 
        
        - •Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова физические основы электроники
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы теории электропроводности полупроводников
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.1.1 Полупроводники с собственной электропроводностью
- •1.1.2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •1.1.3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •1.2 Токи в полупроводниках
- •1.2.1 Дрейфовый ток
- •1.2.2 Диффузионный ток
- •1.3 Контактные явления
- •1.3.2 Прямое включение p-n перехода
- •1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
- •1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.5 Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.3.6 Емкости p-n перехода
- •1.4 Разновидности электрических переходов
- •1.4.1 Гетеропереходы
- •1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
- •1.4.3 Контакт металла с полупроводником
- •1.4.4 Омические контакты
- •1.4.5 Явления на поверхности полупроводника
- •2 Полупроводниковые диоды
- •2.1 Классификация
- •2.2 Выпрямительные диоды
- •2.3 Стабилитроны и стабисторы
- •2.4 Универсальные и импульсные диоды
- •2.5 Варикапы
- •3 Биполярные транзисторы
- •3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
- •3.1.1 Общие сведения
- •3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном
- •3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов
- •3.2.1 Схема с общей базой
- •3.2.2 Схема с общим эмиттером
- •3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора
- •3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •3.5 Частотные свойства биполярного транзистора
- •3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •3.7 Работа транзистора в усилительном режиме
- •3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме
- •3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
- •3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения
- •3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора
- •4 Полевые транзисторы
- •4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором
Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова физические основы электроники
Конспект лекций
Выполнил
студент ЭТ-41-02
Мешков А.В.
Чебоксары 2004
Содержание
Введение……………………………………………………………………….4
1 Основы теории электропроводности полупроводников............................5
- Общие сведения о полупроводниках...........................................................5 
- Полупроводники с собственной проводимостью.......................................5 
- Полупроводники с электронной проводимостью.......................................8 
- Полупроводники с дырочной проводимостью.........................................10 
- Токи в полупроводниках ............................................................................12 
- Дрейфовый ток.............................................................................................12 
- Диффузионный ток......................................................................................13 
- Контактные явления....................................................................................15 
- Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия………………15 
- Прямое включение p-n перехода................................................................19 
- Обратное включение p-n перехода.............................................................21 
- Теоретическая характеристика p-n перехода............................................23 
- Реальная характеристика p-n перехода......................................................25 
- Ёмкости p-n перехода..................................................................................28 
- Разновидности p-n переходов.....................................................................30 
- Гетеропереходы..........................................................................................30 
- Контакт между полупроводниками одного типа проводимости……...32 
- Контакт металла с полупроводником.......................................................33 
- Омические контакты..................................................................................33 
- Явления на поверхности полупроводника...............................................34 
2 Полупроводниковые диоды.......................................................................37
- Классификация...........................................................................................37 
- Выпрямительные диоды............................................................................37 
- Стабилитроны и стабисторы.....................................................................38 
- Универсальные и импульсные диоды......................................................39 
- Варикапы.....................................................................................................41 
3 Биполярные транзисторы...........................................................................43
3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы............43
- Общие сведения..........................................................................................43 
- Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе…….46 
- Статические характеристики биполярных транзисторов.......................49 
- Схема с общей базой..................................................................................49 
- Схема с общим эмиттером.........................................................................51 
- Влияние температуры на статические характеристики БТ....................52 
- Дифференциальные параметры биполярного транзистора....................54 
- Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора..............55 
- Частотные свойства биполярного транзистора........................................58 
- Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов….59 
- Работа транзистора в усилительном режиме...........................................61 
- Особенности работы транзистора в импульсном режиме......................62 
- Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды........................................................................................................62 
- Работа транзистора в режиме переключения...........................................63 
- Переходные процессы при переключении транзистора.........................64 
4 Полевые транзисторы.................................................................................67
- Полевой транзистор с p-n переходом.......................................................67 
- Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор).....70 
