- •1.Резисторы.
- •2.Катушки индуктивности.
- •3.Конденсаторы.
- •4.Полупроводники.
- •6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев
- •7.Емкость p-n-перех.
- •8.П/п.Диоды, схема замещ, классиф, уго.
- •9.Выпрямительные диоды.
- •10.Высокочастотные диоды.
- •11.Импульсные диоды.
- •12.П/п стабилитроны и стабисторы.
- •13.Туннельные диоды.
- •14.Диоды Шоттки.
- •15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.Уго.
- •16.Принцип действия транз-ра и его стат парам.
- •17.Схемы включения тр и дифференц парам-ры.
- •18. Статические вах тр-ра в схеме с об; модуляция шири-ны базы.
- •19. Статические вах тр-ра в схеме с оэ.
- •20. Схемы замещения транзисторов.
- •21. Усилители эл. Сигналов. Классиф-ция.
- •22. Характеристики и параметры усилителей.
- •23. Обратные связи в усилителях.
- •24. Усилитель на биполярном транзисторе на схеме с оэ.
- •25. Расчет усил-ля с оэ с помощью эквив-ной схемы в области средних частот.
- •26. Усилитель по схеме с об.
- •27. Усилитель по схеме с ок.
- •28. Многокаскадные усилители с r-c связью.
- •29. Усилители постоянного тока (упт).
- •30. Дифференциальные усилительные каскады.(дук)
- •31. Операционные усилители.(оу)
- •32. Основные хар-ки и пар-ры оу(Операционный усилитель).
- •33. Использование оу для реализации звеньев систем регулирования.
- •34. Инверт сумматор, интегратор, дифференциатор на оу.
- •35. Генераторы синусоидальных колебаний.
- •36. Частотно-зависимые rc- цепи и rc-генераторы на основе оу.
- •37. Импульсные сигналы (ис).
- •38. Ключевой режим работы транзистора.
- •39. Импульсный режим оу. Компараторы.
- •40. Триггер Шмитта на основе оу.
- •41. Симметричный мультивибратор на основе оу.
- •42. Несимметричный мультивибратор на основе оу.
- •43. Одновибраторы на основе оу.
- •44. Блокинг-генераторы.
- •46. Гпн со стабилизацией тока заряда.
- •47. Гпн на основе оу.
- •48. Полупроводниковые стабилизаторы напряжения (псн). Классификация и параметры.
- •49. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
- •50. Простейший транзисторный стабилизатор.
- •51. Построение регулирующих элементов псн.
- •52. Стабилизаторы напряжения на основе оу.
- •53. Двухполярные псн на основе оу.
- •54. Защита псн на основе оу от перегрузок по току и кз в нагрузке.
46. Гпн со стабилизацией тока заряда.
Для из (3) , что необходимо задержать конденсатор постоянным во времени током. Для этого в цепи заряда конденсатора устанавливается токостабилизирующий элемент, выполняемый обычно транзистором, включенным по схеме с ОБ или ОЭ. Принцип стабилизации тока основан на свойствах коллекторных ВАХ транзистора, согласно которым IK, т.е. ток заряда, слабо зависит от напряжения UКБ или UКЭ и IЭ = const или IБ = const. Схемы со стабилизацией тока заряда позволяют полнее использовать напряжение питания. При этом UM близко к ЕК, а достаточно мал.
Примером построения такого ГПН является схема:
В этой схеме с помощью стабилитрона VD1и резистора RЭ задается постоянный ток эмиттера VT2.
и соответственно ток заряда конденсатора С: .
В интервале tП транзистор VT1 открыт и насыщен через резистор R1 и через него протекает ток IK1 = IK2, а напряжение на конденсаторе С близко к 0. При воздействии входного напряжения отрицательной полярности VT1 заперт, ток iCзар = IK2, а линейно увеличивается. Величина отношения IK2 / C выбирается из требований к значению UM. При UM приблизительно равном ЕК получаем: . При холостом ходе ГПН линейность выходного напряжения очень велика.
При подключении нагрузки часть зарядного тока будет ответвляться в цепь RH, причем с увеличением UC этот ток будет расти. Поэтому подключение нагрузки вызывает существенное снижение линейности напряжения и уменьшение амплитуды UM. Поэтому такие схемы применяют с высокоомной нагрузкой, либо подключают через эмиттерный или истоковый повторитель.
47. Гпн на основе оу.
В настоящее время генераторы с малым коэффициентом нелинейности (менее 0,01) и низкоомным выходом строятся на основе ОУ, включенных, как правило, по схеме интегратора. Одна из таких схем и диаграммы ее работы имеют вид:
В этой схеме выходное напряжение представляет собой усиленное операционным усилителем напряжение на конденсаторе С. ОУ охвачен как ООС (R1, R2, источник Е0), так и ПОС (R3, R4, источник Е3). Управление работой ГПН осуществляется с помощью транзистора VT1 c напряжением UКЭ нас приблизительно = от 50 до 300 мкВ. При подаче на его базу входного импульса UBX длительностью tП (рис. 2б) транзистор насыщается, конденсатор С разряжается практически до 0 в течение времени обратного хода tOX (рис. г). В интервале tPX = t2 – t1 ОУ работает в линейном режиме. При допущении, что UДИФ = U0 = 0, имеем: U- = U+ = UC. Тогда для протекающего по цепи ООС тока справедливо: , откуда: (4). Сумма токов в цепи ПОС равна нулю, поэтому (5). Подставим (4) в (5) с учетом того, что , получим: (6). Линейность UC зависит от соотношения сопротивлений резисторов, определяющих сомножитель при UC в (6). При R3 > (R1R4) / R2 и R3 < (R1R4) / R2 кривая напряжения UC получается соответственно вогнутой или выпуклой формы, а при R2 / R1 = R4 / R3 (7) напряжение на конденсаторе изменяется линейно во времени: (8) Выражение (8) с учетом (7) имеет вид: (9).
Отсюда следует, что для схемы на рис.2 ЕЗ > E0, поэтому получается нарастающее линейное напряжение.