Порядок виконання роботи

Синтезувати схему, рис.6., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А .
Зняти вхідну ВАХ I_Е=f(U_БЕ) якщо U_K_Б =const, вихідну ВАХ I_K=f(U_K_Б) якщо I_Е=const.
Розрахувати h_б-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою.

Рис.5. Схеми дослідження транзистора, включеного у схему зі спільною базою.

Методичні вказівки

Транзистори можна вибирати таким способом - вибрати у рядку інструментів Компоненты рис.6., відриється вікно у якому вибирають елементи, наприклад n-p-n транзистор, і розміщають у будь-якому місці робочого вікна.

Вибрати джерело живлення можна, наприклад, таким шляхом – зайти в Компоненты і вибрати Analog Primitives. Після того як відкриється вікно вибрати джерела живлення різного призначення, наприклад Waveform Sources. В цьому розділі вибираємо джерело живлення необхідне для реалізації схеми, наприклад використовуємо джерела типу Voltage Source див рис.7,8.

Рис.6. Вікно вибору Компоненты .

Рис.7. Вибір параметрів джерела постійної напруги.

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлює опції і параметри . Для побудови вхідної характеристики транзистора, включеного у схему рис.5, I_Е=f(U_БЕ) якщо U_K_Б =const необхідно встановити параметри див.рис. 9. Вихідну характеристику I_K=f(U_K_Б) якщо I_Е=const можна отримати подібним способом див.рис.10.

Для визначення h_б-параметрів транзистора використовують метод характеристичного трикутника. Як приклад розглянемо рис.11 і рис.12.

На вхідних характеристиках транзистора будують характеристичний трикутник аbс (рис.11), з якого знаходимо h₁₁_б  вхідний опір транзистора в схемі з спільною базою

при

де , а

Рис.8. Вибір параметрів джерела постійної напруги.

Рис.9. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вхідної характеристики.

Рис.10. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вихідної характеристики.

Отже,

З цього ж трикутника визначаємо h₁₂_б  коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при

де , а

Підставляємо значення і у вираз для h₁₂_б і отримуємо

Параметри h_21б і h_22б визначають за вихідними характеристиками, які зображені на рис.12. Побудувавши характеристичний трикутник fnk знаходимо h_21б  коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою.

при