Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Схемотехника (курсовая) Филин

.pdf
Скачиваний:
73
Добавлен:
30.01.2019
Размер:
916.36 Кб
Скачать

И = 0.2 0 = 0.2 ∙ 10 = 2 В

Напряжение сток-исток:

0 10СИ = 2 = 2 = 5 В

Тогда напряжение на стоке равно:

С = И + СИ = 2 + 5 = 7 В

Отсюда находим сопротивление в цепи истока и стока:

6 = И = 555.6 Ом

5 = ( 0 С) = 833.3 Ом

В соответствии с номинальным рядом получаем: R6 = 560 Ом, R5 = 820 Ом. Напряжение на затворе равно:

З = И + ЗИ = 2.4 − 1 = 1.4 В

Сопротивление R4 находится, исходя из заданной верхней частоты fВ√2.Так как частота верхнего среза входной цепи fВХ√2 должна быть больше fВ√2, а она определяется сопротивлением R4 и суммарной ёмкостью

С = СД + СВХ + СМ,

где СД проходная ёмкость диода, равная 1 пФ, СВХ входная ёмкость транзистора V2, СМ ёмкость монтажа, равная 1 пФ.

СВХ определяется по формуле:

С

ВХ

= С

ЗИ

+ ( ∙ 5 + 1) ∙

 

= 1.775 10−11

= 17.8 пФ

 

 

 

 

 

 

ЗС

 

 

 

 

 

 

 

В соответствии с номинальным рядом получаем: СВХ = 18 пФ

Отсюда получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С = СД + СВХ + СМ = 1 + 18 + 1 = 20 пФ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

То можно заключить, что необходимо взять R4 ≤

 

 

 

.

(2πf

 

∙C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в√2

 

 

Следовательно:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R4 ≤

 

 

1

 

 

 

=

1

 

 

 

 

= 4.03 103 = 4.03 кОм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 3.14 2 10

6

20 10

−12

 

 

(2πfв√2

 

∙ C)

 

 

 

 

 

 

 

Выбираем R4 = 3.9 кОм.

11

Тогда ток делителя:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

З

 

=

1

 

= 2.5 10−4 = 0.25 мА

 

 

 

 

 

 

 

 

Д2

 

4

 

3900

 

 

 

 

 

 

 

Сопротивление резистора:

 

 

 

3 =

( 0 З)

=

 

(10 − 1)

= 3.626 104 = 36.3 кОм

 

0.25

10−3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д2

 

 

 

 

 

 

Всоответствии с номинальным рядом получаем: R3 = 36 кОм.

3.1.3.Расчет по постоянному току каскадов на биполярных

транзисторах V3, V4.

Биполярный транзистор КТ342Б имеет следующие параметры:

-транзистор биполярный кремниевый;

-UБЭ = 0.7 В;

-коэффициент усиления по току минимальный h21min = 200;

-коэффициент усиления по току максимальный h21max = 500;

-частота единичного усиления fТ = 300 МГц;

-максимальный постоянный ток коллектора Iк max = 50 мА;

- максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = 25 В;

-постоянная времени цепи обратной связи τк = 300 пс;

-ёмкость коллекторного перехода Cк = 8 пФ;

-допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе Pк = 250 мВт.

Рис. 5. Принципиальная схема каскадов на биполярных транзисторах по постоянному току

Для расчёта сопротивлений резисторов R7, R8, R9, R10, R11 необходимо выбрать режимы работы транзисторов V3 и V4 (рис. 5).

12

Ток покоя

транзистора V4 должен быть К4

≤ 6 мА. Выбираем К =

6 мА. Учитывая,

что переменный коллекторный ток транзистора V3 меньше,

чем переменный ток коллектора V4, можно

выбрать постоянный

коллекторный ток К3 К4. Выбираем К3 = 5 мА.

Напряжение коллектора-эмиттера V4:

0 10кэ,4 = 2 = 2 = 5 В

Напряжение на эмиттере V4:

Э4 = 0.1 0 = 0.1 ∙ 10 = 1 В

Определяем напряжение:

Б4 = Э3 = Э4 + БЭ = 1 + 0.7 = 1.7 В

Напряжение на базе V3:

Б3 = Э3 + БЭ = 1.7 + 0.7 = 2.4 В

Напряжение на коллекторе V4:

К4 = Э4 + КЭ,4 = 1 + 5 = 6 В

Для вычисления токов базы Б3 и Б4 и дальнейших коэффициентов передачи по току h21,3 и h21,4 определим с учётом их крайних значений

h21 = √h21min ∙ h21max = √200 ∙ 500 = 316.228

Б3 = К3 = 5 10−3 = 0.016 мА21 316.228

Б4 = К4 = 6 10−3 = 0.019 мА21 316.228

Тогда:

Э3 = К3 + Б3 = 5 + 0.0158 = 5.016 мА

Э4 = К4 + Б4 = 6 + 0.0189 = 6.019 мА

При больших h21 принимают равными Э3 К3, Э4 К4. Теперь вычислим сопротивление R9, R10 и R11:

 

 

 

1.7

 

R9 =

Э3

=

 

= 338.9 Ом

 

5.016 10−3

 

Э3

 

 

 

13

 

 

(

 

)

 

(10 − 6)

R10 =

0

 

К4

 

=

 

 

= 666.67 Ом

 

 

 

 

 

 

 

6 10−3

 

 

 

 

К4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

R11

=

 

Э4

=

 

= 166.1 Ом

 

 

6.019 10−3

 

 

 

Э4

 

 

 

 

 

 

 

Для вычисления сопротивлений R7 и R8 нужно определить ток делителя

Д3. Обычно его выбирают Д3

10 Б3. Следовательно,

Д3 ≥ 10 ∙ 0.016 = 0.16 мА

Тогда:

7 = ( 0 Б3) = 43.7 кОм ( Д3 + Б3)

R8 = Б3 = 15.18 кОмД3

В соответствии с номинальным рядом получаем:

R7 = 43 кОм , R8 = 15 кОм , R9 = 330 Ом , R10 = 680 Ом , R11 = 160 Ом.

3.1.4. Расчёт по постоянному току в схеме на ОУ.

Этот расчёт сводится к определению номинальных значений резисторов R12 и R13. С одной стороны они должны обеспечить «среднюю точку» напряжения питания 0/2 на ОУ и потому R12 = R13, с другой стороны их параллельное соединение на переменном токе не должно сильно шунтировать нагрузку транзистора V4. Вследствие этого:

12 = 13 = 5 ∙ 10 = 5 ∙ 680 = 3.4 кОм

По шкале номинальных значений получаем: R12 = R13 = 3.3 кОм.

14

3.1.5. Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера.

Правильность расчетов сопротивлений можно проверить с помощью

компьютера.

Для этого принципиальную схему каскадов на транзисторах

V3 и V4 (рис. 5) необходимо преобразовать в эквивалентную схему по

постоянному

току,

заменяя

биполярные

транзисторы

активными

четырехполюсниками

типа

ИТУТ (рис.6,

б), где 11

входное

сопротивление биполярного транзистора на постоянном токе.

 

Рис. 6. Определение входного сопротивления (а) и эквивалентная схема биполярного транзистора (б) по постоянному току.

Далее составляем эквивалентную схему усилителя на биполярных транзисторах (рис.7) и с помощью программы Fastmean произведем расчет. При расчете используются сопротивления резисторов, выбранные по номинальному ряду. Сопротивления R6 и R12 не являются резисторами, они отражают эквиваленты входных сопротивлений переходов база-эмиттер

транзисторов V3 и V4 H11,3 и H11,4 по постоянному току (рис. 6). Их величины равны:

6 = =

 

БЭ

=

 

 

0.7

 

 

= 44.27 кОм.

 

 

 

 

0.019 10−3

11,3

 

 

 

 

 

 

Б3

 

 

 

 

 

 

12 =

=

БЭ

 

=

0.7 В

= 36.89 кОм.

 

 

 

11,4

 

 

Б4

 

 

0.019 мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

Рис. 7. Эквивалентная схема усилительного каскада на V3, V4 по постоянному току.

С помощью команды «Анализ по постоянному току» в схеме рис. 7 вычислим токи в резисторах и напряжения в узлах. В табл. 6 вносим все результаты без учёта знака.

Таблица 6

Параметр

 

 

V3

 

 

V4

 

Токи и напряжения

Б3, В

Э3, В

 

Д2, мА

Э3, мА

Э4, В

К4, В

К4, мА

Расчёт предварительный

2.4

1.7

 

0.1442

5.016

1

5

6

Компьютерный

2.406

1.689

 

0.1604

5.119

0.9782

5.856

6.114

16

4. Расчет по сигналу.

Этот расчет также проведем при помощи программы Fastmean. Чтобы

определить свойства усилителя по сигналу, необходимо

составить эквивалентную

схему усилителя для переменного тока.

 

 

 

Учитывая, что сопротивление источника питания 0 переменному току равно

нулю, на эквивалентной схеме его выводы можно замкнуть накоротко, а

сам

источник удалить. После этой операции верхние выводы резисторов R2, R3, R5, R7,

R10 (рис.1) оказываются на переменном токе соединенными с общим проводом.

Коллектор транзистора V3 также соединяется с общим

проводом.

Далее нужно

элементы схемы V1, V2, V3, V4 и AD1 заменить их эквивалентными моделями на

переменном токе. Источником сигнала является

фототок

m1 диода

V1.

Сопротивление фотодиода на переменном токе определяется касательной к вольтамперной характеристике в точке А. Вследствие того, что приращение напряжения измеряется в вольтах, а приращение тока в долях микроампера, сопротивление фотодиода переменному току Д = ∆ /∆ оказывается значительно больше, чем сопротивление постоянному току Д , и Д достигает 80…100 МОм. Это дает право рассматривать источник сигнала как генератор тока. Чрезвычайно большое сопротивление Д учитывать в эквивалентной схеме необходимости нет, остается учесть лишь ёмкость фотодиода Д (рис.8, а). На рис.8,б изображена эквивалентная схема фотодиода по переменному току с учетом его цепей питания.

Рис. 8. Модель фотодиода на переменном токе (а) и эквивалентная схема входной цепи (б)

На эквивалентной схеме полевой транзистор заменяем активным четырехполюсником типа ИТУН - источник тока, управляемый напряжением (рис. 9, а). Это значит, что выходной ток (ток стока ic) управляется входным напряжением (затвор-исток UЗИ ), т.е.

= − ∙ ЗИ = −9 10−3 ∙ (−1) = 9 мА

В данной модели СЗИ емкость затвор-исток транзистора, пФ, СЗС проходная емкость, емкость перехода затвор-сток, пФ. Величина этих ёмкостей дается в справочниках по транзисторам. S – крутизна в точке покоя, мА/В. Сопротивление перехода затвор-исток ЗИ очень велико.

17

Рис. 9. Эквивалентная модель транзисторов по сигналу: а) полевого – V2 (ИТУН);

б) биполярного – V3 (ИТУТ)

Биполярные транзисторы V3 и V4 заменяем каждый активным четырехполюсником типа ИТУТ (источник тока, управляемый током, рис.

9, б).

В этой модели

б’б объёмное

 

сопротивление базового слоя, Ом.

Находим его из

выражения

=

к

. С

к

ёмкость коллекторного перехода,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б’б

 

 

Ск

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пФ, приводится в справочниках.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

к

=

300 10−12

= 37.5 Ом = 16 = 18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б’б

 

 

Ск

 

8 10−12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сопротивление перехода база-эмиттера это б’э, Ом, вычисляется так:

 

 

 

 

 

 

 

 

= (1 +

 

 

) ∙

25 10−3

,

 

 

 

 

 

 

 

 

21

 

 

 

 

 

 

 

 

б’э

 

 

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где 21 коэффициент усиления по току транзистора, включённого по

схеме с общим эмиттером (ОЭ).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б’э,3 = (1

+ 21) ∙

25 10−3

= (1

+ 316.228) ∙

25 10−3

= 1.59 кОм = 17

 

 

 

 

5 10−3

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б’э,4 = (1

+ 21) ∙

25 10−3

= (1

+ 316.228) ∙

25 10−3

= 1.32 кОм = 19

 

 

 

 

6 10−3

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ёмкость перехода база-эмиттер б’э, пФ, вычисляется по выражению:

21

б’э = 2 Т б’э ,

где Т частота единичного усиления из справочника.

б’э3

=

21

=

316.228

 

 

= 105.8 пФ

2

2 ∙ 3.14 ∙ 300 106

∙ 1590

 

 

б’э,3

 

 

 

 

 

б’э4

=

21

=

316.228

 

 

= 126.9 пФ

2

2 ∙ 3.14 ∙ 300 106

∙ 1320

 

 

б’э,4

 

 

 

 

 

В соответствии с номинальным рядом получаем: C12 = 110 пФ, C14 = 130 пФ

18

Рис. 10. Схема для определения частотных характеристик ОУ без ОС.

R1

R2

 

R3

 

R4

 

R5

 

R6

 

R7

 

 

R8

 

 

R9

 

R10

R11

МОм

МОм

 

кОм

 

кОм

 

Ом

 

Ом

 

кОм

 

 

кОм

 

 

Ом

 

Ом

Ом

1

2

 

36

 

3.9

 

820

 

560

 

43

 

 

15

 

 

330

 

680

160

R12

R13

 

R14

 

R15

 

R16

 

R17

 

R18

 

 

R19

 

R20

 

R21

R22

кОм

кОм

 

кОм

 

кОм

 

Ом

 

кОм

 

Ом

 

 

кОм

 

кОм

 

кОм

кОм

3.3

3.3

 

10

 

1.7

 

37.5

 

1.59

 

37.5

 

 

1.32

 

 

1

 

1

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C1

 

C2

 

C3

 

C4

 

C5

 

C6

 

 

C7

 

 

C8

 

С9

 

 

мкФ

 

мкФ

 

мкФ

 

мкФ

 

мкФ

мкФ

мкФ

 

мкФ

 

пФ

 

 

3

 

3

 

3

 

3

 

 

3

 

3

 

 

3

 

 

3

 

1

 

 

 

 

C10

 

C11

 

C12

 

C13

 

C14

 

C15

 

C16

 

 

C17

 

 

 

 

 

 

пФ

 

пФ

 

пФ

 

пФ

 

пФ

 

пФ

 

нФ

 

 

пФ

 

 

 

 

 

 

5

 

1.5

 

110

 

8

 

130

 

8

 

0.236

 

0.398

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соединив модели активных элементов согласно принципиальной схеме (рис.1), получаем эквивалентную схему усилителя по сигналу для всех диапазонов частот (рис. 10). Номера внешних резисторов R1-R15 и конденсаторов C1-C8 этой схеме соответствуют номерам резисторов и конденсаторов принципиальной схемы (рис. 1).

Рис. 11. Полная эквивалентная схема усилителя.

Остаются неизвестными значения резисторов R14 и R15, поскольку не определён коэффициент усиления каскада на ОУ = 21/13. Напряжение21 = 2 , задано в табл. 3. Напряжение 13 определяем, активировав клавишу « переходный процесс», установив предварительно в источнике сигнала ток m1 = 1 мкА и среднюю частоту заданного диапазона f = 100 кГц.

20