе изображать под соответствующими диаграммами на входе с соблюдением масштабных соотношений по осям координат.

  1. При ознакомлении с преобразованием частоты необходимо получить и зарисовать спектральные диаграммы тока стока транзистора и напряжения на выходе для двух случаев преобразования частоты:

  • преобразование по частоте "вверх";

  • преобразование по частоте "вниз".

При преобразовании по частоте "вверх" частота fвх = 6 кГц, значение частоты второго генератора (гетеродина) fпр выбирается из условия, чтобы fвых = fвх + fпр совпала с резонансной частотой контура. При преобразовании по частоте "вниз" частота fвх принимается равной 22 кГц, а fпр выбирается из условия, чтобы fвых = fвх fпр была также равна резонансной частоте контура. Амплитуды обоих сигналов выбираются равными 1 В, напряжение смещения на затворе транзистора Eсм = –2 В.