
- •1.Резисторы.
- •2.Катушки индуктивности.
- •3.Конденсаторы.
- •4.Полупроводники.
- •6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев
- •7.Емкость p-n-перех.
- •8.П/п.Диоды, схема замещ, классиф, уго.
- •9.Выпрямительные диоды.
- •10.Высокочастотные диоды.
- •11.Импульсные диоды.
- •12.П/п стабилитроны и стабисторы.
- •13.Туннельные диоды.
- •14.Диоды Шоттки.
- •15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.Уго.
- •16.Принцип действия транз-ра и его стат парам.
- •17.Схемы включения тр и дифференц парам-ры.
- •18. Статические вах тр-ра в схеме с об; модуляция шири-ны базы.
- •19. Статические вах тр-ра в схеме с оэ.
- •20. Схемы замещения транзисторов.
- •21. Усилители эл. Сигналов. Классиф-ция.
- •22. Характеристики и параметры усилителей.
- •23. Обратные связи в усилителях.
- •24. Усилитель на биполярном транзисторе на схеме с оэ.
- •25. Расчет усил-ля с оэ с помощью эквив-ной схемы в области средних частот.
- •26. Усилитель по схеме с об.
- •27. Усилитель по схеме с ок.
- •28. Многокаскадные усилители с r-c связью.
- •29. Усилители постоянного тока (упт).
- •30. Дифференциальные усилительные каскады.(дук)
- •31. Операционные усилители.(оу)
- •32. Основные хар-ки и пар-ры оу(Операционный усилитель).
- •33. Использование оу для реализации звеньев систем регулирования.
- •34. Инверт сумматор, интегратор, дифференциатор на оу.
- •35. Генераторы синусоидальных колебаний.
- •36. Частотно-зависимые rc- цепи и rc-генераторы на основе оу.
- •37. Импульсные сигналы (ис).
- •38. Ключевой режим работы транзистора.
- •39. Импульсный режим оу. Компараторы.
- •40. Триггер Шмитта на основе оу.
- •41. Симметричный мультивибратор на основе оу.
- •42. Несимметричный мультивибратор на основе оу.
- •43. Одновибраторы на основе оу.
- •44. Блокинг-генераторы.
- •46. Гпн со стабилизацией тока заряда.
- •47. Гпн на основе оу.
- •48. Полупроводниковые стабилизаторы напряжения (псн). Классификация и параметры.
- •49. Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
- •50. Простейший транзисторный стабилизатор.
- •51. Построение регулирующих элементов псн.
- •52. Стабилизаторы напряжения на основе оу.
- •53. Двухполярные псн на основе оу.
- •54. Защита псн на основе оу от перегрузок по току и кз в нагрузке.
46. Гпн со стабилизацией тока заряда.
Для
из
(3)
,
что необходимо задержать конденсатор
постоянным во времени током. Для этого
в цепи заряда конденсатора устанавливается
токостабилизирующий элемент, выполняемый
обычно транзистором, включенным по
схеме с ОБ или ОЭ. Принцип стабилизации
тока основан на свойствах коллекторных
ВАХ транзистора, согласно которым IK,
т.е. ток заряда, слабо зависит от напряжения
UКБ или UКЭ
и IЭ = const
или IБ = const.
Схемы со стабилизацией тока заряда
позволяют полнее использовать напряжение
питания. При этом UM
близко к ЕК, а
достаточно мал.
Примером построения такого ГПН является схема:
В
этой схеме с помощью стабилитрона VD1и
резистора RЭ задается
постоянный ток эмиттера VT2.
и соответственно
ток заряда конденсатора С:
.
В
интервале tП
транзистор VT1 открыт и
насыщен через резистор R1
и через него протекает ток IK1
= IK2,
а напряжение на конденсаторе С близко
к 0. При воздействии входного напряжения
отрицательной полярности VT1
заперт, ток iCзар
= IK2,
а
линейно увеличивается. Величина отношения
IK2
/ C выбирается из требований
к значению UM.
При UM
приблизительно равном ЕК
получаем:
.
При холостом ходе ГПН линейность
выходного напряжения очень велика.
При подключении нагрузки часть зарядного тока будет ответвляться в цепь RH, причем с увеличением UC этот ток будет расти. Поэтому подключение нагрузки вызывает существенное снижение линейности напряжения и уменьшение амплитуды UM. Поэтому такие схемы применяют с высокоомной нагрузкой, либо подключают через эмиттерный или истоковый повторитель.
47. Гпн на основе оу.
В настоящее время генераторы с малым коэффициентом нелинейности (менее 0,01) и низкоомным выходом строятся на основе ОУ, включенных, как правило, по схеме интегратора. Одна из таких схем и диаграммы ее работы имеют вид:
В
этой схеме выходное напряжение
представляет собой усиленное операционным
усилителем напряжение на конденсаторе
С. ОУ охвачен как ООС (R1,
R2, источник Е0), так
и ПОС (R3, R4,
источник Е3). Управление работой
ГПН осуществляется с помощью транзистора
VT1 c напряжением
UКЭ нас приблизительно
= от 50 до 300 мкВ. При подаче на его базу
входного импульса UBX
длительностью tП
(рис. 2б) транзистор насыщается, конденсатор
С разряжается практически до 0 в течение
времени обратного хода tOX
(рис. г). В интервале tPX
= t2 – t1
ОУ работает в линейном режиме. При
допущении, что UДИФ
= U0 = 0, имеем: U-
= U+ = UC.
Тогда для протекающего по цепи ООС тока
справедливо:
,
откуда:
(4). Сумма токов в цепи ПОС равна нулю,
поэтому
(5). Подставим (4) в (5) с учетом того, что
,
получим:
(6). Линейность UC
зависит от соотношения сопротивлений
резисторов, определяющих сомножитель
при UC
в (6). При R3 > (R1R4)
/ R2 и R3 <
(R1R4) / R2
кривая напряжения UC
получается соответственно вогнутой
или выпуклой формы, а при R2
/ R1 = R4 / R3
(7) напряжение на конденсаторе изменяется
линейно во времени:
(8) Выражение (8) с учетом (7) имеет вид:
(9).
Отсюда следует, что для схемы на рис.2 ЕЗ > E0, поэтому получается нарастающее линейное напряжение.