- •1 Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •2 Электронно-дырочный переход (p-n переход).
- •3 Полупроводниковые диоды. Условно-графическое обозначение (уго). Влольт-амперная характеристика (вах). Основные параметры.
- •4 Амплитудные ограничители на диодах. Последовательные ограничители на диодах с нулевым и заданным уровнем ограничения.
- •5 Диод в режиме нагрузки (динамическая характеристика диода). Определение рабочей точки.
- •6 Структура вторичного источника питания.
- •7 Однополупериодный выпрямитель.
- •8 Двухполупериодный мостовой выпрямитель.
- •9 Сглаживающие фильтры. Назначение, принцип действия и их основные параметры.
- •10 Стабилитроны. Назначение. Вах и основные параметры.
- •12 Параметрический стабилизатор. Напряжение на стабилитроне. Принцип действия, расчет.
- •13 Биполярные транзисторы. Классификация.
- •14 Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •15 Схемы включения биполярного транзистора.
- •16 Статические вах биполярного транзистора с общим эмиттером.
- •17 Динамические характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером
- •18 Основные параметры, рабочая область и режимы работы биполярного транзистора.
- •19 .Полевые транзисторы. Классификация.
- •Вопрос № 20
- •21 Полевой транзистор с изолированным затвором (мдп). Классификация.
- •22 Мдп транзистор со встроенным каналом. Принцип действия. Вах. Уго. Параметры.
- •Вопрос № 24
- •Вопрос № 25
- •Вопрос № 26
- •27. Однокаскадный усилитель переменного тока на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Выбор точки покоя и ее температурная стабилизация.
- •28 Двухкаскадный усилитель низкой частоты на биполярных транзисторах с общим эмиттером. Обратные связи. Амплитудно-частотная и амплитудная характеристики.
- •29. Эмиттерный повторитель
- •30. Параметрический стабилизатор повышенной мощности с эмиттерным повторителем (сравнительный анализ).
- •31 Параметрический стабилизатор с составным транзистором на выходе.
- •33 Схемы включения упт.
- •34 Схемы внешней настройки нуля упт.
- •35 Повторитель на оу.
- •36 Инвертирующий сумматор на оу.
- •37 Интегратор на оу.
- •38 Дифференциатор на оу.
- •39 Компаратор на оу.
- •40 Компаратор с положительной обратной связью (триггер Шмитта).
- •41 Мультивибратор на оу.
- •42 Ждущий мультивибратор на оу.
- •43 Биполярный транзистор в режиме переключения.
- •44 Ключ на биполярном транзисторе.
- •45 Ключ на биполярном транзисторе с активно-индуктивной нагрузкой.
4 Амплитудные ограничители на диодах. Последовательные ограничители на диодах с нулевым и заданным уровнем ограничения.
Амплитудные ограничители на диодах
Простейшим ограничителем амплитуды является диодный. Для его осуществления параллельно нагрузочному колебательному контуру последнего каскада усилителя напряжения промежуточной частоты включаются диоды, на аноды которых подается небольшое запирающее напряжение U3. Когда амплитуда сигнала на колебательном контуре меньше запирающего напряжения, диоды закрыты и усилитель работает нормально. В случае превышения амплитуды сигнала над запирающим напряжением диоды открываются и шунтируют колебательный контур, уменьшая усиление и стабилизируя выходное напряжение каскада. Чем больше сигнал, тем меньше внутреннее сопротивление диодов и меньше усиление. На рис. 1–3 приведен вариант схемы подобного ограничителя амплитуды. Здесь резистор R1 используется как сопротивление коллекторного фильтра и, кроме того, с него снимается запирающее напряжение UЗl для первого диода. Положительный потенциал этого напряжения через контурную катушку подводится на катод диода, а отрицательный – непосредственно к аноду. Для второго диода запирающее напряжения UЗ2 снимается с резистора R2, который вместе с резистором R3 образует делитель напряжения.
Существенным недостатком диодного ограничителя является то, что при открытых диодах увеличивается эквивалентное затухание колебательного контура и ухудшается избирательность каскада. Запирающее напряжение в рассматриваемой схеме обычно берется равно 0,7–1 В, а пороговое напряжение на 0,2 В больше. Выходное напряжение ОА в рабочей точке превышает пороговое на 0,15–0,25 В. Коэффициент ограничения диодного ограничителя составляет 20–30 дБ.
Рисунок 1.3 – Структурная схема диодного ограничителя
Последовательные ограничители на диодах с нулевым и заданным уровнем ограничения
Рис. 11.4. Схема последовательного диодного ограничителя.
Ограничитель — это устройство, ограничивающее сигнал выше или ниже заданного уровня, называемого уровнем ограничения. Вне области ограничения величина выходного сигнала пропорциональна величине входного сигнала. Ограничители могут быть последовательного и параллельного типа; их выполняют на диодах, транзисторах или лампах. Типичная схема последовательного диодного ограничителя снизу представлена на рис. 11.4. Так как резистор и диод здесь соединены последовательно, эту схему называют последовательной. В ограничителе используется напряжение смещения, полярность которого указана на рисунке. Поскольку полярность источника смещения является обратной для диода, при отсутствии внешнего сигнала ток в ограничителе не протекает. При подаче же на вход сигнала положительной полярности протекание тока начнется с момента, когда величина входного сигнала превысит напряжение смещения 4,5 В. После того как величина входного сигнала превысит напряжение смещения, величина выходного сигнала будет пропорциональна величине сигнала на входе. Если на вход подается сигнал отрицательной полярности, то он действует так же, как источник смещения, и диод будет еще дальше переходить в область отсечки. Следовательно, в данной схеме срезается часть сигнала, находящаяся ниже уровня смещения 4,5 В.
Предположим, что входной сигнал представляет собой колебания прямоугольной формы (рис. 11.4). Так как полный размах сигнала составляет 24 В, амплитуда сигнала во время положительного и отрицательного полупериодов равна 12 В. При положительном полупериоде входной сигнал должен превысить напряжение смещения 4,5 В, и только после этого диод откроется. Следовательно, амплитуда выходного сигнала будет составлять только 7,5 В.
