
- •Введение
- •Тема 5. Электронные приборы
- •Лекция 18. Физические свойства полупроводниковых материалов. Диоды
- •1. Электропроводность металлов и диэлектриков
- •2. Электропроводность полупроводников
- •Электропроводность примесных
- •4. Электронно-дырочный переход
- •4.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего электрического поля
- •Электронно-дырочный переход под воздействием внешнего электрического поля
- •5. Основные параметры и типы
- •Контрольные вопросы и задачи
- •Лекция 19. Транзисторы.
- •Классификация транзисторов
- •Биполярные транзисторы
- •Модуль коэффициента передачи определяется выражением
- •3. Полевые транзисторы
- •Общие сведения об igbt транзисторах
- •Интегральные микросхемы
- •Лекция 20. Силовые полупроводниковые приборы
- •Динисторы
- •Тиристоры
- •3. Симисторы
- •4. Статический индукционный транзистор
- •Тема 6. Электронные устройства лекция 21. Резистивные усилители сигналов низкой частоты
- •Классификация усилителей
- •Принцип работы резистивного усилителя
- •2.1 Схемы смещения и температурной стабилизации
- •Модуль коэффициента усиления определяется выражением:
- •Обозначим
- •4. Дифференциальный усилитель
- •При кu → ∞ коэффициент усиления схемы с оос определяется простым отношением
- •Частотные свойства оу
- •Электрические фильтры
- •Фильтр нижних частот
- •2.2.Фильтр верхних частот
- •Ачх фильтра приведена на рис. 22.5, б.
- •2.3 Полосовой фильтр
- •Избирательные усилители
- •Коэффициент передачи моста Вина в цепи пос определяется выражением
- •Лекция 23. Усилители мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •2. Двухтактный усилитель мощности
- •Лекция 24. Генераторы электрических сигналов
- •1. Назначение и классификация генераторов
- •2. Принципы построения генераторов
- •3. Генераторы гармонических колебаний
- •Трехточечные схемы генераторов
- •Лекция 25. Импульсные устройства
- •1. Общие сведения об импульсных сигналах
- •2. Электронные ключи
- •3. Компараторы
- •4. Формирующие цепи
- •Триггеры
- •Лекция 26. Генераторы импульсных сигналов
- •Мультивибраторы
- •2. Генераторы линейно изменяющегося напряжения
- •Если напряжение на входе оу постоянное, то на его выходе формируется линейно изменяющееся напряжение
- •Линейно убывает и в момент t3 принимает значение:
- •Далее значение uглин периодически изменяется от –0,79 в до 3,2 в, а uос от –2,32 в до 4,31 в.
- •Лекция 27. Источники питания электронных устройств
- •Общая характеристика вторичных
- •2. Однофазные выпрямители тока
- •2.1 Однофазные выпрямители
- •Трехфазные выпрямители
- •Управляемые выпрямители
- •3. Сглаживающие фильтры
- •3. Стабилизаторы напряжения
- •Лекция 28. Применение электронных устройств в технике птм
- •Электронные регуляторы напряжения
- •Электронные схемы управления стартером
- •3. Электронные системы зажигания
- •3.1. Основные этапы развития электронных систем зажигания
- •3.2. Датчики углового положения коленчатого вала двс
- •3.3. Коммутаторы
- •3.3.1. Коммутаторы с нормируемой скважностью
- •Тема 7. Цифровые устройства лекция 29. Введение в цифровую электронику
- •Общие сведения о цифровых сигналах
- •Основные операции и элементы
- •Основные теоремы алгебры логики
- •Булевы функции (функции логики)
- •Для элемента "или-не"
- •Для элемента "и-не"
- •Минимизация булевых функций
- •Лекция 30. Комбинационные устройства
- •1. Шифраторы
- •Дешифраторы, преобразователи кодов,
- •Сумматоры
- •Цифровые компараторы
- •Арифметико – логические устройства
- •Лекция 31. Триггеры
- •Общие сведения и классификация триггеров
- •Rs триггер на элементах “или – не”
- •Rs триггер на элементах “и – не”
- •Синхронные rs-триггеры
- •5. Универсальные триггеры
- •Лекция 32. Последовательностные устройства
- •1. Счетчики импульсов
- •Регистры
- •Цифровые запоминающие устройства
- •Лекция 33. Цифро-аналоговые и аналого- цифровые преобразователи
- •Цифро-аналоговые преобразователи
- •2. Аналого-цифровые преобразователи
- •2.1. Ацп последовательного счета.
- •2.1. Ацп поразрядного уравновешивания
- •Ацп одновременного считывания
- •Лекция 34. Микропроцессоры
- •Общие сведения
- •Структура микропроцессора
- •Секционированные микропроцессоры
- •Заключение
- •Тема 5. Электронные приборы 5
- •Тема 6. Электронные устройства 47
- •Тема 7. Цифровые устройства 169
Тема 5. Электронные приборы
С точки зрения электропроводности все материалы разделяются на проводники, диэлектрики и полупроводники. В основу построения современных электронных приборов положено применение полупроводниковых материалов: – германия, кремния, арсенида-галия, индия, карбида кремния и др. Почему эти материалы названы полупроводниками? Каковы их свойства и как эти свойства используют для построения электронных приборов? Ответы на эти и другие вопросы составляют содержание данной темы.
Лекция 18. Физические свойства полупроводниковых материалов. Диоды
1. Электропроводность металлов и диэлектриков
В состав всех тел входят одинаковые по своим свойствам элементарные заряженные частицы – носители зарядов. Но различные тела обладают разными электрическими свойствами. Различие свойств обусловлено разным характером движения носителей зарядов в разных телах. В одних телах заряженные частицы под действием внешнего электрического поля могут свободно перемещаться от атома к атому. Такие тела называют проводниками. В других, под действием внешнего поля, происходит лишь небольшое смещение частиц. Эти тела называют диэлектриками.
Долгое время характер движения носителей зарядов объясняли различной степенью связи атомов в проводниках и диэлектриках. В действительности разделение тел на проводники и диэлектрики определяется различной структурой их энергетического спектра, т. е. объясняется законами квантовой механики.
В квантовой механике движение носителей зарядов объясняется принципом Паули. Согласно этому принципу, изолированный атом вещества обладает набором энергетических состояний (уровней). Набор энергетических уровней атома получил название энергетического спектра. Пример графического изображения спектра приведен на рис. 18.1, а. Разрешенный i-й уровень энергии атома обозначают символом εi. Графически ему соответствует горизонтальная линия.
Энергия электронов атома может принимать только те уровни, которые находятся в его наборе. Кроме того, электроны обладают собственным моментом количества движения (спином). Проекция спина на какую-либо ось может иметь только два значения. Это означает, что в каждом энергетическом состоянии может находиться только один электрон с определенной ориентацией спина. Другими словами, любое энергетическое состояние атома может быть свободным или занятым, но если оно занято, то только одним электроном и не более.
При объединении атомов в кристалл образуются «кристаллические решетки». Ядра атомов занимают места в узлах решетки. Электронные оболочки атомов в большей или меньшей степени перекрываются. Теперь они принадлежат не отдельному атому, а всей решетке. Общим становится и энергетический спектр. Из каждого энергетического уровня εi возникает полоса уровней. Такую полосу называют разрешенной зоной.
Расстояние между разрешенными зонами называют запрещенной зоной. Число электронов в разрешенной зоне равно числу однородных атомов в кристалле. Однако и в разрешенной зоне каждый электрон c определенной ориентацией спина занимает свой, отличный от других электронов, уровень. Энергетический спектр кристаллической решетки принимает вид, приведенный на рис. 18.1, б.
Обозначим ширину разрешенной зоны ∆ε, а минимальный интервал между разрешенными энергетическими уровнями в этой зоне – ∆э. Тогда, согласно принципу Паули, максимальное число электронов в одной зоне не может быть больше nε = ∆ε ∕ ∆э.
Чтобы энергия кристалла была минимальной, нужно сначала заполнить самую низкую зону, затем более высокую и т. д., пока не исчерпаются все электроны. При таком размещении электронов возможны два варианта:
– электроны полностью заполнят несколько разрешенных зон, а остальные разрешенные зоны останутся свободными,
– в последней из заполняемых зон останутся незанятые уровни.
Если к кристаллу по первому варианту приложить электрическое поле, то его электроны получат дополнительную энергию и начнут ускоряться. Но перейти на более высокий энергетический уровень в пределах разрешенной зоны они не могут, так как все уровни заняты.
Чтобы перейти в свободную разрешенную зону, электронам необходимо преодолеть запрещенную зону. Если ширина запрещенной зоны большая, электроны преодолеть ее не могут. Это означает, что кристалл не имеет свободных носителей зарядов и является диэлектриком.
Ширина запрещенной зоны диэлектриков очень большая – несколько единиц эВ (больше 4 эВ). Чтобы переход стал возможным, к кристаллу нужно приложить напряжение, способное разрушить его структуру. Такое напряжение называют напряжением электрического пробоя.
Во втором варианте под влиянием электрического поля электроны ускоряются и переходят на свободный, более высокий энергетический уровень в разрешенной зоне. Это означает, что возможно протекание тока при сколь угодно слабом электрическом поле. Кристалл является проводником. Следует отметить, что ширина запрещенной зоны проводников мала, а у металлов она практически отсутствует. Поэтому проводимость металлов обычно высока.