11.3 Переходные процессы в схеме ключа
Качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии, а также скоростью перехода из одного состояние в другое.
Время включения определяется временем задержки включения и временем нарастания (рис.12.1) и обусловлено отставанием коллекторного тока от тока базы
tвкл = tзад + tнар,
а время выключения - временем рассасывания и временем спада
tвыкл = tрасс + tсп,
Рис.12.1
Задержка выключения обусловлена рассасыванием заряда неосновных носителей в базе (см. изменение полярности тока базы, задержка восстановления напряжения на коллекторе на рис.12.1).
Особенностью транзистора, работающего в ключевом режиме, является то, что значительная мощность выделяется на нем только в течение перехода из открытого состояния к запертому и обратно (на активном участке характеристики). Поэтому среднее за период значение мощности, рассеиваемой на транзисторе, мало, что позволяет допускать мгновенные значения токов коллектора и эмиттера в 2 - 3 раза больше паспортных, предельных для режима усиления значений, не опасаясь перегрева транзистора.