46. Обозначения в сетях напряжением до 1000 в

Система IT

В системе IT нейтраль источника питания изолирована, а нетоковедущие части эл уст-к соединены с заземл устр-м

Система TN

В этой системе нейтраль источника питания глухо заземлена, а нетоковедущие части эл уст-к соединены с неытралью источника питания

PE-нулевой защитный провод

N- нулевой рабочий проводник

PEN- ф-ции нулевого защитного и нулевого рабочего совмещены в одном проводнике

Система TN-C

В этой системе нулевой защитный и нулевой рабочий проводники объединены по всей длине сети

Система TN-S

В этой системе нулевой защитный и нулевой рабочий проводники разъединены по всей длине сети

Система TN-C-S

В этой системе нулевой защитный и нулевой рабочий проводники объединены только в части сети, обычно вначале

47. Вывести зависимость стекания тока с одиночного заземлителя.

47. Замыканием на землю наз случайное эл соед токоведущих части эл установки с землей. Если эл установка соединена с заземляющим устройством, то происходит резкое снижение потенциала корпуса относительно земли.

Рассмотрим это на примере.

_{Допустим, что сопрат изоляции исправного вывода 1000 Ом, переходное сопративление заземляющего устройства 10 Ом, напряжение сети 220 В.}

_{В этом случаи корпус окажется под потенциалом заземляющего устройства равным:}

Р ассмотрим стекание тока в землю при замикании в эл устан на корпус на примере одиночного полусферического заземлителя.

В озьмем полусферический заземлитель радиусом r к которому приосед эл оборудование. В одном из эл аппаратов произошло замыкание фазы на корпус, в этом случаи с заземлителя будет стекать ток Iзам.

Для упрощения примем, что грунт однородный ρ=const. В этом случаи ток с поверхности заземлителя будет стекать во все стороны и плотность его будет уменьшаться по мере удаления от заземлителя.

Введем точку А на расстоянии Х от центра заземлителя. Она лежит на полуферической поверхности с этим радиусом.

Плотность тока, протекающий через эту поверхность будет равен:

Для определения потенциала в т. А выделим элементарный слой, толщиной dx. Падение напряжения в этом слое будет определяться напряжением эл поля в этом слое: dU = E*dx

Напряжение эл поля определяется из закона Ома в диф форме: E = j*ρ

Подставим и получим падение напряжения: dU=j*ρ*dx =

_{Проинтегрируем полученное выражение:}

_{UA= Полученное выражение – равносторонняя гипербола. Максимальным потенциалом будет иметь заземлитель Сопративление заземлителя .}