2.3. Расчет величин сопротивлений уравнительных резисторов:

Принимаем допустимую разницу температур по паспортным данным на транзисторы КТ818Г (КТ819Г) ; ; , где - разброс характеристик транзистора по току силовой цепи.

Рисунок 3: Схема подключения уравнительных резисторов в выходной каскад.

Схема, показанная на рис.2 используется при конечной стыковке всего усилителя в целом и показывает расположение резисторов в выходном каскаде усилителя мощности. Так как при разработке используются комплементарные пары транзисторов, то данная схема будет такой же и у обратных транзисторов (“n-p-n”-переход).

Определяем допустимую величину отношения токов параллельно соединенных транзисторов:

Определяем входное сопротивление транзистора КТ818Г (КТ819Г) из следующих паспортных данных: при и :

.

Так как коэффициент усиления не указан в паспортных данных, то принимаем его . Определяем максимальное значение крутизны переходной характеристики :

Определяем уравнительное сопротивление :

.

Полученное сопротивление определяем по ряду номинальных значений в таблице Е24: 1,4

Исходя из полученного значения, выбираем непроволочный резистор Определяем реальную мощность резистора в схеме :

.

В связи с этим выбираем непроволочный резистор

2.4. Расчет величин термостабилизирующих резисторов выходного каскада:

Принимаем - коэффициент, учитывающий технологический разброс величин обратного тока; - масштабный коэффициент; - нормальная температура перехода (из справочных данных); .

Из паспортных данных на 2КТ818Б (2Т819Б) следует, что . По зависимости отношения токов , можно определить

Для определения величины внешнего резистора необходимо построить графически зависимости и .

Необходимые данные на транзисторы 2Т818Б-2Т819Б, полученные в результате расчетов в пунктах 2.1, 2.2 и 2.3: ; ; ; ; ; ; ; . Также определим эмпирический поправочный коэффициент и объемное сопротивление

Определим температурный потенциал :

Определим зависимости и из следующих формул:

, где - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой; и - ток и напряжение источника, где = = 0 при пассивном запирании транзистора. Отсюда, выводя , получаем формулу:

,

где аргумент функции изменяется в следующих пределах: .

;

Аргумент функции:

Формула КПД транзистора: , где нагрузочная мощность и потери мощность в каскаде (здесь - потери мощности в закрытом плече каскада, - потери мощности в открытом плече каскада):

;

, где

- потери во входной цепи.

- потери на эмиттерном сопротивлении.

- потери на открытом транзисторе.

;

Таблица 3: значения и от

, мА.
8	9,8	0,5730
16	139,5	0,7115
24	248,7	0,7131
32	423,1	0,7021
40	568,2	0,7099
48	723,5	0,7051
56	823,7	0,7021
64	1015,4	0,6998
72	1211,2	0,6971
80	1370,0	0,6943
88	1563,5	0,6912
96	1719,3	0,6889
104	1859,0	0,6873

Из таблицы №3 видно, что при

Из паспортных данных определяем максимально допустимое значение , которое может быть включено в цепь базы транзистора соответствующего типа:

Поскольку, условие выполняется и выбранное значение сопротивления не превышает максимально допустимое, то берем оптиимальное значение сопротивления, которое может быть включено в цепь базы данного транзистора.

Следовательно, окончательно принимаем .