МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

Курсовая РАБОТА

по дисциплине «Твердотельная электроника»

Тема:

Расчет основных параметров и характеристик

активных элементов твердотельной электроники

Студент гр. 5209		Хабибулин А.Р.
Преподаватель		Райская Е.К.

Санкт-Петербург

2018

Аннотация

В данной курсовой работе исследуются параметры полупроводниковых приборов, а также P-n переход на примере варикапа. будут рассчитаны: пробивное напряжение, контактная разность потенциалов, площадь P-n перехода, удельная емкость. Будут построены графики АЧХ, ВФХ и график добротности.

Summary

In this course work, the parameters of semiconductor devices are investigated, as well as the P-n transition of the varicap, as an example. The breakdown voltage, the contact potential difference, the P-n junction area, the specific capacitance will be calculated. The curves of AFC, VFX and Q-factor plot will be constructed.

Содержание

	Введение	4
1.	Расчет основных параметров варикапа.	10
2.	Построение ВФХ и δ(U).	11
3.	Построение ВАХ.	12
4.	Построение графика добротности	13
5.	Заключение	14
6.	Список литературы	15

Введение

Варикап- это полупроводниковый прибор, реактивностью которого можно управлять с помощью напряжения смещения. Он широко используется в параметрических усилителях, генераторах гармоник, смесителях, детекторах и в системах с электронной настройкой в качестве нелинейной управляемой электрическим напряжением емкости.

Основные параметры варикапов:

1. Емкость варикапа - емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении (от единиц то сотен пикофарад).

2. Коэффициент перекрытия емкости Кс- отношение емкостей варикапа (от нескольких единиц до нескольких десятков) при двух заданных значениях обратных напряжений.

3. Сопротивление потерь – суммарное активное сопротивление включая сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов варикапа.

4. Добротность - отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте переменного сигнала - к сопротивлению потерь при заданных значениях емкости или обратного напряжения (от десятков до сотен единиц).

5. Температурные коэффициент емкости - относительное изменение емкости при изменении температуры окружающей среды.

Принцип действия варикапа

В варикапах используется свойство p-n перехода изменять свою барьерную емкость под действием внешнего напряжения.

При приложении внешнего напряжения к p-n переходу происходит изменение толщины ОПЗ, что связано с изменением объемного заряда некомпенсированных ионов в области p-n перехода. Изменение размеров и значений емкости соответствует тому, что p-n переход ведет себя как конденсатор. Эта емкость называется барьерной, и ее необходимо учитывать при приложении к диоду переменного напряжения.

Для плоскостного диода ее можно рассчитать по формуле плоского конденсатора:

Где толщина электронно-дырочного перехода для случаев резкого и плавного переходов определяется соотношениями 1.8 и 1.10 соответственно.

На рисунке 1.15 показаны Вольт-Фарадные характеристики плавного 1 и резкого 2 переходов при увеличении обратного напряжения ; уменьшение барьерной емкости обусловлено увеличение толщины p-n перехода.

Диффузионная емкость p-n перехода проявляется при прямом смещении диода и характеризуется изменением заряда инжектированных носителей при изменении внешнего напряжения.

Практическому использованию в варикапах диффузионной емкости препятствуют ее низкая добротность из-за относительно больших активных токов через диод, сильная зависимость диффузионной емкости от температуры и частоты, а так же высокий уровень собственных шумов.

Варикап работает при обратном напряжении (), приложенном к p-n переходу в частных случаях распределения примесей, соответствующих резкому и плавному p-n переходам. При этом формула 1.17 преобразуется к виду:

Где n=2 для резких p-n переходов и n=3 для плавных переходов. - емкость при нулевом напряжении на диоде равная для резких и плавных переходов, соответственно:

Упрощенная эквивалентная схема варикапа приведена на рисунке 1.16 где - емкость перехода, - последовательное соединение базы, - параллельное эквивалентное сопротивление (дифференциальное сопротивление p-n перехода), обусловленное обратным током p-n перехода, включающим в себя ток насыщения 1.12 и ток генерации 1.15, а также током утечки. С ростом обратного смещения и уменьшаются, а обычно возрастает.

Эффективность варикапа определяется его добротностью которая равна отношению запасенной в нем энергии к рассеиваемой, и может быть рассчитана по формуле:

Продифференцировав это выражение, можно получить угловую частоту , соответствующую максимальной добротности , и саму величину :

На рисунке 1.17 приведены кривые, поясняющие зависимость между добротностью варикапа , частотой и напряжением смещения. Максимум добротности варикапов обычно достигается в диапазоне частот 1…10 МГц.

Максимальное напряжение смещения ограничено напряжением пробоя p-n перехода варикапа .

При фиксированном напряжении смещения добротность изменяется на низких частотах по закону:

Т.е добротность варикапа растет с увеличением частоты. На высоких частотах добротность варикапа уменьшается с увеличением частоты.