Рабочее задание

1. Экспериментальное определение входной характеристики транзистора.

Собрать схему

1. Построить входные характеристики I_Б=f(U_БЭ)

Для трех значений V1=0В, 2В и 5В.

V2 меняется в пределах on 0 до 10В через 0,1В

Графики представить на одном плоте.

Графическим способом определить входное сопротивление транзистора.

2. Получение экспериментальной зависимости I_К=f(I_Б)

Для значений V1 = 5В и 10В.

Ток базы меняется в пределах от 10мкА до 10мА

Графическим способом определить динамический коэффициент усиления по току.

3. Получение передаточной характеристики. U_ВЫХ=f(U_ВХ)

Для значений U_ВХ = от 0,7В до 5В.

Собрать схему

4. Изменяя входной ток источника I₁ в цепи базы транзистора от 10мкA до 10мA (десять значений) и фиксируя напряжение U_БЭ при постоянном напряжении V1, снять и построить входную статическую характеристику транзистора I_Б=f(U_БЭ) при постоянном напряжении U_КЭ =20в.

Для значений V1=0В, 5В и 10В. Графическим способом определить H-параметры транзистора.

Объяснить отличие полученной характеристики от аналогичной из пункта 1.

5. При постоянном токе базы I_Б -10мкА, 100мкА, 500мкА, 10mA снять и построить выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КЭ) для пределов изменения напряжения источника питания в цепи коллектора от (0-20)В.

По выходным характеристикам определить положение рабочей точки транзистора для напряжения питания 20В и резистора в выходной цепи 4кОм.

Графическим способом определить H-параметры транзистора.

Тип транзистора для выполнения лабораторной работы студента 3 курса кафедры Персональная электроника.

Отчет

Отчет должен содержать:

1. Исследуемые схемы, рабочие задания и методику измерений.

2. Форматки и графики семейства статических характеристик.

3. Выводы.

4. Защита лабораторной работы предусматривает опрос по теоретической части

Контрольные вопросы

1. Какой полярности подаются напряжения на эмиттерный и коллекторный переходы?

2. Что называется явлением инжекции и при каких условиях оно возникает?

3. Объяснить с точки зрения физических процессов передачу тока из эмиттера в коллектор.

4. Чем объясняется обратный ток?

5. Почему транзистор чаще всего характеризуют H-параметрами?

6. Объяснить ход статических характеристик в схемах с ОЭ и ОБ, уметь объяснить разницу.

Литература

1. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. — М.: Горячая Линия — Телеком, 1999.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.— М.: Энергия, 1977.

3. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3 томах. Пер. с англ.— 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993

4. Ровдо А.А. – Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах

5. Корис Р., Шмидт-Вальтер X. Справочник инженера-схемотехника Москва: Техносфера, 2008. - 608с. ISBN 978-5-94836-164-2

6. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2005. — 528 с.

Для анализа использовать задания следующиие параметры симуляции

15