4. Определение степени насыщения транзисторов.
Для всех транзисторов, кроме транзистора, получающего сигнал от ТТЛ-входа, степень насыщения определяется, как
При определении значения виртуального тока IKV следует принимать во внимание наличие элементов в эмиттерной цепи и состояние, в котором они находятся. Например,
значение IKV для VT2 в схеме на Рис.3:
значение IKV для VT3 в схеме на Рис.4:
У транзистора, получающего входной сигнал от ДТЛ-входа, например, VT2 и VT5 на Рис.1, ток базы при "1" на всех входах группы рассчитывается
У транзистора, получающего входной сигнал от ТТЛ-входа, например, VT1 и VT2 на Рис.3, ток базы при "1" на всех входах группы рассчитывается
Ток базы транзистора VT2 – это ток коллектора VT1, который включен в инверсном режиме UBE<0, UBK>0.
В свою очередь, ток базы входного транзистора VT1 на Рис.3
Внимание!!!
Определенные трудности возникают при расчете значений токов в выходном транзисторе, т.к. на схеме выход "висит в воздухе". При расчете задания принимается, что к выходу каждой схемы подключен вход аналогичной схемы, как это бывает в реальных устройствах.
При
через выходную цепь протекают следующие
токи.
для ДТЛ-входа, схема на Рис.1:
для ТТЛ-входа, схемы на Рис2 ÷ Рис4:
5. Расчет потребляемой мощности.
После расчета всех токов и напряжений для каждой комбинации д.б произведен расчет мощности, потребляемой всеми элементами схемы.
Расчет мощности производится в следующем порядке:
мощность, потребляемая резистором –
,мощность, потребляемая диодом в открытом состоянии -
,мощность, потребляемая транзистором в режиме насыщения -
,мощностью на транзисторе в отсечке и закрытом диоде – пренебречь,
при расчете мощности, потребляемой транзисторами выходного каскада принять, что в качестве нагрузки присутствует входной каскад аналогичного устройства.
Приняв появление всех рассмотренных комбинаций равновероятным во времени, определить среднюю потребляемую мощность.
ВСЕ РАСЧЕТЫ ПРОВОДИТЬ С ТОЧНОСТЬЮ ДО 1% !!!