Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.

Семейство входных характеристик.

Входные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ, представляют собой графическую зависимость тока базы от напряжения базы при постоянном напряжении на коллекторе

Они приведены на рис.14

Рис.14

При , что равносильному короткому замыканию источника , оба р-п перехода оказываются включенными в прямом направлении, так как положительный полюс источника оказывается подключенным к р- областям эмиттера и коллектора, а отрицательный полюс - к базе. Существует инжекция дырок из эмиттера и коллектора в базу и в цепи базы протекает ток рекомбинации носителей , увеличивающийся с ростом напряжения . Следовательно, входная характеристика аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.

Характеристика снята при отрицательном напряжении , смещается вниз. Действительно, при ,через базу протекает обратный ток коллекторного перехода , т.к. коллекторный переход включен в обратном направлении. При подаче напряжения , эмиттерный переход включается в прямом направлении, дырки инжектируют из эмиттера в базу, при этом часть дырок рекомбинирует в базе с электронами, возникает , направленный навстречу току . Тогда результирующий ток с увеличением напряжения будет возрастать (при , станет равным нулю).

Характеристики, снятые при различных отрицательных значениях напряжения , незначительно смещаются вправо и практически сливаются, так как напряжение мало влияет на ток базы. Поэтому в справочниках обычно приводятся две характеристики, снятые при нулевом и некотором номинальном напряжении на коллекторе (рекомендуемом в качестве рабочего для данного транзистора).

Семейство выходных характеристик.

Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ, представляют собой графическую зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе , при постоянном токе базы

Они приведены на Рис.15

Рис.15

При токе базы, равном нулю , что равносильно разрыву цепи базы, через транзистор протекает так называемый сквозной ток транзистора равный

,

так как напряжение приложено ко всему транзистору.

В реальных схемах вывод базы не разрывают (чтобы ), а для запирания транзистора на базу подают небольшое положительное напряжение ( ). В этом случае оба р-п перехода оказываются в запертом состоянии ( режим отсечки ) и в цепи базы протекает ток.

.

Характеристики, снятые при (активный режим) смещаются вверх, т.к. ток коллектора при этом увеличивается согласно выражению

.

Физически это объясняется тем, что увеличение тока базы достигается увеличением тока эмиттера, частью которого он является.

При коллекторный р-п переход оказывается включенным в прямом направлении.

Через него протекает прямой ток, направленный навстречу инжекционному току коллектора и компенсирующий его (начальный участок характеристик), что соответствует режиму насыщения.