6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев
При значит ↑ Uобр возн-ет быстр рост Iобр(А). Это явл-е наз-ся пробоем ЭДП. Различают тепловой и эл пробой, а эл пробой разд на лавинный и туннельный.
Тепл пробой возн-ет за счет интенсивн термогенер-ации носителей в p-n - перех при недопуст ↑ t. Про- цесс развивается лавинообразно, т.к. ↑ числа носителей заряда за счет ↑ t вызывает рост Iобр и еще >разогрев участка ЭДП. Процесс заканчивается расплавлением этого участка и выходом прибора из строя(участок В-Г)
Лавинный проб обусловл лавинным размнож носи-телей в p-n - перех, в рез-те ударн ионизации атомов быстрыми носителями заряда под действием больш Uобр. Лав проб (участок АБ) возн в толстых p-n - перех где э-ны успевают разогнаться и в тоже время встретится с большим количеством атомов.
Туннельный проб хар-ся отрывом валентных э-ов от атомов п/п под действ сильного эл поля. Тун проб разв в тонких p-n - перех, где при небольш Uобр имеет место высокая направленность поля(участок АВ).
Л и Т пробои явл-ся обратными процессами.
7.Емкость p-n-перех.
Емкость p-n - перех обр так назыв барьерной и дифф емкостями.
Барьерная емк Сб хар-ся сосредоточением по обе стороны границы раздела р и n слоев объемных зар-ядов, создаваемых ионами примес. Наличие бар емк. обуславл протекание тока ч/з ЭДП при изм U на нем Величина Сб опр-ся соотношением: Сб=dQ/dU.
Вел-на Сб завис от площади р-n - перех и м/б до 10-ов и 100-тен пФ. Это физ явл, т.е. зависимость Сб отUобр исп-ся в варикапах, прим-х в качестве конденсаторов перем емк, управл U.
Дифф емк Сдиф обусл изм суммарных зарядов нерав-новесных э-ов и дырок, соотв-но в р и n обл в рез-те изм U на ЭДП. Эти заряды созд-ся за счет дифф нос-ителей ч/з ЭДП, поэтому Сдиф обр при Uпр на нем. Величина Сдиф завис от протек ч/з перех Iпр и может составл 100-ни и 1000-чи пФ,т.е. Сдиф>>Сб Т.о. при прямом смещении ЭДП его емк опр в основном Сдиф, а при обр, когда Сдиф=0,-барьерной емк Сб.
8.П/п.Диоды, схема замещ, классиф, уго.
П/п.диодом наз-ся двухэлектродный прибор, осно-ву которого сост p-n-структура с р и n обл-ми раздел-ми ЭДП. При произв-ве д ,одну из обл легируют >,и она имеет > конц осн носит заряда (обычно p-обл) и обозн как р+. Эту обл наз-ют- эмиттером, а другую – базой. р-n - перех с неодинаковой конц примесей наз-ся несимметричным и обозн (р+-n).
При
расчете эл схем с п/п.д. возникает необх
в уче-те всех парам-в д. С этой целью
исп-ся схема замещ:
Элем
схемы зам явл-ся:
Сд-емк диода = сумм Сб и Сдиф, и завис от режима работы
Сд=Сб+Сдиф; R - интегр сопр перех, опр по ВАХ диода
rб-распределенное эл сопр базы д ,его электродов и выводов. В точных расчетах учитыв-ся емк м/у выв-одами Св, их индуктивность Lв, входн Свх и выходн Свых емк-ти д относ-но общей шины устр-ва.
Типы диодов:
-выпрямительные
-высокочастотные
-импульсные
-стабилитроны и стабисторы
-варикапы
-туннельные
-обращенные
-двухбазовые
-диоды Шотки
-светодиоды
-фотодиоды
УГО:
-высокочаст
и выпрямит.
-стабилитрон.
-варикап.
-туннельный
диод.
-диод
Шоттки.
-обращенный
диод.
-двухбазовые.
Букв цифр маркировка д состоит из неск эл-ов:
1)Буква или цифра обозн материал:
Г или 1-Ge, К или 2-Si, А или 3-соед Ga, И или 4-In.
2)Буква обозн подкласс д.
Д - выпрям, импульсн, магнитодиоды
Ц - выпрям столбы и блоки, мосты.
С - стабилитроны и стабисторы
В - варикапы, Л - светодиоды, И - туннельные
А - СВЧ диоды.
3)Цифра обозн подкл по частоте раб и расс мощн-ти
4)5)6)Цифры и буквы обозн № разработки,а для ста-билитр и стабисторов U стабилизации и последов-ть разработки.
7)Буква опр-ая различия в параметрах
Пример: КД2102А