
- •Введение
- •4, Принцип работы лабораторного стенда.
- •5. Меры безопасности.
- •5.5. Включение питания лабораторного стенда и выполнение работ производить только после разрешения преподавателя.
- •5.7. Сборку и разборку схем лабораторных работ (рабочих схем) производить только при отключенном питании !
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы Лабораторная работа № 1 Исследование полупроводниковых диодов
- •Выполнение:
- •Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 2 Исследование биполярных транзисторов
- •Выполнение:
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование полевых транзисторов
- •Выполнение:
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование тиристоров
- •Выполнение:
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Литература
Выполнение:
Снять статические характеристики биполярного транзистора МП - 40 для схемы включения с ОБ.
Рис. 4
Установить сменную плату №5.
Использовать в качестве
РА1-ИВ;
РА2-АВМ1;
PU1-ABM2;
PU2-ИВ.
Используемый транзистор МП - 40 - германиевый, p-n-р типа.
В качестве генератора напряжения использовать ГН2.
Закоротить точки X1 и Х2.
Ручки регулирования ГТ и ГН2 установить в крайнее левое положение
Включить тумблер «сеть», переключатель ИВ установить на ГТ. Снять входную ВАХ транзистора для схемы с ОБ.
Установить ток ГТ = 0. Убедиться, что показание PU2 = 0 получается при UГH2 = 0 . Плавно увеличивая Uкб (ГН2), фиксировать ток IК по РА2.
Последовательно установить Uкб=0,5; 5; 12В. Изменяя ток эмиттера Iэ 0...5(мА), фиксировать значения Uэб(В).
Данные занести в табл.1.
Таблица 1
Iэ |
мА |
0 |
0.5 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Примечания |
|
Uэб |
В |
|
|
|
|
|
|
|
Uкб = 0,5В |
|
Uэб |
В |
|
|
|
|
|
|
|
Uкб = 5В |
|
Uэб |
В |
|
|
|
|
|
|
|
Uкб = 12В |
|
По полученным результатам построить входные характеристики Iэ=f(Uэб) пpи разных Uкб.
Привести генераторы в первоначальное положение.
Снять выходную ВАХ транзистора для схемы с ОБ.
Последовательно установить ток 1э=0,1; 0,2; 0,3; 1 (мА).
Изменяя напряжения Uкб=0; 1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8 В ,фиксировать ток Iк(мА).Данные занести в табл. 2.
Таб. 2
Ukб |
В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
Примечание |
Ik |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЭ=0.1 мА |
Ik |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЭ = 0,2 мА |
Ik |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЭ = 0,3 мА |
Ik |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IЭ = 1 мА |
Построить на одном графике выходные характеристики IK = f(Uкб) при разных значениях Iэ=const.
Снять статические характеристики биполярного транзистора
М
22
23
Рис.5
Установить сменную плату № 6. Использовать в качестве РА1 - ИВ (переключатель ИВ установить в положение ГТ);
РА2-АВМ2
РШ-АВМ1;
РШ-ИВ.
В качестве испытуемого прибора - транзистор МП - 40.
Закоротить точки XI и Х2.
Ручки регулирования ГТ и ГН2 установить в крайнее левое положение.
Привести генераторы в первоначальное положение.
Снять входную ВАХ транзистора в схеме ОЭ.
Последовательно установить Uкэ=0,5; 5; 12В. Изменяя ток Iб=0...0,7мА, фиксировать напряжение Uбэ(В). Данные занести в табл.3.
Таб. 3
-
Iб
мА
0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,7
Примечание
Uбэ
В
Uкэ = 0,5В
Uбэ
В
Uкэ = 5 В
Uбэ
В
Uкэ = 12В
По полученным результатам построить входные характеристики Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.
Привести генераторы в первоначальное положение. Снять выходную характеристику транзистора для схемы с ОЭ.
Последовательно установить Iб=0; 0,1; 0,ЗмА.
Изменяя напряжение Uкэ=1...7В, фиксировать ток Iк(мА).
Данные занести в табл.4.
Таб. 4
Uкэ |
В |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
Примечание |
Iк |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
Iб = 0 |
Iк |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
Iб = 0,1 мА |
Iк |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
Iб = 0,3 мА |
Построить вольт-амперные характеристики Iк=f(Uкэ)при Iб=const.
Для обеих схем включения транзисторов по построенным входным и выходным характеристикам рассчитать h-параметры.