Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
СПТЗІ_2_лаб6.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
20.04.2019
Размер:
560.64 Кб
Скачать

Порядок виконання роботи

  1. Синтезувати схему, рис.4.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=20В і Е2=4В. Зняти вхідну ВАХ IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const, вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора J1- 2N3972.

  2. Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутизну характеристики транзистора включеного у схему рис.4.а).

  3. Синтезувати схему, рис.4.б,), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=15В і Е2=5В. Зняти вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора M1- IRF024.

  4. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів.

а) б)

Рис.4. Схеми дослідження різних видів польових транзисторів: а) включення транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу зі спільним витоком, б) включення транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу зі спільним витоком.

Методичні вказівки

Транзистори можна вибирати таким способом - вибрати у рядку інструментів Компоненты рис.5., відриється вікно у якому вибирають елементи, наприклад транзистор з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу, і розміщають у будь-якому місці робочого вікна.

Вибрати джерело живлення можна, наприклад, таким шляхом – зайти в Компоненты і вибрати Analog Primitives. Після того як відкриється вікно вибрати джерела живлення різного призначення, наприклад Waveform Sources. В цьому розділі вибираємо джерело живлення необхідне для реалізації схеми, наприклад використовуємо джерело типу Battery.

Рис.5. Вікно вибору Компоненты .

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлює опції і параметри . Для побудови вхідної характеристики транзистора, включеного у схему рис.4.а), IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const необхідно встановити параметри див.рис. 6. Вихідну характеристику IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const можна отримати подібним способом див.рис.7.

Рис.6. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вхідної характеристики.

Рис.7. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вихідної характеристики.

Отримати ВАХ для транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу можна використовуючи опцію Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току див.рис. 8.

Рис.8. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови ВАХ складеного транзистора.

Використавши з панелі інструментів можемо отримати значення напруги у будь-якій точці графіка , в даному випадку напруга = 1.4В.

Для визначення вихідного диференціального опору на одній із стокових характеристик(див.рис.9) будують характеристичний трикутник АВС, з якого знаходять

(3)

На стоково-затворній характеристиці (рис.10) визначають значення напруги відсічки .

Для визначення крутизни характеристики на стоково-затворній характеристиці будують характеристичний трикутник АВС, з якого знаходять

(мА/В). (4)

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]