37. Зависимость параметров бт от частоты. Предельная и граничная частоты коэффициентов передачи тока.

Помимо схемы включения и режима работы малосигнальные параметры зависят также от t и f сигнала Частотная зависимость параметров обусловлена наличием в транзисторе паразитных емкостей, действующих между электродами транзистора.

X_C=1/C=1/2fC

В справочниках указывают частотные параметры транзистора. Основным из них является частота единицы усиления (f_h21Э) на которой |h_21Э| уменьшается до единицы.

38. Работа бт, включенного с оэ, в режиме усиления гармонического сигнала. Схема, графики напряжений.

Для усиления используется схема приведенная на рис. 4.25,a В режиме усиления транзистор характеризуется токами и напряжениями покоя I_Б0, I_К0, U_КЭ0, U_Б0 Во время положительного полупериода входного сигнала входной ток создает дополнительное напряжение, в результате чего происходит увеличение U_БЭ. Это приводит к увеличению токов базы и коллектора:

I_Кh_21ЭI_Б

Увеличение I_К приводит к уменьшению U_КЭ:

U_КЭ=E_п- I_КR_К

На выходе образуется отрицательная полуволна напряжения. Обратные изменения происходят во время второго полупериода.По графику видно, что U_ВЫХ сдвинуто по фазе на 180° относительно U_ВХ поэтому такой усилитель называется инвертирующим. Не инвертирующим усилителем будет усилитель с ОБ. Недостатком является двух источников питания, поэтому чаще используется схема с одним источником питания (рис. 4.25,a). В этой схеме прямое смещение осуществляется с помощью делителей напряжения R₁ и R₂

Рис. 1 Рис. 3

Рис. 2

Нагрузочные характеристики транзисторных усилителей. Уравнение, методика построения.

Включенные нагрузки в коллекторную цепь транзистора, работающего в усилительном каскаде, приводит к тому, что изменения коллекторного тока зависят как от изменений входного тока, так и от связанного с ним изменения коллекторного напряжения. Например, в усилителе с ОЭ(рис.4.23).Выполняется условие:

U_КЭ=Е_К-I_К*R_К         (4,22) или I_К=(E_К-U_КЭ)/R_К       (4,23).

В этих уравнениях I_К и U_КЭ связаны между собой линейными зависимостями и являются уравнениями выходной нагрузочной характеристики. На семействе статических выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ, нагрузочная характеристика может быть построена по двум точкам (рис 4,24): А(I_К=0, U_КЭ=E_П) и B(U_КЭ=0, I_К=E_П/R_К). Если при определении точки В по уравнению (4.23) значение точки I_К выходит за пределы выходных характеристик, то ее определяют так: задается некоторым значением тока I_К и в cоответствии с уравнением (4.22) определяют напряжение U'_КЭ=E_П-I'_К*R_К (точкаt B на рис. 4.24). Такой случай может представиться при малых значениях R_К.

Выходная нагрузочная характеристика построенная по уравнениям (4,22) и (4,23) на семействе статических выходных характеристик, называется также линией нагрузки или выходной нагрузочной прямой.

Входная нагрузочная характеристика строится на статических входных характеристиках путем перенесения на нее точек выходной нагрузочной характеристики. Но поскольку в справочниках в большинстве случаев семейство входных статических характеристик представлено всего лишь двумя характеристиками, считаемыми при U_К=0 и U_К<>0, то за входную нагрузочную характеристику принимают входную статическую, взятую при U_К<>0.

Рис. 1 Рис. 2