
- •3.9 Варикапы
- •4 Биполярные дискретные транзисторы
- •4.1 Устройство и принцип действия транзисторов
- •4.2 Режимы работы биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Зависимость параметров транзистора от температуры
- •4.7 Входные и выходные характеристики транзистора с оэ и об
- •4.8 Эквивалентная схема эберса-молла
- •4.9 Малосигнальная эквивалентная схема
- •4.10 Эквиваентная схема в h- и у-параметрах
- •4.11 Температурные характеристики полевых транзисторов
- •5 Аналоговые усилительные устройства
- •5.1 Назначение и структурная схема усилителя
- •5.2 Классификация усилителей
- •Основные характеристики усилителей
- •5.4 Виды искажений сигналов в усилителях
- •5.5 Передаточная функция усилителя
- •5.6 Частотные характеристики усилителя
- •Частотная характеристика rc и cr-цепей
- •5.8 Цепь из последовательно соединенных r и l элементов
- •5.9 Резонансные цепи
- •5.9.1 Последовательный резонансный контур (рис.5.11)
- •5.9.2 Параллельный резонансный контур
- •5.11 Виды обратных связей в усилительных устройствах
- •При этой связи сигнал ос снимают с дополнительного измерительного элемента ( датчика тока rдт , включенного последовательно с нагрузкой).
- •5.12 Влияние ос на свойства усилителя
- •5.12.1 Входное сопротивление
- •5.12.2 Выходное сопротивление
- •Полоса усиливаемых частот
- •Коэффициент усиления
- •Влияние ос на искажения усилителя.
- •Устойчивость цепей с ос
- •5.13.1 Критерий Найквиста
- •Критерий устойчивости Гурвица
- •Критерии устойчивости Михайлова
- •Методы стабилизации рабочей точки
- •7 Структура и принцип действия тринистора
- •8 Структура и принцип действия симистора
- •9 Полевые транзисторы. Основные определения
- •9.1 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •9.3 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •9.5 Основные параметры
- •9.6 Обозначение и классификация биполярных
- •9.7 Свойства полевых транзисторов
7 Структура и принцип действия тринистора
Тринисторы – переключающие четырехслойные управляемые диоды, имеющие три вывода: анод А, катод К из крайних областей и управляющий электрод УЭ из средней области (рис.7.1).
При подаче на катод тиристора положительного потенциала, а на анод отрицательного, на переходе П2 появляется прямое, а на последовательных переходах П1 и П3 – обратное напряжение.
П
ри
этом через тиристор проходит малый
обратный ток(участок ветви ВАХ в III-м
квадранте) и он закрыт (рис. 7.2). При
изменении полярности (плюс на аноде и
минус на катоде) к переходу П2 прикладывается
запирающее
напряжение и тиристор также закрыт При отсутствии тока управления Iу
характеристика тринистора подобна характеристике динистора. Увеличение этого тока сопровождается уменьшением напряжения ("спрямлением" характеристики) в результате тиристор открывается. Ток управления IIIу , при котором характеристика окончательно выпрямляется, называется током спрямления.
По сравнению с динисторами, тринисторы обладают большим коэффициентом усиления по мощности (до 250000), меньшим временем переключения и более легким температурным режимом.
Тиристор открывается, когда к аноду прикладывается прямое напряжение (импульсное отпирающее напряжение Uот.U), что нежелательно, или при подаче управляющего напряжения на управляющий электрод. При этом через переход П3 будет проходить управляющий ток, который нейтрализует закрытый переход П2. При небольшом включающем напряжении тиристор открывается и от анода к катоду проходит прямой ток, который определяется сопротивлением внешней цепи.
На включение маломощных (Iоткр. До 100мА) тиристоров затрачиваются доли микросекунды; большой мощности (Iоткр.=10А) – (10-50)мкс, мощных (до сотни А) – (200-250)мкс.
8 Структура и принцип действия симистора
ВАХ этих тиристоров симметрична при изменении полярности напряжения на приборе. Симистор проводит большой ток в обоих направлениях (двунаправленный прибор). Симметричный динистор называют диаком, а симметричный тиристор – триаком. Структурная схема диака показана на рис. 8.1,а, ВАХ – на рис. 8.1,б.
Верхняя n3 – область и нижняя n1 – область являются укороченными и имеют общие металлические контакты (электроды Э1 и Э2) с соседними областями р2 и р1 соответственно. Когда на электроде Э1 положительное напряжение, а на электроде Э2 отрицательное, распределение напряжений будет такое, что переходы имеют включение: n3-p2-обратное, p2-n2-прямое, n2-p1-обратное, p1-n1-прямое. Т.к. переход n3-p2 имеет обратное включение, то ток через него пренебрежительно мал по сравнению с прямым током перехода n3-p2, можно пренебречь. При изменении полярности напряжения (в скобках) включения переходов следующие: n3-p2 прямое, p2-n2 обратное, n2-p1 прямое, p1-n1 обратное. В этом случае можно не учитывать шунтирующее влияние перехода p1-n1. Область p1 становится анодом, а n3 – катодом. Направление тока в цепи станет противоположным, но ВАХ останется практически прежней.
На основе пятислойной структуры n-p-n-p можно получить и управляемые симметричные триаки. Так, если управляющий электрод присоединить к базовой области n2, то прямой ветвью ВАХ можно управлять, подавая отрицательное напряжение относительно нижнего электрода. Включение прибора в обратном направлении осуществляется за счет подачи отрицательного относительно верхнего электрода напряжения на управляющий электрод.
Эти приборы не получили большого распространения, так как требуют две цепи управления: одну для прямого управления, а другую – для обратного.