
- •1.Энергитический спектр электронов твердых телах и каков его характер
- •2.Энергитические диаграммы твердых тел
- •3.Энергитическая диаграмма собственного полупроводника Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
- •4.Энергитическая диаграмма примесного полупроводника Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.
- •5.Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника.
- •7.Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
- •9.Образование р-п-перехода. Контактная разность потенциалов.
- •10. Прямое включение р-п-перехода.
- •11.Обратное включение p-n-перехода
- •12. Вах p-n-перехода
- •13. Пробои p-n-перехода. Виды пробоев.
- •14. Емкости p-n-перехода.
- •15. Выпрямительные диоды и их параметры.
- •16. Полупроводниковые стабилитроны и их параметры
- •17. Варикапы и их параметры
- •18. Туннельные и обращенные диоды и их параметры
- •19.Устройство и принцип действия Биполярного транзистора
- •20. Схемы включения Биполярного транзистора
- •21. Статистические характеристики транзистора в схеме с общей базой
- •22. Статистические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
- •23. Принцип работы транзисторного усилителя
- •24. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом. Статические характеристики.
- •25. Мдп-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики.
- •26. Полевые транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики.
- •27. Диодный тиристор. Структура и принцип работы
- •28. Триодный тиристор. Структура и принцип работы.
- •29. Топология и структура многоэмиторного и многоколлекторного транзистора
- •30. Полупроводниковые резисторы: Варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики.
- •31. Фотодиоды и светодиоды. Структуры и схемы подключений
- •32. Интегральные микросхемы. Классификация признаки и деление имс на классы.
27. Диодный тиристор. Структура и принцип работы
Она представляет собой четырёхполюсный p-n-p-n прибор, содержащий три последовательно соединённых p-n переходаJ1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называетсяанодом, к внешнему n-слою —катодом. В общем случае p-n-p-n прибор может иметь два управляющих электрода (базы), присоединённых к внутренним слоям. Прибор без управляющих электродов называетсядиодным тиристором (или динистором)
Принцип работы
Тиристор имеет два силовых контакта, пропускающих рабочий ток (катод и анод) и могут иметь управляющий электрод. Тиристор может находиться в двух состояниях: закрытом и открытом. Эти состояния обладают существенно различным сопротивлением между силовыми электродами. В закрытом состоянии сопротивление велико и ток через тиристор не идёт. Открывается тиристор при достижении между силовыми электодами напряжения открывания или током на управляющем электроде. В открытом состоянии сопротивление тиристора резко падает и он проводит ток. Закрытие тиристора происходит при отключении тока или смене его знака.
28. Триодный тиристор. Структура и принцип работы.
Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором (или просто тиристором).
См. выше
29. Топология и структура многоэмиторного и многоколлекторного транзистора
30. Полупроводниковые резисторы: Варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики.
Варистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения и, обладающий нелинейной симметричной вольт – амперной характеристикой (ВАХ).
Варисторы изготавливают методом керамической технологии, т.е. путем высокотемпературного обжига заготовки из порошкообразного карбида кремния SiC со связующим веществом, в качестве которого используют глину.
Внешне варисторы оформляются в виде стержней или дисков. х-ки
-коэффициент нелинейности , определяемый как отношение сопротивления постоянному току (статического) R к сопротивлению переменному току (дифференциальному) r:
где U и I – напряжение и ток варистора.
Для различных типов варисторов = 2…6;
-максимальное допустимое напряжение Umax доп (от десятков вольт до нескольких киловольт);
-номинальная мощность рассеяния Рном (1…3Вт);
-температурный коэффициент сопротивления ТКС (в среднем 510-3К-1);
-предельная максимальная рабочая температура (60…70С).
Величина ТКС характеризует относительное изменение сопротивления резистора при изменении температуры на 1К.
Терморезисторы – это полупроводниковые резисторы, в которых используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры.
Различают два типа терморезисторов: термистор, сопротивление которого с ростом температуры падает (с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ТКС), и позистор, у которого сопротивление с повышением температуры возрастает (с положительным ТКС).
В термисторах (прямого подогрева) сопротивление изменяется или под влиянием тепла, выделяющегося в них при прохождении электрического тока, или в результате изменения температуры термистора при изменении теплового облучения термистора (например, при изменении температуры окружающей среды).
Основные параметры термисторов:
-номинальное сопротивление – это его сопротивление при определенной температуре (обычно 200С) (от нескольких Ом до нескольких кОм с допустимым отклонением от номинального сопротивления 5, 10 и 20%);
-температурный коэффициент сопротивления терморезистора показывает относительное изменение сопротивления терморезистора при изменении температуры на один градус:
Температурный коэффициент сопротивления зависит от температуры, поэтому его записывают с индексом, указывающим температуру, при которой имеет место данное значение.
Значения ТКС при комнатной температуре различных термисторов находятся в пределах (0,8…6,0)10-2К-1;
-максимально допустимая температура – это температура, при которой еще не происходит необратимых изменений параметров и характеристик терморезистора;
-допустимая мощность рассеяния - это мощность, при которой терморезистор, находящийся в спокойном воздухе при температуре 200С, разогревается при прохождении тока до максимально допустимой температуры;
-постоянная времени терморезистора – это время, в течение которого температура терморезистора уменьшается в е раз по отношению к разности температур терморезистора и окружающей среды (например, при переносе терморезистора из воздушной среды с t = 1200C в воздушную среду с t = 200C).