
- •Строение вещества:
- •3) Адиабатный процесс, процесс, происходящий в физической системе без теплообмена с окружающей средой.
- •Энтропия по Больцману
- •Строение вещества элементарные частицы
- •4) Типы радиоактивных распадов
- •6) Термоядерная реакция— разновидность ядерной реакции, при которой лёгкие атомные ядра объединяются в более тяжёлые ядра.
- •7 ) Бета-распад нейтрона — спонтанное превращение свободного нейтрона в протон с излучением β-частицы (электрона) и электронного антинейтрино.
- •8) Методы наблюдения и регистрации элементарных частиц
- •21) Уравнение Шредингера для частицы вблизи потенциального барьера прямоугольной формы.
- •С тационарные уравнения Шредингера имеют вид:
- •25) Спин — собственный момент импульса элементарных частиц, имеющий квантовую природу и не связанный с перемещением частицы как целого.
25) Спин — собственный момент импульса элементарных частиц, имеющий квантовую природу и не связанный с перемещением частицы как целого.
—
спин
электрона в единицах
Паули принцип - фундаментальный принцип квантовой механику согласно которому у системы тождественных элементарных частиц с полуцелым спином каждое квантовое состояние заполнено не более чем одной частицей.
Принцип зонной теории твёрдого тела :В основе зонной теории лежит так называемое адиабатическое приближение. Квантово-механическая система разделяется на тяжелые и легкие частицы - ядра и электроны. Поскольку массы и скорости этих частиц значительно различаются, можно считать, что движение электронов происходит в поле неподвижных ядер, а медленно движущиеся ядра находятся в усредненном поле всех электронов. Принимая, что ядра в узлах кристаллической решетки неподвижны, движение электрона рассматривается в постоянном периодическом поле ядер.
Полупроводниками являются твердые тела, которые при Т = 0 характеризуются полностью занятой электронами валентной зоной, отделенной от зоны проводимости сравнительно узкой (DЕ порядка 1 эВ) запрещенной зоной.
Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники - примесными полупроводниками. Примесная проводимость обусловлена примесями (атомы посторонних элементов), а также дефектами типа избыточных атомов (по сравнению со стехиометрическим составом), тепловыми (пустые узлы или атомы в междоузлиях) и механическими (трещины, дислокации и т. д.) дефектами. Введение примеси искажает поле решетки, что приводит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. Таким образом, в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов, носителями тока являются электроны;