
- •1. Рівняння руху електрона в е/м полі, час та кут прольоту електрона.
- •2. Конвекційний та наведений струми. Теорема Шоклі-Рамо.
- •3. Електростатичний та динамічний методи модуляції електронного пучка.
- •4.Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу підсилювача на пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •5.Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення . Які описують роботу генератора па пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •6. Функціональна схема, принцип дії. Основні співвідношення . Які описують роботу помножувача частоти на пролітному клістроні. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •8. Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу лампи біжучої хвилі типу о. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •9. Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу лампи зворотньої хвилі типу о. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.(след.Стр.)
- •10.Функціональна схема, принципи дії, основні співвідношення , які описують роботу магнетрона. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.
- •13. Резонаторі системи пролітних клістронів,їх конструктивно технологічні -особливості
- •14. Резонаторні снстемн відбивних клістронів,їх конструктивно-технологічні особливості.
- •15. Резонаторні системи магнетронів,їх конструктивно технологічні особливості
- •16. Системи затримки лампи біжучої хвилі типу о, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •17. Системи затримки лампи зворотної хвилі типу о, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •18. Системи затримки лампи біжучої хвилі та зворотної хвилі типу м, їх конструктивно-технологічні особливості.
- •19. Фокусуючі системи вакуумних пристроїв нвч, їх конструктивно технологічні особливості
- •Соленоид
- •Постоянные магниты
- •Реверсная магнитная система и мпфс
- •20. Напівпровідникові p-n діоди, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч пристроях та ситемах
- •21. Детекторні та змішувальні нвч діоди, характеристики та застосування
- •22. Конструктивні особливості варакторних діодів та діодів Шотткі, характеристики та застосування
- •23. Конструктивні особливості діода на основі р-і-n структур, характеристики та застосування
- •24. Структура та моделі діода Ганна, умови формування домена, режими роботи
- •25. Функціональні схеми та принципи роботи генераторів на діодах Ганна
- •26. Структура та моделі лавинно-пролітного діода, режими роботи
- •27. Функціональна схема та принцип дії генератора на підсилювача на лавинно-пролітному діоді
- •28. Структура та моделі тунельного діода, режими роботи.
- •29. Функціональна схема та принцип дії генератора та підсилювача на тунеотному діоді.
- •30. Біполярні нвч-транзистори, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч пристроях та системах.
- •31.Польові нвч-транзистори, їх еквівалентні схеми та параметри, застосування в нвч-пристроях та системах
- •32.Принципи побудови та застосування нвч-систем побутового та медичного призначення
- •33. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування поглиначів електромагнітних хвиль
- •34. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування відгалужувачів електромагнітних хвиль.
- •35. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування фазообертачів електромагнітних хвиль.
- •35. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування феритового циркулятора електромагнітних хвиль.
- •36. Конструктивні особливості, принципи функціонування та застосування вимірювальної лінії електромагнітних хвиль.
27. Функціональна схема та принцип дії генератора на підсилювача на лавинно-пролітному діоді
ЛПД звичайно працює в режимі "розвинутого" пробою, коли різко зростає
робочий струм. На рис. 6.6 показана статична вольт-амперна характеристика
ЛПД.
Залежність
у робочій області струмів дуже крута
і струм ЛПД
необхідно обмежувати зовнішнім колом, в іншому випадку лавинний пробій
перейде в тепловий і діод вийде з ладу. Якщо ж діод підключений до
резонансної системи LC (рис. 6.7) і до діода, крім постійної напруги,
прикладена змінна, то в моменти негативних напівперіодів струм у діоді буде
різко зростати, а в моменти позитивних напівперіодів – припинятися (рис. 6.8).
Таким чином, у діоді під дією змінної напруги утворяться імпульси
струму.
У пролітній області потік носіїв заряду взаємодіє з полем НВЧ протягом часу ,
обумовленого
товщиною пролітної області W і швидкістю
руху носіїв
.
Вибираючи товщину W, встановлюють таке значення , при якому
фазове зрушення між струмом першої гармоніки і напругою близьке до π. При
цьому наростання напруги весь час буде супроводжуватися зменшенням
струму, а зменшення напруги, навпаки – ростом струму (рис. 6.9).
Це свідчить про те, що для даної частоти змінної напруги протягом усього
періоду коливань виконується умова негативного диференційного опору, тобто
.
Отже, завдяки інерційності лавинного,
процесу й наявності
пролітного
проміжку виконується умова фазування
,
а енергія
потоку носіїв заряду передається полю, що обумовлює генерацію коливань
НВЧ. Необхідна умова існування коливань:
де
–
період коливань генератора;
– час запізнювання струму щодо напруги
на діоді.
Ця умова визначає діапазонність генератора на ЛПД. Оскільки при перебудові зовнішнього резонатора зсув фаз між напругою і струмом першої гармоніки уже не дорівнює π, то генеруюча потужність зменшується. При підвищенні частоти генеруючих коливань потрібно зменшувати довжину пролітного простору і, отже, товщину шару лавинного множення. При постійній напруженості E це викликає необхідність зменшувати робочу напругу, що у свою чергу призводить до зниження генеруючої потужності.
Даний режим роботи ЛПД називають пролітним (IMPATT). у цьому режимі генерують коливання в діапазоні 1...340 ГГц. Режим характеризується ККД, приблизно рівним 30 %.
У ЛПД, крім пролітного режиму, можливий також аномальний режим, чи режим із захопленою плазмою (TRAPATT), що базується на двох фізичних явищах: існуванні захопленої плазми й періодичному переміщенні області лавинного пробою вздовж пролітної ділянки.
Для реалізації аномального режиму потрібна спеціальна коливальна система та діод зі структурою p+-n-n+-типу (рис. 6.10).
До діода повинен бути прикладений імпульс з амплітудою, що перевищує значення пробивної напруги приблизно у два рази. На відміну від пролітного режиму, у якому область лавинного множення зосереджена на p+-n- границі переходу, в аномальному режимі область лавинного множення охоплює всю n-область. Унаслідок високої провідності плазми напруга на діоді різко падає, а струм залишається великим, що забезпечує негативний динамічний опір приладу. Зниження напруженості електричного полю приводить до зменшення швидкості дрейфу електронів і дірок (згустків плазми), тому час розсмоктування плазми значно більший за час прольоту електронами області
дрейфу ЛПД у пролітному режимі. Таким чином, при одній і тій же ширині n-області частота коливань в аномальному режимі в кілька разів менша, ніж у пролітному.
Аномальний режим використовують у сантиметровому діапазоні хвиль, причому внаслідок того, що необхідно працювати з великими струмами й важко розсіювати велику потужність, у ЛПД використовують імпульсний режим із тривалістю імпульсу ~1 мкс. Діапазоні частот 1...4 ГГц. Від одного діода може бути отримана потужність більша 100 Вт, при ККД до 25...40%, на частотах ~10 ГГц імпульсна потужність досягає 30 Вт.
Конструкції ЛПД постійно удосконалюються. Поряд з германієвими та кремнієвими діодами використовуються діоди на арсеніді галію, у тому числі з бар'єром Шотки. Крім діодів з одним пролітним простором (однопрогонових), використовуються діоди з двома пролітними просторами. Удосконалюються способи відводу тепла від переходів, у результаті чого з'являється можливість збільшити вихідну потужність ЛПД.