
- •1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
- •2. Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
- •3. Электрический потенциал и разность потенциалов.
- •4. Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
- •5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
- •6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
- •7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
- •8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Работа и мощность электрического тока.
- •11. Переменный электрический ток и его основные параметры: период, частота, амплитуда, мгновенное и среднее (действующее) значения.
- •12. Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
- •13. Полупроводники с собственной электропроводностью. Кристаллическая решетка. Ковалентные связи. Генерация пар электрон — дырка. Рекомбинация. Формулы для концентраций электронов и дырок.
- •14. Полупроводники с электронной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •15. Полупроводники с дырочной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •16. Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
- •17. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
- •18. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Образование контактной разности потенциалов. Энергетическая диаграмма. Ширина запирающего слоя.
- •19. Прямое включение эдп. Явление инжекции неосновных носителей. Влияние прямого напряжения на контактную разность потенциалов и ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •20. Обратное включение эдп. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •21. Вольтамперная характеристика эдп (вах). Уравнение теоретической вах и ее график.
- •22. Емкость эдп. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
- •23. Эквивалентные схемы эдп при прямом и обратном включениях. Прямое включение эдп
- •24. Разновидности электрических переходов. Электрический переход между полупроводником и металлом (переход или барьер Шотки). Выпрямляющие и невыпрямляющие электрические переходы.
- •25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
- •26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
- •27. Полупроводниковые стабилитроны. Назначение, вах и основные параметры. Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне и принцип его работы.
- •28. Варикапы. Назначение вольт-фаратная характеристика. Схема включения варикапа в колебательный контур для изменения его резонансной частоты.
- •29. Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. Вах. Пояснить появление на вах участка с отрицательным сопротивлением.
- •30. Общие сведения о биполярных транзисторах (бт). Структурные схемы бт типов р-n-р иn-р-n. Условные графические обозначения.
- •31, 32, 33. Различные схемы включения бт. Схема, токопрохождение. Уравнение, связывающее выходной и входной токи.
- •34. Статические гибридные характеристики бт, включенного по схеме оэ. Функциональные зависимости. Схема для их экспериментального снятия. График семейств входных и выходных характеристик.
- •35. Малосигнальные h-параметры бт, включенного по схеме оэ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
- •37. Зависимость параметров бт от частоты. Предельная и граничная частоты коэффициентов передачи тока.
- •38. Работа бт, включенного с оэ, в режиме усиления гармонического сигнала. Схема, графики напряжений.
- •39. Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме оэ,oб
- •40. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность бт. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
- •41. Особенности работы бт в ключевом режиме. Схема, графики напряжений и токов.
- •42. Схема ключа с транзистором Шотки. Пояснить причину уменьшения времени рассасывания в таком ключе.
- •43. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры мдп-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
- •45. Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры мдп-транзистора с управляющим р-п-переходом.
- •46. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры меп-транзисторов.
- •47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
- •48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
- •49. Инвертoр на мдп-транзисторах с индуцированным каналом. Схема, графики входного и выходного напряжения. Уровни выходного напряжения u0 и u1.
- •52. Этапы изготовления полупроводниковых имс, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
- •53. Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
- •54. Интегральные многоэмиттерые транзисторы. Структура. Схема включения мэт в цифровых устройствах.
- •55. Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
- •56. Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых имс.
- •57. Полупроводниковые приемники излучения. Фоторезистор, устройство, принцип действия, схема включения, основные характеристики и параметры.
- •58. Полупроводниковые приемники излучения. Фотодиод, устройство, принцип действия, схема включения.
- •59. Полупроводниковые приемники излучения. Фототранзистор, устройство, принцип действия, схема включения, выходные характеристики.
- •60. Полупроводниковые источники излучения. Светоизлучающие диоды. Оптопары. Светодиод
7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
В электрических схемах необходимые сопротивления участков цепей создается с помощью специальных радиоэлементов, называемых резисторами. Они могут быть постоянными (рис1 а), подстроечными (рис1 б) или переменными (рис1 в) и имеют различные номиналы.
При последовательном соединении резисторов сопротивление увеличивается :
Rпосл=R1+R2+R3 (рис 1 д),
А при параллельном соединении общее сопротивление Rпар будет меньше наименьшего сопротивления и может быть определено по формуле:
1/Rпар=1/R1+1/R2+1/R3 (рис 1 г)
При параллельном соединении двух резисторов R1 и R2 получим :
Rпар= R1* R2/( R1+ R2) (1.6)
Рис.
1
8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1827г. И математически записывается в виде:
I=U/R (1.7)
Зависимость (1.7) называется "законом Ома для участка цепи"
Из формулы (1.7) следует другое определение единицы сопротивления. За единицу сопротивления 1 Ом принимают сопротивление такого проводника, по которому проходит ток 1А при напряжении на его концах 1 В.
Для цепи с последовательным соединением резисторов (рис 1 а) значение протекающего в ней тока равно:
I=U1/R1= U2/R2= U3/R3=U/(R1+R2+R3)
В цепи с параллельным включением резисторов токи, протекающие через эти резисторы, зависят от сопротивлений этих резисторов и на основании закона Ома определяются по формулам:
I1=U/R1; I2= U/R2; I3= U/R3
Общий ток Iобщ=I1+I2+I3
В отличие от э.д.с. или напряжения источника тока напряжение на сопротивлении участка цепи (резисторе) называют падением напряжения, подчеркивая этим, что сопротивления не создают напряжения, а на них лишь происходит распределение (падение) напряжения источника тока.
Любой источник питания характеризуется не только э.д.с., но и внутренним сопротивлением Ri. Поэтому если к такому источнику подключить нагрузку с сопротивлением Rh, то возникший в цепи ток будет протекать как через нагрузку , так и внутреннее сопротивление (рис 1). Следовательно закон Ома для неполной цепи имеет вид:
I=E/(Ri+Rh) (1.8)
E=I*Ri+I*Rh (1.9)
Формула (1.9) показывает, что э.д.с. источника равна сумме падений напряжении на внутреннем сопротивлении источника и на нагрузке. Чем больше Ri , тем больше напряжение на нем падает, а напряжение на нагрузке Uh уменьшается.
Рис.
1
Рис.
2
9. Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I3=0 (1.10)
В этом уравнении токи I1 и I2, втекающие в узел, приняты положительными, а ток I3, вытекающий из узла, - отрицательным.
Первый закон Кирхгофа можно сформулировать иначе: сумма токов, втекающих в узел, равна сумме токов вытекающих из узла.
Согласно второму закону Кирхгофа сумма всех напряжений замкнутой цепи равна нулю.
Пусть дана электрическая цепь (рис 1 б), содержащая два источника U1 и U2 и резистор R1 и R2. Выберем произвольно направление общего тока I. Напряжения, направления которых совпадает с направлением тока I будем считать положительными, неудовлетворяющие этим требованиям - отрицательными. Тогда можно записать:
U3+U2-U4-U1=0
Рис.
1
Рис.
2