22) Схемы включения биполярных транзисторов. Статические вах.

Существует три основные схемы включения транзисторов. Основные схемы включения называются схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).

Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1.

Рис. 1 - Схема включения транзистора с общим эмиттером

Усилительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент передачи тока базы численно он равен:

при Uк-э = const

Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:

Схема с общей базой (ОБ). Схема ОБ изображена на рисунке 2.

Рис. 2 - Схема включения транзистора с общей базой

Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ.

Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы:

т. к. ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера.

Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ:

при uк-б = const

Схема с общим коллектором (ОК). Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.

Рис. 3 - Схема включения транзистора с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.

23. Включение транзистора по схеме с оэ. Семейство входных и выходных характеристик для данного включения.

!!!Включение транзистора по схеме с ОЭ

В качестве основной принята схема с общим эмиттером: входной ток является током базы, а выходной – ток коллектора:

Iэ = Iк + Iб;

Iб = Iк /(Iэ – Iк) = Iк /β + Iко;

Iк = Iб∙β,

где β – это коэффициент усиления тока.

При этом транзистор в такой схеме характеризуется двумя важнейшими вольт – амперными характеристиками:

!!!Входная характеристика – это зависимость между током и напряжением во входной цепи транзистора Iб = f(Uбэ). Иногда её называют базовой характеристикой.

!!!Выходные характеристики – это зависимость тока коллектора от напряжения Uкэ при фиксированных значениях тока базы: Iк = f(Uкэ) при Iб = const, т.е. это семейство выходных характеристик, которые приблизительно равноудалены друг от друга и прямолинейны.

Электрическое состояние транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя величинами: Iб , Uбэ , Iк , Uкэ и зависимостями между ними:

Rвх = dUкэ/dIб, при Uкэ = const = h11э (входное сопротивление транзистора);

Rвых = dUкэ/dIк, при Iб =const= 1/h22э (выходное сопротивление транзистора);

h22э – выходная проводимость;

β = dIк/dIб , при Uкэ – const = h21э – коэффициент передачи тока.

h12э = dUбэ/dUкэ , при Iб = const – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению.