Порядок виконання роботи

1. Синтезувати схему, рис.7.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти вхідну ВАХ I_Б=f(U_БЕ) якщо U_KЕ =const, вихідну ВАХ I_K=f(U_KЕ) якщо I_Б=const. Для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613.

2. Визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора включеного у схему зі спільним емітером рис.7.а).

3. Синтезувати схему, рис.7.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ I_K(Q1)+I_К(Q2)=f(E1) якщо I_Б1=const для транзисторів n-p-n типу Q1,2- 2N1613.

4. Синтезувати схему, рис.7.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ -I(Е1)=f(E1) якщо I_Б1=const для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132.

5. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. Порівняти вихідні струми транзисторів.

а) б)

в)

Рис.7. Схеми дослідження різних видів транзисторів: а) включення зі спільним емітером, б) складений транзистор, в) комплементарний транзистор.

Методичні вказівки

Транзистори можна вибирати таким способом - вибрати у рядку інструментів Компоненты рис.8., відриється вікно у якому вибирають елементи, наприклад p-n-p транзистор, і розміщають у будь-якому місці робочого вікна.

Вибрати джерело живлення можна, наприклад, таким шляхом – зайти в Компоненты і вибрати Analog Primitives. Після того як відкриється вікно вибрати джерела живлення різного призначення, наприклад Waveform Sources. В цьому розділі вибираємо джерело живлення необхідне для реалізації схеми, наприклад використовуємо джерела типу ISource і Voltage Source див рис.9,10.

Рис.8. Вікно вибору Компоненты .

Рис.9. Вибір параметрів джерела струму.

Рис.10. Вибір параметрів джерела постійної напруги.

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлює опції і параметри . Для побудови вхідної характеристики транзистора, включеного у схему рис.7.а), I_Б=f(U_БЕ) якщо U_KЕ =const необхідно встановити параметри див.рис. 12. Вихідну характеристику I_K=f(U_KЕ) якщо I_Б=const можна отримати подібним способом див.рис.13.

Користуючись сімейством вихідних характеристик транзистора (див. рис.11.а), можна визначити значення коефіцієнта підсилення за струмом. Припустимо, що транзистор працює при напрузі між колектором і емітером U_ке=5 В, а струм бази складає І_б=40 мкА. Цьому режиму в сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка А. Взявши прирости І_б=40 мкА і І_к =1 мА між точками В і С при сталій напрузі U_ке=5 В, визначаємо

Визначення необхідно проводити для напруги U_ке,, яка становить

п риблизно 50% від максимального значення цієї напруги для даного типу транзистора.

Рис.12. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вхідної характеристики.

Вхідний опір транзистора R_вх можна знайти з вхідних характеристик (див. рис.11.б). Точка А відповідає тому ж режиму, що і на вихідній характеристиці. За приростами І_б = 30 мкА і U_бе = 60 мВ між точками В і С при сталій напрузі U_ке =5 В, знаходимо

Ом.

Рис.13. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вихідної характеристики.

Отримати ВАХ для складеного і комплементарного транзисторів можна використовуючи опцію Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току див.рис. 14 і рис.15.

Рис.14. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови ВАХ складеного транзистора.

Рис.15. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови ВАХ комплементарного транзистора.

Використавши з панелі інструментів можемо отримаємати значення напруги у будь-якій точці графіка , в даному випадку напруга = 1.4В.