
- •Физика конденсированного состояния вещества
- •Вводная глава
- •§1. Понятие пространства и времени.
- •§2.Масса, энергия, относительность
- •§3.Симметрия и асимметрия в неживой природе.
- •Глава I. Абстрактные группы
- •§1.Группа
- •§2.Сдвиг по группе
- •§3.Подгруппа
- •§4.Сопряжённые элементы и класс
- •§5.Инвариантная подгруппа
- •§6.Фактор – группа
- •§7. Изоморфизм и гомоморфизм групп
- •§8. Представления групп
- •§9. Характеры представлений
- •§10.Регулярное представление
- •§11. Примеры групп имеющих, приложение в физике
- •§12.Теория групп и квантовая механика
- •Глава II.Описание структуры кристаллов
- •§1.Общие свойства макроскопических тел
- •§2. Точечные группы.
- •§3. Симметрия кристаллов
- •§4.Сингонии.
- •§5.Неприводимые представления группы трансляций
- •§5.Конкретные примеры прямой и обратной решёток
- •1) Прямые решётки.
- •§6.Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле
- •§7.Определение структуры кристаллов.
- •§8. Атомный и геометрический структурный факторы
- •Глава III Движение электрона в периодическом поле
- •§1. Адиабатическое приближение
- •§2. Уравнения Хартри
- •§3 Уравнения Хартри-Фока
- •§4.Обменное взаимодействие
- •§5. Кристаллический потенциал и свойства симметрии гамильтониана
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
- •§8. Приближение свободных электронов
- •§9. Плотность состояний
- •§10. Эффективная масса электронов
- •§11.Приближение почти свободных электронов
- •§12.Метод сильной связи
- •§13. Поверхность Ферми
- •§14. Химический потенциал и физическая статистика
- •Глава IV. Силы связи в кристаллах
- •§1. Силы Ван - дер – Ваальса
- •§2. Ионные кристаллы
- •§3.Ковалентная связь
- •§4. Металлическая связь
- •§5.Водородная связь.
- •Глава V. Динамика решётки.
- •§1. Силы упругости в кристаллах.
- •§2.Колебания и волны в одномерной атомной цепочке.
- •§3. Колебания и волны в двухатомной одномерной цепочке
- •§ 4.Нормальные колебания в трёхмерных кристаллах
- •§5. Понятие о фононах
- •§6.Спектр нормальных колебаний решётки.
- •§7.Теплоёмкость твёрдого тела
- •§8.Теплоёмкость электронного газа
- •Глава VI. Физика полупроводников
- •§1.Собственные полупроводники
- •§2. Примесные полупроводники
- •§3.Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •§4.Положение уровня Ферми и концентрация носителей в собственных полупроводниках
- •§5. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •Глава VII Кинетические свойства твёрдых тел
- •§1. Электропроводность
- •§2. Вычисление времени релаксации
- •§3. Кинетическое уравнение Больцмана
- •§4.Статическая проводимость
- •§5. Классическая теория электропроводности в магнитном поле
- •Глава VIII Растворы и химические соединения Введение
- •§1. Фазовая диаграмма.
- •§2. Упорядоченные растворы.
- •§3.Фазовые превращения.
- •§4. Типы фазовых диаграмм.
- •§5. Системы с образованием химических соединений
- •§6. Сплавы типа растворов внедрения.
- •§7. Упорядочение в сплавах
- •§8. Электронное строение сплавов и неупорядоченных систем
- •§9. Ближний порядок в сплавах
- •§10. Статистическая теория ближнего порядка
- •§11. Факторы, обусловливающие ближний порядок
- •Глава IX.Строение жидкостей и аморфных тел
- •§1. Особенности твёрдого, жидкого и газообразного состояний вещества
- •§2. Радиальные функции распределения межатомных расстояний и атомной плотности
- •§3. Функции распределения в статистической физике
- •§4.Уравнение для бинарной функции распределения
- •§5. Решение уравнения для бинарной функции распределения
- •§6.Уравнение Перкуса – Йевика
- •Глава X.Элементы физики жидких кристаллов Введение
- •§1.Классификация жидких кристаллов
- •2.Смектики c.
- •Смектики b.
- •Заключение. Фуллерены. Углеродные нити
§6. Теорема Блоха
Поскольку
уравнение Шрёдингера является уравнением
в частных производных для его решения
необходимо установить класс функций
и граничные условия для них, которые
будут удовлетворять этому уравнению.
Задача эта решается учётом симметрии
решётки. Поскольку она периодична,
распределение зарядовой плотности в
каждой ячейке кристалла должно быть
одинаковым, а сама ячейка электрически
нейтральной. Пусть
–
волновая функция, описывающая распределение
электронов в ячейке, тогда плотность
распределения
электронов в ячейке, определится
соотношением
.
Так как это распределение должно быть
периодическим, с периодом решётки
кристалла
,
то мы должны иметь следующее равенство
.
(6.1)
Отсюда можно сделать вывод, что при
переходе в ячейку с вектором
,
волновая функция умножается на некоторое
комплексное число
,
которое можно подчинить условию
,
т.е.
.
Теперь нетрудно получить, выполнив несколько трансляций на разные вектора решётки, следующие соотношения
.
Отсюда немедленно следует, что
.
Этому условию и условию
можно удовлетворить, если положить
,
где вектор
имеет
размерность обратной длины. Таким
образом, набор функций, среди которых
следует искать решения уравнения
Шрёдингера должен удовлетворять
следующему условию
.(6.2а)
Это условие и составляет содержание
теоремы Блоха. Второе условие, которому
должно удовлетворять решение
дифференциального уравнение второго
порядка, требует непрерывности функции
при переходе через границу ячейки, т.е.
должна быть непрерывной нормальная
производная в двух точках
и
на границах, связанных соотношением
.
Нормали к границам удовлетворяют условию
.
Это условие имеет вид
.
(6.2б)
Условия (6.2а) и (6.2б) называются блоховскими
условиями. Таким образом, если обратиться
к теории неприводимых представлений
полгруппы трансляций, то можно говорить,
что решения уравнения Шрёдингера для
кристалла являются собственными
функциями оператора трансляций
.
Вектор
,
нумерующий эти неприводимые представления,
в дальнейшем будем называть волновым
вектором и писать в качестве индекса у
волновой функции
.
§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
Уравнения Хартри – Фока(4.2), а также уравнение(5.1) с кристаллическим потенциалом (5.3) называют одноэлектронным уравнением Шрёдингера. Поскольку оно получено с помощью волновых функций приписываемых состяниям отдельного электрона. Так как кристаллический потенциал в этом приближении состоит из двух составляющих кулоновской и обменной, причём, как правило, обменный потенциал используется в приближённой форме, то для получения полного потенциала (5.3) необходимо только найти кулоновский потенциал. Кулоновский потенциал, как хорошо известно, находится спомощью решения уравнения Пуассона по заданному зарядовому распределению в элементарной ячейке кристалла. Запишем уравнение Пуассона
,
(7.1)
Где
–
распределение зарядовой плотности в
ячейне кристалла. Его обычно записывают
для одноатомных кристаллов в таком виде
.
(7.2)
Здесь
–
заряд ядра,
–
распределение электронного заряда,
–
дельта функция Дирака описывает
распределение точечного заряда ядра.
Для решения уравнения Пуассона необходимо
наложить периодические граничные
условия, которые подобны условим Блоха
для волновой функции:т.е. кулоновский
потенциал должен быть периодическим с
периодом решётки вместе с непрерывными
нормальными производными при переходе
через гранцу ячейки. Кроме того, должно
выполняться условие электрической
нейтральности ячейки
.
(7.3)
Таким образом, на основании теоремы Блоха и периодичности кристаллического потенциала, как собственные волновые функции гамильтониана, так и его собственные значения зависят отволнового вектора , т.е. должны одноэлектронное уравнение Шрёдингера переписать ввиде
.(7.4)
Отсюда следует такой вывод: так как волнолвой вектор меняется квази непрерывным образом в зоне Бриллюэна, собственные значения гамильтониана являются квазидискретными функциями этого вектора, т.е. как говорят, они образуют зонный энергетичский спектр собственных значений.
Поскольку в
приближении Слэтера (4.7), да в других
подобных приближенмях, обменный потенциал
зависит от распределения электронной
плотности в кристалле, и распределением
которой определяется и кулоновский
потенциал, задачу вычисления энергетической
зонной структуры кристаллов необходимо
решать самосгласованным образом. Схема
самосогласованного расчёта выглядит
так. Вначале тем или иным способом
строится электронная плотность в
кристалле, по ней с помощью решения
уравнения Пуассона определяется
кулоновский потенциал. Обменный потенциал
строится либо в приближении Слэтера,
либо в каком – то другом. Полученный
таким способом кристаллический потенциал
подставляется в уравнение (7.4) для
нахождения функций
,
которые затем используются для построения
новой электронной плотности и так до
достижения самосогласования, т.е. до
достижения результата, пока полученное
решение не будет отличаться от предыдущего
с заданной степенью точности.