шпоргалка / электроника / Задачи
.docЗАДАЧИ ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ НА ГОСЭКЗАМЕН
1.
Найти контактную разность потенциалов
для идеализированного p-n-перехода
при температуре 200
С, о котором известно, что концентрация
донорной примеси (Nд)
составляет 2,5*1015
атомов/см3,
акцепторной примеси (Nа)
2*1018
атомов/см3,
а соответственная концентрация носителей
в кристалле, из которого изготовлен
переход, равна 3,5*1014
атомов/см3
2. Обратный ток полупроводникового диода при температуре 300К равен 1мкА. Определить сопротивление диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении 150 мВ.
3. Полупроводниковый диод имеет прямой ток 0,8А при Uпр =0,3 В и T=350 С. Определить: 1) I0 ; 2) rдиф при U=0,2В; 3) rдиф при U=0.
4. Каким будет показание вольтметра переменного напряжения в схеме на рис 1, где Е=10 В, ЕГ =50мВ? Температура окружающей среды Т =200 С.
Рис 1
5. Кремниевый стабилитрон 2С168 подключен по схеме рис 2, где Rн =2кОм. Данные стабилитрона: Uст =6,8В, Iст.макс =3мА, Iст.мин=0,5 мА. Найти Rб , если Uвх изменяется от Uвх.мин=10 В до Uвх.макс=20 В.Определить будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения
Рис 2
6. Транзистор, имеющий α = 0,995, αI = 0,1, IЭО=IКО= 10-12 А, включен в схему. Определить напряжение коллектор—эмиттер UКЭ, а также токи.
7. В биполярном транзисторе, имеющем обратный ток коллекторного перехода IКО=10-8 А, текут токи IБ=20мкА и IК=1мА. Определить сквозной тепловой ток I*КО и сопротивление эмитерного перехода.
8. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом имеет IС.макс=5мА и UОТС=-2В. Определить ток стока IС и крутизну S транзистора при напряжениях затвора, равных 1) -2 В; 2) 0; 3) -1 В.
9. Определить режим работы транзистора по постоянному току для схемы рис 3, в которой ЕЭ=-2 В; RК=4 кОм; ЕК=10 В. Обратным током коллектора можно пренебречь. Транзистор кремниевый.
Рис 3
10. В схеме на рис. RЭ = 2 кОм, EЭ = 2 B, Rб =15 кОм, EБ = 3B, RН = 4 кОм, Eк=16 В. Транзистор имеет α = 0,98; IКБ0 = 10 мкА. Определить ток коллектора.
