- •1.Резисторы.
- •2.Катушки индуктивности.
- •3.Конденсаторы.
- •4.Полупроводники.
- •6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев
- •7.Емкость p-n-перех.
- •8.П/п.Диоды, схема замещ, классиф, уго.
- •9.Выпрямительные диоды.
- •10.Высокочастотные диоды.
- •11.Импульсные диоды.
- •12.П/п стабилитроны и стабисторы.
- •13.Туннельные диоды.
- •14.Диоды Шоттки.
- •15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.Уго.
- •16.Принцип действия транз-ра и его стат парам.
- •17.Схемы включения тр и дифференц парам-ры.
- •18. Статические вах тр-ра в схеме с об; модуляция шири-ны базы.
- •19. Статические вах тр-ра в схеме с оэ.
- •20. Схемы замещения транзисторов.
- •21. Усилители эл. Сигналов. Классиф-ция.
- •22. Характеристики и параметры усилителей.
- •23. Обратные связи в усилителях.
- •24. Усилитель на биполярном транзисторе на схеме с оэ.
- •25. Расчет усил-ля с оэ с помощью эквив-ной схемы в области средних частот.
- •26. Усилитель по схеме с об.
- •27. Усилитель по схеме с ок.
- •28. Многокаскадные усилители с r-c связью.
- •29. Усилители постоянного тока (упт).
- •30. Дифференциальные усилительные каскады.(дук)
- •31. Операционные усилители.(оу)
- •32. Основные хар-ки и пар-ры оу(Операционный усилитель).
- •33. Использование оу для реализации звеньев систем регулирования.
- •34. Инверт сумматор, интегратор, дифференциатор на оу.
- •35. Генераторы синусоидальных колебаний.
- •36. Частотно-зависимые rc- цепи и rc-генераторы на основе оу.
- •37. Импульсные сигналы (ис).
- •38. Ключевой режим работы транзистора.
- •39. Импульсный режим оу. Компараторы.
- •40. Триггер Шмитта на основе оу.
- •41. Симметричный мультивибратор на основе оу.
- •42. Несимметричный мультивибратор на основе оу.
- •43. Одновибраторы на основе оу.
- •44. Блокинг-генераторы.
- •46. Гпн со стабилизацией тока заряда.
- •47. Гпн на основе оу.
- •48. Полупроводниковые стабилизаторы напряжения (псн). Классификация и параметры.
- •49. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
- •50. Простейший транзисторный стабилизатор.
- •51. Построение регулирующих элементов псн.
- •52. Стабилизаторы напряжения на основе оу.
- •53. Двухполярные псн на основе оу.
- •54. Защита псн на основе оу от перегрузок по току и кз в нагрузке.
9.Выпрямительные диоды.
П/п.д., предназн для выпр перем тона низк частоты наз-ся выпрям.д. В них исп-ся асимметрия ВАХ р-n -перех. Выпр.д. пр мощн подразд на:
1)малой(Iпр до 300 мА, Uобр до 1,2 кВ)
2)средней(Iпр=0,3…10А, Uобр=1,2кВ)
3)большой мощн(Iпр до 1кА, Uобр до 3,5кВ)
Параметрами выпр.д. явл-ся:
1)Допустимый выпр ток(средн знач-е прям-го тока ), определ как допустимое среднее за период знач-е тока синусоидальной формы при работе цепи с част 50 Гц в заданном диапазоне температур.
2)Прямое падение U(Uпр на диоде при токе Iпр).
3)Max Uобр, классифицир при max раб t-ре.
4)Iобр, опр-ся при max раб t-ре и Uобр
Кремниевые д имеют по сравн с герм более высо- кую раб t-ру и Uобр, более низк цену и Iобр, но больш-ее прямое падение U.
Схема замещ имеет 2 эл-та: Rn и rб.
10.Высокочастотные диоды.
Всоко частотные диоды предн-ны для раб-ты в цепях с част тока до сотен МГц, они подр-ся на :
1)Детекторные - исп-е для выдел-я низкочастотного сигнала из модулированного колебания.
2)Смесительные - предназн для изм несущей частоты модулированного колебания.
3)Модуляторные - использ для модуляции высокочастотных колебаний.
Для изготовл всоко частотных диодов исп-ся спец технологии позвол-е ↓ емкость д-да Cд. Параметрами этих диодов, кроме указ для выпрям диодов явл-ся предельная раб частота. Схема замещ: Rn, rб, Сд, Сб, Lв.
11.Импульсные диоды.
Они предназн для работы в качестве ключа с двумя состояниями: открыт- когда R д мало, закрыт– когда R д велико. Время перехода из одного сост в другое опр-ся быстродействием аппаратуры с этими д-ми.
Длительность процесса перекл имп.д. из закр сост в откр опр временем накопл необх конц неравновесн-ых носителей в близких к p-n-переходу слоях за счет их дифф ч/з переход. В рез-те прям напр на д при его отпирании Uпримп имеет > вел-ну, чем в установ режиме Uпр. Это наз-ся имульсн прям напряж-ем д-а, а интервал времени в теч которого U на д-де уст от Uпримп до 1,1Uпр наз-ся временем установления,tуст.
Переключение д-да из отк сост во вкл сост хар-ся резким увел обр тока до величины Iобримп и наличием интервала t изм обр тока до низк знач-я. Это обусл-но стягиванием неосн носит-ей заряда обратно в р-n-переход под действ обр напр-я и их рекомбинацией с осн носителями з-да. Временем восст-я аппаратно-го сопр-я tвос наз-ся интервал времени от момента прохождения тока ч/з 0 после перекл диода с задан-ного Iпр на заданное Uобр до мом-та достиж-я Iобр зад-анного низкого значения. По tвос имп. диоды дел на:
-высокого быстродействия tвос<10мс
-среднего быстродействия 10мс<tвос<100мс
-низкого быстродействия tвос>100мс
12.П/п стабилитроны и стабисторы.
Д-ды в кот исп св-во незначительного изм аппарат-ного напр-я на p-n - пререходе при электр(лавинном или туннельном) пробое наз-ся п/п стабилитроном.
ВАХ:
Рабочим участком ВАХ п/п. стаб. явл-ся уч-к 1-2 обр ветви хар-ки. Осн парам-ми явл :1)U стабилизац
Uст; 2)Min тол стабилиз Iст min; 3)Мах ток стаб Iст мах;
4)Динамическое или дифференц-е сопротивл-е Rд;
5)Прямое сопр Rпр; 6)Темпер коэфф напряж стаб (ТКН).
Напряж стаб в совр стабилитроне и стабисторе лежит в пределе от 0,7 до 180 В. Min ток стаб Iст min
может изм от 10-х долей до 180В. Iст max огр-ся допус-тимой мощностью рассеивания и м/б от 2мА до 1,5мА
Rд хар-ет наклон раб точки учс-тка.(1-2): Rд=d/d(I)≈∆Uст/∆Iст
Прямое сопр в раб точке А опре по ф-ле: Rн=UaIа
ТКН хар-ет измен Ucт в % при изм t-ры окр среды на 10С.Он может сост то 0,0005 до 0,2 %.
Стабилитроны прим в схемах || стаб U.Раб точка п/п. стабистора обычно выбир в сер уч-ка 1-2: Iст=(Icт min+Iст мах)/2. Для данной схемы можно сост Ур-е Кирхгофа.(по 2-3 з-ну): Е=Rб/(Iп+Iуст)+Uст.
найдем изм напр стабил-ции при изм напр ист пит-я:
∆Е=∆Uст+Rб(∆Iп+∆Icт)=∆Ucт+Rб(∆Ucт/Rп+∆Uст/Rд)
∆Uст=∆Е/(1+Rб/Rп+Rб/Rд); Rб/Rд>>1, получим ∆Uст<<∆Е ,т.е. напр на нагр и стабил-не измен знач-но < чем напр исп пит. При измен Rп измен Iп на вел-ну ∆Iп; тогда при Е=const ∆I0=∆Iп-∆Iст при этом изм напр стаб-ции : ∆Uст=Rб(∆Iп-∆Iст)=Rб(∆Iп-∆Uст/Rд)
∆Uст=RбIп/(1+ Rб/Rд) =>чем ↑ отклонение Rб/Rд тем ↑стабилизация напр на нагр-ке. Однако при очень >Rб расс мощн на нем так же увел, падает КПД. устройства.
Стабилитр исп для стабил низк напр. Они раб на прямой ветви ВАХ. ЭДП.