
- •1) Движение электрона в электрических и магнитных полях.
- •2) Приборы, созданные на особенностях движения электрона в электрических и магнитных полях.
- •3) Основы зонной теории. Энергетические уровни, спектр.
- •4) Металлы, диэлектрики.
- •5) Полупроводники, понятие «дырки».
- •6) Примесные полупроводники, уровень Ферми.
- •8) Энергетическая модель фотодиода, светодиода.
- •9) Энергетическая модель биполярного транзистора.
- •12) Полупроводниковый диод. Классификация диодов.
- •13) Технологии изготовления полупроводниковых диодов.
- •14) Выпрямительные схемы. Структурная схема выпрямительного устройства.
- •15) Выпрямительные схемы. Классификационные признаки. Основные параметры.
- •16) Однофазная однополупериодная схема выпрямления
- •17) Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя
- •18) Трехфазные выпрямители
- •19) Сглаживающие фильтры.
- •20) Стабилизаторы напряжения и тока.
- •21) Классификация транзисторов. Физическая модель биполярного транзистора.
- •22) Схемы включения биполярных транзисторов. Статические вах.
- •23. Включение транзистора по схеме с оэ. Семейство входных и выходных характеристик для данного включения.
- •24) Включение транзистора как усилителя электрических сигналов.
- •25) Режим работы транзистора
- •26) Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •27) Полевые транзисторы. Основные понятия. Классификация
- •28) Структура и схема включения полевого транзистора. Характеристики полевых транзисторов.
- •29) Фототранзисторы. Тиристоры
- •30) Варисторы, термисторы
- •31) Усилители, классификация усилителей. Основные параметры.
- •32) Операционный усилитель. Рекомендации по эксплуатации оу
- •33) Дифференциальный усилитель
- •34) Эмиттерный повторитель
- •35) Обратная связь в усилителе, способы её организации Понятие обратной связи в усилителях о братной связью в усилителях называют возврат подачи на вход усилителя части выходного сигнала.
- •36) Линейные схемы на основе оу
- •37) Понятие импульсных устройств. Преимущества импульсных устройств по сравнению с аналоговыми.
- •38) Параметры импульсов и импульсных устройств
- •39) Простейшие формирователи импульсов
- •40) Ограничители уровня
- •41) Транзисторные ключи.
- •42) Схема триггера на биполярных транзисторах с внешним смещением
- •43) Электронные генераторы. Схема генератора гармонических колебаний
- •44) Автогенератор типа lc
- •45) Автогенератор типа rc
- •46) Ждущий мультивибратор. Генератор пилообразного напряжения.
- •47) Понятие интегральных микросхем.
- •48) Комбинационные микросхемы (шифратор, дешифратор, мультиплексор
- •49) Микросхемы с памятью (регистры, триггеры, счетчики).
38) Параметры импульсов и импульсных устройств
!!!В импульсных устройствах используется след. виды электрических сигналов:
1) Импульсы
2) Перепады напряжений (тока)
!!!Электрический импульс – это отклонение напряжения (тока) от первоначального значения в течении короткого промежутка времени, соизмеряемого с длительностью переходных, процессов в импульсном устройстве. При этом предполагается автовозврат в исходное состояние.
!!!Перепад
напряжения (тока) – это переход на другой
уровень. Возврат в исходное состояние
происходит только после подачи
дополнительного сигнала.
рис 1:
ав – фронт (нарастания) импульса; cd – срез импульса; bc – вершина; ad – основание импульса.
Параметры импульста:
Um – амплитуда; tu – длительность импульса
tф = 0 – длительность фронта; tc = 0 – длительность среза импульса.
Идеальный импульс трапецеидальной формы имеет tф и tc не равно 0
Длительность импульса tu измеряют на уровне 0,1 Un от основания или на уровне 0,5 Um
Время фронта tф = 0,1 Um, до момента, когда уровень достигает значения 0,9 Um, а время среза
tс = 0,9 Um до уровня 0,1 Um.
На вершине «bc» импульса наблюдается выброс b1 и завал «U» вершины, и на основании – выброс b2 после выключения устройства.
Длительность импульса tu измеряют между 0,1 Um его нарастания и спада.
39) Простейшие формирователи импульсов
R
L
и КС цепи. В элементах энергия не может
изменяться скачком, поэтому при приложении
к выходу RC
цепи, например, прямоугольного импульса
(рис. 4б и рис. 5б) имеют место процессы
изменения накопленной или накапливаемой
энергии, а формирования выходного
напряжения
40) Ограничители уровня
Ограничители уровня изменяют амплитуды входного Uвх напряжения до так называемого порогового уровня, на котором Uвых практически не изменяется. На рисунке
Н
а
рис 6 (а,в) изображены простейшие
двусторонние ограничители уровней,
синусоидального напряжения Uвх,
выполненные на диодах.
VD1 и VD2и источниками постоянного тока с ЭДС Е1 и Е2 рис.6(а) или на стабилитронах VC1 и VC2
41) Транзисторные ключи.
Ключевое устройство(ключ) служит для переключения цепей нагрузки под воздействием внешних управляющих сигналов и работает в 2-х режимах: включённом или выключенном.
В качестве ключей могут использоваться механические выключатели, электромагнитные реле и электронные, выполненные на транзисторе, диодах и др. электронных устройствах.
Е
сли
механический выключатель S
(рис. 1а) замкнуть, то его сопротивление
RS
= 0b
напряжение Uвых
= 0 (рис. 1б)
Если S разомкнут (в течении интервала времени t1-t2), то его сопротивление RS = бесконечность, а выходное напряжение = напряжению питания, т.е Uвых = Un.
В транзисторном ключе (рис. 1в) при отсутствии сигнала на входе Uвх транзистор VT должен быть закрыт ((Iк.max = Un/Rк, Un на рис.1 д) с выходной характеристикой iк(Uк) транзистора VT при Iб = 0).
При этом напряжение на коллекторах Uвых = Un – Uпор ~ Un (Uпор – пороговое напряжение отпирания транзистора.)
Уровень входного сигнала Uвх1 должен быть таким, чтобы ток базы Iб = Iвх1/Rб обеспечил полное открытие транзистора VT, т.е транзистор должен работать в режиме насыщения. Тогда напряжение Uвых ~ Un – Rkik = Uko~0, т.к сопротивление коллектора в режиме насыщения невелико.
Uвх<Uпор транзистор VT закрыт (Uвых~Un), а при Uвх>Uвх1, Uвых = Uko, где Uko – напряжение на открытом транзисторе.
В реальном электронном ключе при открытом или закрытом состояниях, сопротивления имеют конечные значения, а также наблюдается промежуток времени при спаде, так и при нарастании напряжения Uвых, что ограничивает частоту f = 1/T переключения ключа.
Так, принцип работы транзисторного ключа заключается в его открытии входным сигналом Uвх или в его закрытии и в формировании перепада напряжения Um.