
- •Параметры микросхемы к155ие2
- •Зарубежный аналог микросхемы к155ие5
- •Параметры микросхемы к155ие5
- •Технические характеристики биполярных транзисторов кт502а-кт503а
- •Технические характеристики кт8130а и кт8131а
- •Технические характеристики кт216а и кт310
- •Приложение 8
- •Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов средней мощности:
- •Стабилитрон кс170а.
- •Приложение 3
Технические характеристики биполярных транзисторов кт502а-кт503а
Технические характеристики кт8130а и кт8131а
Технические характеристики кт216а и кт310
Приложение 8
К142ЕН6Г
Основные характеристики:
Выходное напряжение +15 В, -15 В
Выходной ток 200 мА
Максимальное входное напряжение 40 В
Разность напряжения вход-выход 3,2 В
Мощность рассеивания (с теплоотводом) 8 Вт
Точность выходного напряжения ±0,5 В
Диапазон рабочих температур -45…+70 °C
Рисунок 16 – Типовая схема включения микросхемы К142ЕН6Г
Рисунок 17 - Цоколевка корпуса
К142ЕН5А
Основные характеристики:
Выходное напряжение 5 В
Выходной ток 2 А
Максимальное входное напряжение 15 В
Разность напряжения вход-выход 2,5 В
Мощность рассеивания (с теплоотводом) 10 Вт
Точность выходного напряжения ±0,1 В
Диапазон рабочих температур -45…+100 °C
Рисунок 17 – Типовая схема включения микросхемы К142ЕН5А
Рисунок 18 - Цоколевка корпуса
Технические характеристики выпрямительных диодов средней мощности КД201 - 2Д250
Диод (цоколевка) |
Uоб/Uимп В/В |
Iпр/Iимп А/А |
Uпр/Iпр В/А |
Cд/Uд пф/В (T нс) |
Io(25)Ioм мА/мА |
Fmax кГц |
P/Pт Вт/Вт |
КД208А |
100/100 |
1.5/ |
1.0/1 |
|
0.05/0.2 |
1 |
|
Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов средней мощности:
Обозначение: |
Параметр |
Uоб/Uимп В/В |
максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде. |
Iпр/Iимп А/А |
максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод. |
Uпр/Iпр В/А |
максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него. |
Cд/Uд пф/В (T нс) |
емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется. |
Io(25)Ioм мА/мА |
обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом). |
Fmax кГц |
максимальная рабочая частота диода. |
P/Pт Вт/Вт |
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде с теплоотводом (Pт). |
Микросхема представляет собой два триггера Шмитта с логическим элементом 4И-НЕ на входе. Корпус К155ТЛ1 типа 201.14-1, масса не более 2 г.
Корпус
ИМС К155ТЛ1
Условное
графическое обозначение
1,2,4,5,9,10,12,13 - входы; 3,11 - свободные; 6,8 - выходы; 7 - общий; 14 - напряжение питания;
Электрические параметры
1 |
Номинальное напряжение питания |
5
В
|
2 |
Выходное напряжение низкого уровня |
не более 0,4 В |
3 |
Выходное напряжение высокого уровня |
не менее 2,4 В |
4 |
Напряжение на антизвонном диоде |
не менее -1,5 В |
5 |
Напряжение срабатывания |
не менее 1,5 В |
6 |
Напряжение отпускания |
не более 1,1 В |
7 |
Входной ток низкого уровня |
не более -1,6 мА |
8 |
Входной ток высокого уровня |
не более 0,04 мА |
9 |
Входной пробивной ток |
не более 1 мА |
10 |
Ток короткого замыкания |
-18...-55 мА |
11 |
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения |
не более 32 мА |
12 |
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения |
не более 23 мА |
13 |
Потребляемая статическая мощность |
не более 144 мВт |
14 |
Время задержки распространения при включении |
не более 22 нс |
15 |
Время задержки распространения при выключении |
не более 27 нс |
Рисунок – Передаточная характеристика триггера Шмитта для произвольного сигнала.