
- •1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
- •2. Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
- •3. Электрический потенциал и разность потенциалов.
- •4. Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
- •5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
- •6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
- •7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
- •8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Работа и мощность электрического тока.
- •11. Переменный электрический ток и его основные параметры: период, частота, амплитуда, мгновенное и среднее (действующее) значения.
- •12. Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
- •13. Полупроводники с собственной электропроводностью. Кристаллическая решетка. Ковалентные связи. Генерация пар электрон — дырка. Рекомбинация. Формулы для концентраций электронов и дырок.
- •14. Полупроводники с электронной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •15. Полупроводники с дырочной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •16. Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
- •17. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
- •18. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Образование контактной разности потенциалов. Энергетическая диаграмма. Ширина запирающего слоя.
- •19. Прямое включение эдп. Явление инжекции неосновных носителей. Влияние прямого напряжения на контактную разность потенциалов и ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •20. Обратное включение эдп. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •21. Вольтамперная характеристика эдп (вах). Уравнение теоретической вах и ее график.
- •22. Емкость эдп. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
- •23. Эквивалентные схемы эдп при прямом и обратном включениях. Прямое включение эдп
- •24. Разновидности электрических переходов. Электрический переход между полупроводником и металлом (переход или барьер Шотки). Выпрямляющие и невыпрямляющие электрические переходы.
- •25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
- •26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
- •27. Полупроводниковые стабилитроны. Назначение, вах и основные параметры. Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне и принцип его работы.
- •28. Варикапы. Назначение вольт-фаратная характеристика. Схема включения варикапа в колебательный контур для изменения его резонансной частоты.
- •29. Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. Вах. Пояснить появление на вах участка с отрицательным сопротивлением.
- •30. Общие сведения о биполярных транзисторах (бт). Структурные схемы бт типов р-n-р иn-р-n. Условные графические обозначения.
- •31, 32, 33. Различные схемы включения бт. Схема, токопрохождение. Уравнение, связывающее выходной и входной токи.
- •34. Статические гибридные характеристики бт, включенного по схеме оэ. Функциональные зависимости. Схема для их экспериментального снятия. График семейств входных и выходных характеристик.
- •35. Малосигнальные h-параметры бт, включенного по схеме оэ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
- •37. Зависимость параметров бт от частоты. Предельная и граничная частоты коэффициентов передачи тока.
- •38. Работа бт, включенного с оэ, в режиме усиления гармонического сигнала. Схема, графики напряжений.
- •39. Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме оэ,oб
- •40. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность бт. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
- •41. Особенности работы бт в ключевом режиме. Схема, графики напряжений и токов.
- •42. Схема ключа с транзистором Шотки. Пояснить причину уменьшения времени рассасывания в таком ключе.
- •43. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры мдп-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
- •45. Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры мдп-транзистора с управляющим р-п-переходом.
- •46. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры меп-транзисторов.
- •47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
- •48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
- •49. Инвертoр на мдп-транзисторах с индуцированным каналом. Схема, графики входного и выходного напряжения. Уровни выходного напряжения u0 и u1.
- •52. Этапы изготовления полупроводниковых имс, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
- •53. Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
- •54. Интегральные многоэмиттерые транзисторы. Структура. Схема включения мэт в цифровых устройствах.
- •55. Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
- •56. Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых имс.
- •57. Полупроводниковые приемники излучения. Фоторезистор, устройство, принцип действия, схема включения, основные характеристики и параметры.
- •58. Полупроводниковые приемники излучения. Фотодиод, устройство, принцип действия, схема включения.
- •59. Полупроводниковые приемники излучения. Фототранзистор, устройство, принцип действия, схема включения, выходные характеристики.
- •60. Полупроводниковые источники излучения. Светоизлучающие диоды. Оптопары. Светодиод
1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
Первые сведения о некоторых электрических явлениях относятся к глубокой древности. Еще за 600 лет до н.э. греческий философ Фалес Милетский описал замеченную ткачами способность янтаря, потертого о шерстяную материю, притягивать легкие тела. По-гречески янтарь означает "электрон". Слово "электрон" послужило основой названий "электро-, "электричество".
Познания об электричестве накапливались очень медленно. Лишь в конце 15-го века Гильбертом было обнаружено, что кроме янтаря такой способностью обладают и многие другие тела. Это свойство было названо электризацией.
В 18-м веке было обнаружено, что одни наэлектризованные тела притягиваются друг к другу, другие - отталкиваются. Так например эбонитовая палочка, наэлектризованная трением о мех, отталкивается от такой же эбонитовой палочки и притягивается стеклянной палочкой, наэлектризованной трением о шелк. Было также установлено, что при электризации трением электризуются оба тела, причем одно из них электризуется положительно, другое отрицательно. Заряд, полученный стеклянной палочкой при ее трении о бумагу или шелк, назвали положительным, а полученный эбонитовой палочкой при ее трении о шерсть- отрицательным.
В начале предполагалось, что электрические заряды в телах образованы двумя родами невесомых электрических жидкостей. Преобладание той или иной жидкости определяло род заряда.
В 1753 г. М.В. Ломоносов отверг эту гипотезу и высказал мысль, что тепло и электричество есть результат вращательного движения частиц.
Серьезные и фундаментальные исследования свойств электричества и электрических явлений начались в 19-м веке. Исследования Фарадея, Вебера, Томсона, Лоренца привели к выводу, что носителями электрических зарядов являются мельчайшие частицы.
В 1911 г. Резерфорд и 1913 г. Бор предложили следующую модель атома. Атом состоит из положительно заряженного ядра, вокруг которого вращаются отрицательно заряженные электроны. Ядро атома занимает ничтожно малую часть всего объема атома, но в то же время его масса в тысячи раз больше массы электрона. Так, например, масса легчайшего ядра (ядра водорода) в 1840 раз больше массы электрона. Диаметр ядра атома составляет 10^-12…10^-13 см. электроны не падают на положительно заряженное ядро потому, что они вращаются вокруг него с большой скоростью. Чем ближе орбита электрона находится к ядру, тем сильнее связь электрона с атомом. Электроны, вращающиеся на внешних , наиболее удаленных от ядра орбитах, слабо связаны с атомом и при сообщении им дополнительной энергии (например, при повышении температуры) отрываются от ядра и становятся свободными. В атомах, потерявших по одному электрону, положительный заряд ядра оказывается больше отрицательного заряда оставшихся электронов. Такие атомы называются положительными ионами.
Свободные электрон, перемещаясь по веществу, может попасть на орбиту одного из его атомов, при этом отрицательный заряд электронов такого атома окажется больше его положительного заряда. Такие атомы называются отрицательными ионами.
Такая теория объясняет отличие проводников от диэлектриков. В диэлектриках электроны жестко связаны со своими атомами и отрыв их требует значительной энергии. В проводниках имеется большее количество свободных электронов, оторвавшихся от атомов, которые могут перемещаться под действием электрических полей.
]