
- •Введение
- •Основные понятия и определения
- •Виды и методы измерений Виды измерений
- •Классификация физических величин
- •Размер физических величин. “Истинное значение” физических величин
- •Основной постулат и аксиома теории измерений
- •Теоретические модели материальных объектов, явлений и процессов
- •Физические модели
- •Математические модели
- •Единицы, системы единиц.
- •3. Системы единиц физических величин
- •3.1. Система Гаусса
- •3.2. Система сгс
- •3.3. Система мкгсс
- •3.4. Система мтс
- •3.5. Международная система единиц физических величин
- •3.5.1. Важнейшие достоинства Международной системы единиц
- •3.5.2. Основные единицы си и их определения
- •3.5.3. Принцип построения производных единиц си
- •3.5.4. Десятичные кратные и дольные единицы си и правила их образования
- •3.5.5. Относительные и логарифмические единицы си
- •3.5.6. Единицы количества информации си
- •3.5.7. Внесистемные единицы си
- •3.5.8. Правила написания наименований и обозначений единиц си
- •Погрешности измерений
- •Причины возникновения и способы исключения систематических погрешностей
- •Основные характеристики измерительных приборов и преобразователей
- •Обшие сведения об измерительных системах
- •Фотоэффект
- •Кристаллическое состояние Отличительные черты кристаллического состояния
- •Физические типы кристаллических решеток
- •Дефекты в кристаллах
- •Теплоемкость кристаллов
Фотоэффект
Фотоэлектрическим эффектом или фотоэффектом называется испускание электронов веществом под действием света. Это явление было открыто Г. Герцем в 1887 г. Он заметил, что проскакивание искры между шариками разрядника значительно облегчается, если один из шариков осветить ультрафиолетовыми лучами.
В 1888—1889 гг. А. Г. Столетов подверг фотоэффект исследованию с помощью установки, схема которой показана на рис. 1. Конденсатор, образованный проволочной сеткой и сплошной пластиной, был включен последовательно с гальванометром G в цепь батареи. Свет, проходя через сетку, падал на сплошную пластину. В результате в цепи возникал ток, регистрировавшийся гальванометром. На основании своих опытов Столетов пришел к следующим выводам:
наибольшее действие оказывают ультрафиолетовые лучи;
сила тока возрастает с увеличением освещенности пластины;
испускаемые под действием света заряды имеют отрицательный знак.
Спустя 10 лет (в 1В98 г.) Леиард и Томеон, измерив удельный заряд испускаемых под действием света частиц, установили, что эти частицы являются электронами.
Свет, проникающий через кварцевое окошко Кв освещает катод К, изготовленный из исследуемого материала. Электроны, испущенные вследствие фотоэффекта, перемещаются
Рис. 1.
Рис. 2. Рис.
3.
под действием электрического поля к аноду А. В результате в цепи прибора течет фототок, измеряемый гальванометром G. Напряжение между анодом и катодом можно изменять с помощью потенциометра П.
Полученная
на таком приборе вольт-амперная
характеристика (т. е. кривая зависимости
фототока I
от напряжения
между электродами U
приведена на рис. 3). Естественно, что
характеристика снимается при неизменном
потоке света Ф.
Из этой кривой видно, что при некотором
не очень большом напряжении фототек
достигает насыщения—все электроны,
испущенные катодом, попадают на анод.
Следовательно, сила тока насыщения
определяется
количеством электронов, испускаемых
катодом в единицу времени под действием
света.
Пологий
ход кривой указывает на то, что электроны
вылетают из катода с различными по
величине скоростями. Доля электронов,
отвечающая силе тока при U
== 0, обладает скоростями, достаточными
для того, чтобы долететь до анода
«самостоятельно», без помощи
ускоряющего поля. Для обращения силы
тока в нуль нужно приложить задерживающее
напряжение
.
При таком напряжении ни одному из
электронов, даже обладающему при
вылете из катода наибольшим значением
скорости
,
не удается преодолеть задерживающее
поле и достигнуть анода. Поэтому можно написать, что
,
(1)
где т—масса электрона, е – заряд электрона. Таким образом, измерив задерживающее напряжение , можно определить максимальное значение скорости фотоэлектронов.
К 1905 г. было выяснено, что максимальная скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности света, а зависит только от его частоты—увеличение частоты приводит к возрастанию скорости.
В
1905 г. А. Эйнштейн показал, что все
закономерности фотоэффекта легко
объясняются, если предположить, Что
свет поглощается такими же порциями
(квантами), какими он, по предположению
Планка, испускается. По мысли Эйнштейна,
энергия, полученная электроном,
доставляется ему в виде кванта
,
который усваивается им целиком. Часть
этой энергии, равная работе выхода
А
(работой
выхода
называется наименьшая энергия, которую
необходимо сообщить электрону для того,
чтобы удалить его из твердого или жидкого
тела в вакуум),
затрачивается на то, чтобы электрон мог
покинуть тело. Если электрон освобождается
светом не у самой поверхности, а на
некоторой глубине, то часть энергии,
равная Е',
может быть потеряна вследствие случайных
столкновений в веществе. Остаток
энергии образует кинетическую энергию
Ек
электрона, покинувшего вещество. Энергия
Ек
будет максимальна, если Е'=0.
В этом случае должно выполняться
соотношение
(2)
которое называется формулой Эйнштейна.
Из
формулы (2) вытекает, что в случае, когда
работа выхода А
превышает энергию кванта
,
электроны не могут покинуть металл.,
Следовательно, для возникновения,
фотоэффекта необходимо выполнение
условия
,
или
(3)
Соответственно для длины волны получается условие
(4)
Частота
или длина волны
называется красной
границей фотоэффекта.
Число высвобождаемых вследствие фотоэффекта электронов должно быть пропорционально числу падающих на поверхность Квантов света. Вместе с тем световой поток Ф определяется количеством квантов света, падающих на поверхность в единицу времени. В соответствии с этим ток насыщения должен быть пропорционален падающему световому потоку:
(5)
Эта зависимость также подтверждается экспериментально. Заметим, что лишь малая часть квантов передает свою энергию фотоэлектронам, Энергия остальных квантов затрачивается на нагревание вещества, поглощающего свет.
Кроме рассмотренного нами внешнего фотоэффекта (называемого обычно просто фотоэффектом), существует также внутренний фотоэффект, наблюдаемый в диэлектриках и полупроводниках.