
- •А.И. Тихонов информационно-измерительная техника и электроника
- •Оглавление
- •Глава 1. Электроника – основа построения устройств информационно-измерительной техники 8
- •Глава 2. Информационно - измерительная техника 177
- •Введение
- •Определение
- •1.1.1. Энергетические зоны и физические основы собственной электропроводности полупроводников
- •1.1.2. Электропроводность собственного полупроводника
- •1.1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.2. Полупроводниковые диоды и их типы
- •1.2.1. Диоды Шоттки на основе контакта «металл-полупроводник»
- •1.2.2. Выпрямительные диоды
- •1.2.3. Импульсные диоды
- •1.2.4. Варикапы
- •1.2.5. Стабилитроны
- •1.2.6. Высокочастотные диоды и диоды Шоттки
- •1.2.7. Туннельные и обращенные диоды
- •1.3. Оптоэлектронные приборы
- •1.3.1. Фоторезисторы
- •1.3.2. Фотодиоды
- •1.3.3. Светоизлучающие диоды
- •1.3.4. Оптроны
- •1.4. Полупроводниковые приборы без р-n перехода
- •1.4.1. Терморезисторы
- •1.4.2 Варисторы
- •1.4.3. Тензорезисторы
- •1.4.4. Магниторезисторы
- •1.4.5. Холлотроны (датчики Холла)
- •1.5. Биполярные транзисторы
- •1.6. Полевые транзисторы
- •1.7. Тиристоры и их применение в устройствах информационно-измерительной техники и электроснабжения
- •2. Усилители переменного и постоянного тока
- •2.1. Классификация и основные параметры электронных усилителей
- •2.1.1. Классификация эу
- •2.1.2. Параметры эу
- •2.2. Усилительный каскад (ук) на биполярных транзисторах
- •2.2.1. Три схемы включения бпт на ук
- •2.2.2. Принцип работы усилителя на бпт
- •2.2.3. Рабочий режим и элементы схемы
- •2.2.4. Основные статические и динамические параметры
- •2.3. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •2.3.1. Три схемы включения и расчетные параметры
- •2.3.2. Сравнительные данные ук на пт и бпт
- •2.3.3. Применение полевых транзисторов в качестве управляемых ключей и сопротивлений
- •2.4. Усилители с обратными связями
- •2.4.1. Виды обратных связей
- •2.4.2. Усилители напряжения, тока и мощности
- •1. Усилители класса а
- •2. Кпд усилителя класса в
- •3. Практические критерии отличия усилителей
- •2.4.3. Схема оос по напряжению
- •2.4.4. Эмиттерный повторитель
- •2.5. Усилители постоянного тока
- •2.5.1. Требования к усилителям постоянного тока и основные понятия
- •2.5.2. Дифференциальные усилители
- •2.5.3 Операционные усилители
- •2.5.4. Практическое применение операционных усилителей в аналоговых устройствах иит Неинвертирующий усилитель
- •Инвертирующий оу
- •3. Дискретные (импульсные) устройства
- •3.1. Основные параметры импульсных сигналов
- •3.2. Электронные ключи и формирователи импульсов
- •3.3. Компараторы и триггеры на оу и бпт
- •3.4. Импульсные генераторы на оу
- •3.5. Логические элементы
- •4. Элементы интегральной электроники-основа построения современных устройств иит
- •4.1. Комбинационные логические схемы
- •4.2. Счётчики и регистры
- •4.3. Запоминающие устройства
- •4.4. Преобразователи кодов
- •4.5. Элементы индикации
- •Тестовые задания по электронике для самопроверки
- •Глава 2. Информационно - измерительная техника
- •1. Средства измерений
- •1.1. Измерения. Основные понятия метрологии. Классификация средств измерений
- •Основные понятия и определения
- •Измерение. Измеряемые величины
- •Физическая величина. Единица физической величины
- •Системы единиц физических величин
- •Меры и наборы мер
- •Измерительные приборы
- •1.2. Виды и методы измерений
- •1.2.1. Классификация видов измерений
- •Виды измерений
- •1.2.2. Обзор методов измерений
- •1.2.3. Методы измерений и их классификация
- •Методы измерений
- •1.3. Основные погрешности измерений
- •Абсолютные и относительные погрешности
- •Погрешности инструментальные и методические, отсчитывания и установки
- •Понятие точности
- •2. Измерительные преобразователи
- •2.1. Измерительная цепь и ее элементы
- •2.2. Простейшие измерительные преобразователи тока и напряжения
- •2.2.1. Шунты
- •2.2.2. Добавочные сопротивления
- •2.2.3. Дополнительные измерительные преобразователи
- •2.3. Измерительные трансформаторы напряжения и тока
- •3. Аналоговые электромеханические приборы Общие сведения
- •Отсчетное устройство аналоговых эип.
- •3.1. Приборы магнитоэлектрической системы
- •3.2. Приборы электромагнитной систем
- •3.3. Приборы электродинамической системы
- •3.4. Приборы индукционной системы Общие сведения
- •3.5. Приборы детекторной системы Амперметры и вольтметры выпрямительной системы.
- •3.6. Приборы термоэлектрической системы
- •3.7. Приборы электростатической системы
- •4. Электронные аналоговые и цифровые измерительные приборы
- •Аналоговые электронные вольтметры Общие сведения
- •Основные узлы аналоговых электронных вольтметров переменного тока
- •Преобразователи амплитудного значения
- •Преобразователи средневыпрямленного значения.
- •4.1. Классификация электронных измерительных приборов
- •4.2. Стрелочные измерительные приборы
- •4.3. Цифровые электронные приборы
- •4.3.1. Цифровые вольтметры
- •Цв прямого преобразования
- •Цифровой вольтметр постоянного тока с времяимпульсным преобразованием
- •Цифровой вольтметр времяимпульсного преобразования с двойным интегрированием
- •4.3.2. Цифровые амперметры и омметры Цифровые амперметры
- •Цифровые омметры
- •4.3.3. Цифровые ваттметры и счетчики электрической энергии
- •Принцип перемножения с помощью шим-аим
- •Импульсный интегратор (ии)
- •4.3.4. Частотомеры-периодомеры Методы измерения частоты
- •Методы измерения периода
- •5. Электронно-лучевые осциллографы
- •Применение электронного осциллографа для измерений
- •6. Измерительные приборы промышленной электроники
- •7. Информационно-измерительные системы
- •Тестовые задания по информационно-измерительной технике
- •Заключение
- •Библиографический список к первой главе
- •Библиографический список ко второй главе
- •Анатолий Иванович Тихонов, канд. Техн. Наук, доцент информационно-измерительная техника и электроника
1.3.3. Светоизлучающие диоды
Светоизлучающим диодом (светодиодом) называется полупроводниковый прибор, служащий для преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения на основе инжекционной электролюминесценции, происходящей в p-n-переходе при рекомбинации электронов и дырок при подаче на диод достаточно больших прямых токов.
Наибольшей эффективностью в излучении обладают p-n-переходы на основе полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны ΔW33, таких как GaAs, GaP, SiC. Светодиоды испускают некогерентное излучение с узким спектром. Длина волны излучения λизл зависит от материала полупроводников и их легирования:
(46)
В соответствии с этим выпускаются светодиоды с различным цветом излучения: GaAs – инфракрасное излучение с λизл ≈ 0,9мкм; GaP – оранжево-красные с λизл ≈ 0,6-0,7мкм и SiC – голубое и зеленое излучение с λизл ≈ 0,46-0,6мкм. Яркость излучения большинства светодиодов находится на уровне 103-105кд/м2. КПД светодиодов видимого излучения составляет от 0,01 % до нескольких процентов. Указанная яркость излучения светодиодов, используемых в современной радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) для визуального воспроизведения информации, реализуется при сравнительно небольших токах (5– 20 мА) и напряжениях (1,5–3 В), что позволяет легко их применять совместно с цифровыми микросхемами, как при низком уровне сигнала на их выходе (рис.41,а), так и высоком (рис. 41,б).
Рис. 41. Схемы присоединения светодиодов к логическому элементу (а – при низком уровне сигнала на выходе логического элемента; б – при высоком)
В современной классификации излучающих полупроводниковых приборов, основным элементом в которых является светодиод, различают полупроводниковые генераторы излучения (для использования в волоконно-оптических линиях передачи информации, в беспроводных линиях связи в пределах прямой видимости, в составе оптоэлектронных пар для преобразования электрического сигнала в оптический, а также для накачки твердотельных лазеров) и полупроводниковые индикаторы – для визуального восприятия информации в РЭА. Широкое применение светодиоды находят в точечных и знаковых сегментных индикаторах в виде матриц и буквенно-цифровых дисплеях, в частности, в виде бегущей строки.
Светодиоды обозначают буквами АЛ, АЛС, ИЛ, КЛ в сочетании с цифрами, например АЛ305А – знаковый светодиод, красного свечения, с яркостью свечения 350 кд/м2. Конструкция и основные характеристики светодиода показаны на рис. 42 и 43.
Рис. 42. Устройство светодиода: 1 – линза; 2 – металлический баллон; 3 – полупроводниковый кристалл с p-n переходом; 4 – изолирующее основание; 5 – выводы
Рис. 43. Характеристики светодиода: а – вольтамперная; б – яркостная
Типовые данные некоторых светодиодов показаны в таблице 2.
Таблица 2
Тип |
Цвет свечения |
Напряжение Uпр, В |
Ток Iпр, мА |
АЛ113А АЛ304В АЛС321А АЛС334А АЛС335А |
Красный Зеленый Желто-зеленый Желтый
|
2 3 3,6 3,3 3,5 |
5 10 20 20 20 |
К особой группе полупроводниковых генераторов излучения следует отнести полупроводниковые лазеры, в которых излучающие p-n переходы размещаются между высококачественными отражателями, образующими оптические резонаторы, благодаря чему излучение становится монохроматическим и когерентным. Эти приборы являются перспективными для передачи информации по оптическим линиям связи вместо проводов [12].