Задание Тема: Магнитные материалы

 

Для уменьшения потерь на вихревые токи магнитопроводы трансформаторов изготавливают из магнитных материалов с …

			высоким удельным электрическим сопротивлением
			высокой удельной электропроводностью
			низкой плотностью
			высокой коэрцитивной силой

 

Решение: Для уменьшения потерь на вихревые токи магнитопроводы трансформаторов изготавливают из магнитных материалов с высоким удельным электрическим сопротивлением.

 

Задание Тема: Диэлектрические материалы

 

Ширина запрещенной энергетической зоны в диэлектриках составляет______эВ.

			более 3,0
			0,05–3,0
			8,0–15,0
			0–0,05

 

Решение: В соответствии с зонной теорией твердого тела ширина запрещенной энергетической зоны в диэлектриках составляет более 3,0 эВ. Колесов, С. Н. Материаловедение и технология конструкционных материалов : учеб. / С. Н. Колесов, И. С. Колесов. – М. : Высшая школа, 2004. – 519 с. Материаловедение. Технология конструкционных материалов : учеб. / под ред. В. С. Чередниченко. – М. : ОМЕГА-Л, 2007. – 752 с.

 

Задание Тема: Проводниковые материалы

 

В результате холодной пластической деформации удельное электрическое сопротивление металлического проводника …

			увеличивается
			уменьшается
			не изменяется
			сначала увеличивается, затем уменьшается

 

Решение: В результате холодной пластической деформации удельное электрическое сопротивление металлического проводника увеличивается. Колесов, С. Н. Материаловедение и технология конструкционных материалов : учеб. / С. Н. Колесов, И. С. Колесов. – М. : Высшая школа, 2004. – 519 с. Материаловедение. Технология конструкционных материалов : учеб. / под ред. В. С. Чередниченко. – М. : ОМЕГА-Л, 2007. – 752 с.

 

Задание Тема: Полупроводниковые материалы

 

Если в кристаллическую решетку четырехвалентного кремния ввести примесь элемента третьей группы, например, галлия, в полупроводнике возникнет ____ проводимость.

			дырочная
			электронная
			собственная
			ионная

 

Решение: Если в кристаллическую решетку четырехвалентного кремния ввести примесь элемента третьей группы, например, галлия (акцепторную примесь), такой примесный атом может захватывать электрон из валентной зоны. При этом в валентной зоне возникает «дырка». Такой полупроводник будет иметь дырочную проводимость (проводник р-типа).

 

 

Преподаватель: [S][E][G][E]  Специальность: 140211.65 - Электроснабжение  Группа: AlphaOmega  Дисциплина: Материаловедение. Технология конструкционных материалов  Логин: 02ps708513  Начало тестирования: 2011-10-14 22:55:37  Завершение тестирования: 2011-10-14 22:55:44  Продолжительность тестирования: 0 мин.  Заданий в тесте: 16  Кол-во правильно выполненных заданий: 0  Процент правильно выполненных заданий: 0 %