
- •55. Объясните процесс прохождения тока в собственном и примесном полупроводнике.
- •56. Какой полупроводник называется примесным и чем объясняется его широкое применение.
- •5 7. Донорная примесь в полупроводнике.
- •5 8. Акцепторная примесь в полупроводнике.
- •59. Что такое дрейф и диффузия носителей заряда в полупроводнике.
- •60. Дайте определение p-n перехода. Объясните физический смысл процессов , протекающих в p-n переходе при приложении прямого и обратного напряжения.
55. Объясните процесс прохождения тока в собственном и примесном полупроводнике.
Полупроводник без примесей называют собственным полупроводником. Он обладает собственной электропроводностью, которая складывается из электронной и дырочной электропроводностью. При этом, не смотря на то, что число электронов и дырок проводимости в собственном полупроводнике одинаково, электронная электропроводность преобладает, что объясняется большей подвижностью электронов по сравнению с подвижностью дырок. Электронная электропроводность обусловлена перемещением электронов проводимости. При обычных, рабочих температурах в полупроводниках всегда имеются электроны проводимости, которые слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение м/у атомами кристаллической решётки. Эти электроны под действием разности потенциалов могут начать двигаться в определённом направлении. Такое дополнительное движение и есть электр.ток. В атоме полупроводника под влиянием тепловых или других воздействий один или более удаленных от ядра валентных электронов переходит в зону проводимости. Тогда атом будет иметь один положительный заряд, численно равный заряду электрона. Отсутствие электрона в атоме полупроводника условно назвали дыркой.
В
беспримесном полупроводнике при
абсолютном нуле (Т=0К)
все уровни валентной зоны заняты, а зоны
проводимости – свободны, свободных
носителей нет, электропроводность равна
нулю. При повышении температуры (Т0К)
отдельные электроны приобретают энергию,
достаточную для перехода из валентной
зоны в зону проводимости, где электрон
становится свободным и может двигаться
под воздействием электрического поля
(см. рис. 3.1). Но при уходе из валентной
зоны электрон оставляет там “вакантное”
место - освободившийся разрешенный
уровень, который может быть занят
соседним электроном валентной зоны, т.
е. появляется возможность движения
свободных зарядов и в валентной зоне.
Поэтому в результате акта перехода
одного электрона из валентной зоны в
зону проводимости в полупроводнике
появляется два
свободных носителя – электрон (п)
в зоне проводимости и свободный уровень
в валентной зоне – дырка (р).
В собственном полупроводнике число
свободных электронов (пi
) и число дырок (рi
) равны:
пi = рi .
Если к полупроводнику не приложено напряжение, то электроны и дырки проводимости совершают хаотическое тепловое движение и тока нет. Под действие разности потенциалов в полупроводнике возникает электрическое поле, которое ускоряет электроны и дырки и сообщает им ещё некоторое поступательное движение , представляющее собой ток проводимости. Движение носителей заряда под действием элект поля иначе называют дрейфом носителей, а ток проводимости- током дрейфа. Полный ток проводимости складывается из электронного и дырочного тока проводимости. Несмотря на то что электроны и дырки движутся в противоположных направлениях, эти токи складываются так как движение дырок представляет собой перемещение электронов.
1) электропроводность собственного полупроводника очень резко зависит от ширины запрещенной зоны, так при Т=300 К для германия ni = 2,51013, для кремния ni = 21010, т. е. электропроводность кремния на 3 порядка меньше электропроводности германия;
2) электропроводность собственного полупроводника очень сильно зависит от температуры.
Рассмотрим прохождение тока ч/з полупроводники с разным типом электропроводности(током неосновных носителей пренебрегаем). Под действием ЭДС источника в проводах, соединяющих полупроводник n-типа с источником, и в самом полупроводнике движутся электроны проводимости. В соединительных проводах полупроводника р-типа по-прежнему движутся электроны, а в самом полупроводнике ток следует рассматривать как движение дырок. Электроны с отрицательного полюса поступают в полупроводник и заполняют пришедшие сюда дырки. К положит полюсу приходят электроны из соседних частей полупроводника и в этих частях образуются дырки.