5.2.2.3. Разрядники, предохранители (по гост 2.727-68), резисторы, конденсаторы

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

a  5  6

b  4  5

c  5  6

d  1,5  2

R  5  6

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

9. Диод Шотки

10. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

a  5  6

b  4  5

c  5  6

d  1,5  2

R  5  6

11. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

12. Тиристор диодный симметричный

13. Тиристор триодный. Общее обозначение

14 Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:

по аноду

по катоду

15. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением:

по аноду

по катоду

16. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении, с управлением:

по аноду

по катоду

17. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный)

18. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

a  5  6

b  4  5

c  5  6

d  1,5  2

R  5  6

19. Транзистор:

а) типа PNP

D  12  14

A  9  11

a  2,5  3,5

b  3  4

A=3/4 D

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

20. Транзистор типа NPN с коллектором, электрически соединенным с корпусом

21. Лавинный транзистор типа NPN

22. Транзистор однопереходной с N-базой

23. Транзистор однопереходной с P-базой

24. Транзистор типа PNP с двумя базовыми выводами

25. Транзистор типа PNIP

26. Транзистор типа PNIP с выводом от i-области

27. Транзистор многоэмитерный

D  12  14

A  9  11

a  2,5  3,5

b  3  4

A=3/4 D

28. Транзистор полевой с каналом N-типа

D  10 12  14

a  5  6  7

b  7  8  9

29. Транзистор полевой с каналом P-типа

30. Транзистор полевой с изолированным затвором:

а) обогащенного типа с P-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа P-каналом

D  12  14

c  4  5

b  7  4

г) обедненного типа N-каналом

31. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с P-каналом с выводом от подложки

32. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом и с внутренним соединением подложки и истока

D  12  14

c  4  5

33. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с N-каналом и с выводом от подложки

34. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

35. Фотодиод

36. Фототиристор

37. Фототранзистор типа PNP:

а) общее обозначение

б) база не выведена

38. Фотоэлемент солнечный

Примечание. Допускается знаки полярности не указывать

39. Фотобатарея солнечная (n солнечных элементов)

40. Светодиод

41. Оптрон диодный

42. Оптрон тиристорный

43. Оптрон резисторный

44. Оптрон диодный с усилителем, изображенный:

а) совмещено

б) разнесено

45. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

46. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон

47. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 – выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.

Цифры 1, 2, ,3 и 4 указаны для пояснения

Пример применения условного графического обозначения на схеме

48. Трухфазная мостовая выпрямительная схема

49. Диодная матрица

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы влючены идентично, то допускается приименять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть пояснения о способе включения диодов

50. Диод

51. Транзистор типа PNP

52. Транзистор типа NPN

53. Транзистор типа PNIP c выводом от I-облости

54. Многоэмитерный транзистор типа NPN