13.Туннельные диоды.

Т.д. - это п/п д-д, в принципе раб которых исп тунн эф преноса з-да ч/з потенц барьер р-n - перех.

Т.д. отлич-ся высокой конц носителей примесей (10¹⁹ атом/см³). Благодаря чему обедненный слой станов очень тонк это прив-т к появл тун эфф прох носит заряда ч/з р-n - перех.

ВАХ:

Т .эфф действ-ет от отриц напр до U_min, ч/з тун д-д протекает дифф ток, экспоненциально зависящий от прилон напр. Наклон падающ участка ВАХ опр вел-ну дифф отриц сопр тунн д-да: R_д=dU/dI≈∆U/∆I

Другими параметрами явл-ся:

-ток пика ВАХ I_max

-U_max cоотв напр

-I_min ток падения хар-ки

-U_min соотв напр.

-отношение К_i = I_max /I_min

-U_п - мах напр допуст при работе т.д. в схеме гене-ра

-С_д - емк диода.

Ток в т.д. созд-ся осн носит, поэтому прибор обл высоким быстродействием и может раб на частотах до сотен ГГц.

Т.д. хар-ся малой потр мощн, массой и габарит, уст-ю к радиации, малым темп коэфф напр и тока.

Схема замещ и генератор на его основе:

14.Диоды Шоттки.

Кроме полупроводниковых переходов сущ-ет также переход “металл-полупроводник”, который обозн-ся как m-p и m-n, в завис-ти от типа п/п-ка.

Осн-ые матем-е соотн-я получил для них немецкий ученый Шоттки, поэтому они названы в его честь, а потенциальный барьер на переходе “металл-полупроводник” наз-ся барьером Шоттки.

Прямой ток в них создается основными носителями заряда. Накопление заряда в базе отсутствует, а барьерная емкость мала (доли пикофарад).

За счет этого, предельная частота работы составляет 10 ГГц. Их исп-ют в качестве быстродейств логарифм эл-ов. Д.Ш. имеют U_обр до 500В, I_пр до 10А,U_пр≈0,3В, что озн-ет из высокий КПД; технолог их пр-ва дешевая, однако коммутируемый ими ток невелик, а допустимое обратное напряжение ограничено.

15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.Уго.

Биполярным транзистором наз-ся трехэлектродный полупроводниковый прибор, имеющий 2 ЭДП (электронно-дырочных перехода) и предназначеный для усиления мощности.

В завис-ти от чередования областей различают p-n-p и n-p-n. Их п/п структура и УГО:

Одну из крайних обл легируют п/п структуры сильнее чем другую. Ее исп для инжектирования носит заряда в средн обл и наз-ют эмиттером. Дру-гая крайн обл наз-ся коллектором, функц которого яв-ся сбор носит заряда, пошедших ч/з базовую обл. Пластина п/п явл основ конструкции и наз-ся базой. Переходы обр с базой наз-ся соотв эмиттерный(Э) и коллекторный(К). В обоих типах тр функц слоев и пр-осих действ аналог. Отличие их в том что измен тип носит заряда, приход в базу. В p-n-p –дырки, в n-p-n – эл-ны. Букв-цифр маркировка аналогична марк диода:

2)Буква Т - биполярные П - полевые

3)Цифра указ мощн и частотн св-ва :

Мал 1-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 2-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Р_к<0,3Вт 3-выс част с f_гр>30 МГц

Сред 1-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 2-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Рк=0,3-1,5Вт 3-выс част с f_гр>30 МГц

Больш 1-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 2-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Рк>1,5Вт 3-выс част с f_гр>30 МГц